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1. 发明授权

KR102475817B1 반도체장치 및 반도체시스템 有权
公开(公告)号：KR102475817B1
公开(公告)日：2022-12-08
申请号：KR1020160032405
申请日：2016-03-17
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/22 , G11C11/409
摘要： 반도체장치는라이트커맨드및 레이턴시정보에따라설정되는라이트구간에동기하여인에이블되는분주구간신호를생성하는분주구간신호생성회로; 및상기분주구간신호및 내부스트로브신호에응답하여샘플링구간동안상기내부스트로브신호를샘플링하여샘플링클럭신호로출력하되, 상기샘플링구간은상기라이트구간보다긴 구간으로설정되는클럭샘플링회로를포함한다.

2. 发明授权

KR102467451B1 반도체 장치 및 반도체 시스템 有权
公开(公告)号：KR102467451B1
公开(公告)日：2022-11-17
申请号：KR1020160075494
申请日：2016-06-17
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409 , G11C7/10 , G11C8/06
摘要： 외부클럭을분주시켜제 1 예비분주클럭및 제 2 예비분주클럭을생성하고상기제 1 및제 2 예비분주클럭을모두제 1 분주클럭및 제 2 분주클럭으로출력하거나상기제 1 및제 2 예비분주클럭중 하나를상기제 1 및제 2 분주클럭으로서출력하는분주제어회로; 및상기제 1 및제 2 분주클럭에응답하여외부제어신호를래치시켜상기제 1 래치제어신호및 제 2 래치제어신호로서출력하는래치회로를포함한다.

3. 发明授权

KR102378443B1 반도체 장치 및 그 구동 방법, 및 전자 기기 有权
公开(公告)号：KR102378443B1
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：KR1020150034851
申请日：2015-03-13
IPC分类号： G11C7/10 , G11C7/16 , G11C11/405 , G11C11/408 , G11C11/406 , G11C11/409 , H01L27/11551 , H01L27/1156
摘要： 본발명은멀티레벨데이터의기록과판독을수행할수 있는신규반도체장치를제공한다. 비트선, 전원선, 제 1 노드, 제 2 노드, 제 1 트랜지스터~제 4 트랜지스터, 제 1 용량소자, 및제 2 용량소자를갖는메모리셀이며, 2개로분할된멀티레벨데이터중 하나를제 1 트랜지스터를통하여제 1 노드에기록하고, 다른쪽을제 2 트랜지스터를통하여제 2 노드에기록한다. 제 3 트랜지스터의게이트는제 1 노드에접속되고, 제 4 트랜지스터의게이트는제 2 노드에접속된다. 또한, 제 3 트랜지스터및 제 4 트랜지스터는비트선과전원선사이의도통상태를제어한다. 제 1 트랜지스터및 제 2 트랜지스터는반도체층에산화물반도체가사용되는것이바람직하다.

4. 发明授权

KR102299380B1 반도체 장치 및 그의 구동방법 有权
公开(公告)号：KR102299380B1
公开(公告)日：2021-09-08
申请号：KR1020140184656
申请日：2014-12-19
IPC分类号： G11C11/4076 , G11C11/409 , G11C7/22 , G11C11/406 , G11C11/4091 , G11C7/10
摘要： 클럭신호를이용하는반도체장치및 그의구동방법에관한것으로, 라이트트레이닝신호와라이트관련정보신호에응답하여클럭제어신호를생성하기위한클럭제어부; 및상기클럭제어신호와클럭신호에응답하여라이트트레이닝을위한데이터신호를입력받기위한입력부를포함하는반도체장치가제공된다.

5. 发明公开

KR20210034678A 메모리 컴포넌트 특성 성분에 기초한 메모리 컴포넌트에 저장된 데이터의 리프레시 审中-公开
公开(公告)号：KR20210034678A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：KR20217008139
申请日：2019-08-15
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/409
摘要： 하나이상의기입동작들이메모리컴포넌트에서수행된다. 메모리컴포넌트에서리프레시동작의수행이후메모리컴포넌트에서수행된복수의기입동작들을수가임계값을초과하는지여부에대한결정이이루어진다. 메모리컴포넌트에서수행된기입동작들의수가임계값을초과한다고결정하는것에응답하여, 복수의기입동작들에기초하여메모리컴포넌트의메모리셀이식별된다. 식별된메모리셀에근접한메모리컴포넌트의메모리셀들에저장된데이터가리프레시된다.

6. 发明授权

KR102151181B1 메모리 장치와 이를 포함하는 메모리 시스템 有权
公开(公告)号：KR102151181B1
公开(公告)日：2020-09-02
申请号：KR1020140118536
申请日：2014-09-05
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태윤 , 김명오 , 손교민 , 황상준
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C11/409

7. 发明授权

KR101943807B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101943807B1
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：KR1020187009623
申请日：2010-12-20
申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
发明人： 야마자끼슌뻬이 , 고야마준 , 가또기요시
IPC分类号： G11C11/404 , G11C16/02 , G11C11/409 , G11C16/06

8. 发明公开

KR20180032091A 리프레시 제어 장치 审中-公开
标题翻译：刷新控制装置
公开(公告)号：KR20180032091A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：KR20160120828
申请日：2016-09-21
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/409
CPC分类号： G11C11/40611 , G11C11/40626
摘要： 타깃로우리프레시동작시전력을감소시킬수 있는리프레시제어장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른리프레시제어장치는타깃로우리프레시플래그신호에따라타깃로우리프레시어드레스또는노멀리프레시어드레스중 어느하나를선택하여리프레시어드레스를생성하는리프레시어드레스생성부; 상기타깃로우리프레시플래그신호및 멀티플리프레시신호에응답하여멀티플어드레스제어신호를생성하는어드레스제어신호생성부; 및상기멀티플어드레스제어신호에응답하여상기리프레시어드레스로부터복수의최종리프레시어드레스를생성하는최종리프레시어드레스생성부를포함한다.
摘要翻译：公开了一种用于降低目标行刷新操作期间的功耗的刷新控制装置。刷新控制装置包括：刷新地址生成器，被配置为通过根据目标行刷新标志信号选择目标行刷新地址和正常刷新地址中的任意一个来生成刷新地址;地址控制信号生成器，被配置为生成多地址响应于所述目标行刷新标志信号和多刷新信号来控制所述控制信号;以及最终刷新地址生成器，其被配置为响应于所述多地址控制信号而从所述刷新地址生成多个最终刷新地址。

9. 发明公开

KR20180023919A 자기 저항 메모리 장치 및 이에 있어서 메모리 셀 불량 검사 방법 有权
标题翻译：磁性随机存取存储器和检查存储器单元的缺陷的方法
公开(公告)号：KR20180023919A
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR20180005483
申请日：2018-01-16
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 유창식 , 김경민
IPC分类号： G11C29/56 , G11C11/409 , G11C29/00
CPC分类号： G11C29/56 , G11C11/409 , G11C29/783
摘要： 복수의메모리셀들을리드하여불량을검사하는자기저항메모리장치및 이에있어서메모리셀 불량검사방법이개시된다. 상기자기저항메모리장치는복수의메모리셀들을포함하는메모리셀부, 적어도하나의기준셀을포함하는기준셀부및 감지회로를포함한다. 여기서, 메모리셀 불량검사시, 동시에선택되는복수의워드라인들이따라복수의메모리셀들이선택된다. 또한, 상기감지회로는상기선택된메모리셀들의저항을감지하고, 상기기준셀의저항을감지하며, 메모리셀의불량여부를판단하기위하여상기감지된저항들을비교한다.
摘要翻译：一种用于读取多个存储单元并检查有缺陷的存储单元的磁阻存储器件及其存储单元缺陷检测方法。磁阻存储器件包括：包括多个存储器单元的存储器单元部分，包括至少一个参考单元的参考单元部分以及感测电路。这里，当检查存储单元缺陷时，沿着同时选择的多个字线选择多个存储单元。另外，感测电路感测所选存储器单元的电阻，感测参考单元的电阻，并且比较感测到的电阻器以确定存储器单元是否有缺陷。

10. 发明公开

KR1020170112038A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020170112038A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020160038509
申请日：2016-03-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이재인 , 오상묵
IPC分类号： G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/409 , G11C11/4091
CPC分类号： G11C11/40618 , G11C7/1063 , G11C11/40603 , G11C11/40611 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C2207/005
摘要： 본발명은리프레시의효율을높이면서도데이터의오류를방지할수 있는반도체장치및 시스템을제공한다. 본발명의일 실시예에따른반도체장치는복수의메모리셀 그룹을포함하고, 복수의메모리셀 그룹중 적어도어느하나의그룹은리얼액티브신호에대응하여액티브동작이수행되고, 나머지메모리셀 그룹중 적어도어느하나의그룹은슈도우(pseudo) 액티브신호에대응하여리프레시동작이수행된다.
摘要翻译：本发明提供了一种能够在提高刷新效率的同时防止数据错误的半导体器件和系统。根据本发明的一个实施方式的半导体装置包括多个包含一个存储单元组，和至少一个组中的多个存储单元组中的是激活操作是响应于真实的活动信号，至少剩余的存储单元组进行其中一组执行对应于伪激活信号的刷新操作。

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