专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102372981B1 수평셀 전기도금설비 및 도금용액 순환방법 有权
公开(公告)号：KR102372981B1
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：KR1020200131400
申请日：2020-10-12
IPC分类号： C25D7/06 , C25D21/18 , C25D21/08
摘要： 수평셀전기도금설비가개시된다. 본발명의실시예에따른수평셀전기도금설비는각각수평셀, 도금롤, 백업롤및 포집통을구비하는복수의도금모듈과, 복수의도금모듈의각 수평셀과연결되며제1 개폐밸브에의해전방공급라인과후방공급라인으로구분되는도금용액공급라인과, 복수의도금모듈의각 포집통과연결되며, 제2 개폐밸브에의해전방회수라인과후방회수라인으로구분되는도금용액회수라인및 도금용액을전방공급라인에공급하고전방회수라인을통해회수하는제1 순환탱크와, 도금용액을후방공급라인에공급하고후방회수라인을통해회수하는제2 순환탱크및 새척용액을전방공급라인에공급하고전방회수라인을통해회수하는제1 플러싱탱크와, 세척용액을후방공급라인에공급하고후방회수라인을통해회수하는제2 플러싱탱크를포함한다.

2. 发明授权

KR102335218B1 표면처리용 디핑장치 有权
公开(公告)号：KR102335218B1
公开(公告)日：2021-12-06
申请号：KR1020210060861
申请日：2021-05-11
IPC分类号： C25D17/08 , C25D21/00 , C25D21/12 , C25D21/18 , C23C18/16 , B65G49/04
摘要： 본발명은표면처리디핑장치를개선하여표면처리과정에서이물질이묻거나용액의부족등으로야기되는표면처리불량문제를해소하면서도표면처리작업을효율적이면서유연성있게할 수있도록한 것으로서; 표면처리하고자하는용액을수용하도록상부가개방된디핑조와; 표면처리하고자하는제품을다수거치하여승강수단에의하여상기디핑조에디핑하기위한랙과; 상기디핑조또는랙에설치하여디핑과정에서디핑조의바닥면에침적된이물질에의하여랙의하단에거치된제품이오염되어불량으로발생하는것을방지하는오염방지수단과; 표면처리하는과정에서디핑조에수용된용액이자연소모될경우랙의상부가완전하게디핑조에디핑되지못하여표면처리불량이발생하는것을방지하도록부가하는용액보충수단을포함하는것이특징이다.

3. 发明授权

KR102297887B1 황산계 철 전기도금용액의 제2철 이온 제거 방법 有权
公开(公告)号：KR102297887B1
公开(公告)日：2021-09-06
申请号：KR1020190117045
申请日：2019-09-23
IPC分类号： C25D21/18 , C25D21/06 , C25D3/20
摘要： 본발명은철 전기도금용액에포함된제2철이온을효과적으로제거하는방법에관한것으로서, 제2철이온을포함하는황산계철 전기도금용액을 Mn 3중량% 이하의합금철또는금속철이장입된용액조에순환시키는단계를포함하며, 상기금속철은 S ≥ 0.01 I/C (식 1)을만족하는함량으로장입되는것인방법을제공한다. (식 1에서, S는금속철의전체표면적(㎡)이고, I는전기도금셀에인가되는단위시간당평균전류(A)이며, C는용액내 제2철의최대이온농도허용치(g/L)이다.)

4. 发明授权

KR102216393B1 합금 도금 시스템에서 패시베이션으로부터 애노드 보호 有权
公开(公告)号：KR102216393B1
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR1020200098584
申请日：2020-08-06
申请人： 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드
发明人： 추아리펑 , 메이어스티븐티 , 포터데이비드더블유 , 폰누스와미토마스에이
IPC分类号： C25D21/12 , C25D17/10 , C25D17/00 , C25D3/60 , C25D21/18
摘要： 실질적으로상이한표준전기증착전위들을갖는 2개의금속들의연속적인동시전기도금을위한 (예를들면, Sn-Ag 합금들의증착을위한) 장치는, 덜귀한제 1 금속 (예를들면, 주석) 의이온들을포함하지만더 귀한제 2 금속 (예를들면, 은) 의이온들은포함하지않는애노드액및 활성애노드를격납하기위한애노드챔버; 제 1 금속 (예를들면, 주석) 의이온들, 더귀한제 2 금속 (예를들면, 은) 의이온들을포함하는캐소드액및 기판을격납하기위한캐소드챔버; 애노드챔버와캐소드챔버사이에배치되는세퍼레이션구조체로서, 캐소드액으로부터애노드액으로더 귀한금속의전달을실질적으로방지하는세퍼레이션구조체; 그리고장치에커플링되고연속적인전기도금을수행하기위해구성되는한편, 연장된사용기간동안도금조컴포넌트들의실질적으로일정한농도를유지하는유체피쳐들및 연관제어기를포함한다.

5. 发明公开

KR20210014847A 미세홀 도금장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20210014847A
公开(公告)日：2021-02-10
申请号：KR20190092788
申请日：2019-07-31
IPC分类号： C25D5/02 , C25D17/12 , C25D21/10 , C25D21/18
摘要： 피도금체에형성된미세홀의내부로진입가능하며미세홀내부로도금액을분사하는도금액공급용노즐타입애노드전극과, 도금액공급용노즐타입애노드전극으로도금액저장조의도금액을강제공급하는도금액공급부및 도금액공급용노즐타입애노드전극에서공급되어미세홀내부에서배출되는도금액을상기도금액저장조로회수하는도금액회수부를포함하는것을특징으로하는미세홀도금장치가개시된다.

6. 发明授权

KR102146598B1 산화 제 1 주석의 제조 방법, 산화 제 1 주석, Sn 도금액의 제조 방법 및 Sn 도금액의 불순물 제거 방법 有权
公开(公告)号：KR102146598B1
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：KR1020167016846
申请日：2015-03-02
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 가타세다쿠마 , 히라노히로타카
IPC分类号： C01G19/02 , C23C18/16 , C25D21/18

7. 发明授权

KR102117910B1 계단의 논슬립판 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102117910B1
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：KR1020180117846
申请日：2018-10-02
申请人： 주식회사 성원프로덕트
发明人： 노영범 , 문인식
IPC分类号： C25D5/12 , C25D5/36 , C25D5/02 , C23F1/02 , C23F1/28 , C23C22/24 , C25D3/12 , C25D5/18 , C25D21/18 , C25D21/22 , C23C28/00 , E04F11/16 , E04F11/17

8. 发明公开

KR1020160133403A 산화 제 1 주석의 제조 방법, 산화 제 1 주석, Sn 도금액의 제조 방법 및 Sn 도금액의 불순물 제거 방법 审中-实审
标题翻译： 11 Sn Sn生产用于生产Sn镀液的氧化锡氧化锡方法的方法和从SN镀层溶液中去除污染物的方法
公开(公告)号：KR1020160133403A
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020167016846
申请日：2015-03-02
申请人： 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤
发明人： 가타세다쿠마 , 히라노히로타카
IPC分类号： C01G19/02 , C23C18/16 , C25D21/18
CPC分类号： C09D1/00 , C01G19/02 , C01P2006/80 , C23C18/1617 , C23C18/1692 , C23C18/31 , C25D21/18
摘要： Sn 이온함유산액을얻는 Sn 이온함유산액형성공정 (S01) 과, Sn 이온함유산액에대하여, 탄산암모늄, 중탄산암모늄, 암모니아수에서선택되는어느 1 종이상의알칼리액을첨가하여 pH 3 ∼ 6 으로유지하여 Sn 침전물을얻는제 1 중화공정 (S02) 과, Sn 침전물을분리하는 Sn 침전물분리공정 (S03) 과, 분리된 Sn 침전물을용매액에분산시키는 Sn 침전물분산공정 (S04) 과, Sn 침전물의분산액에대하여알칼리액을첨가하고가열함으로써 SnO 를얻는제 2 중화공정 (S06) 을구비하고, 제 1 중화공정 (S02) 에있어서, Sn 이온함유산액중에 Na, K, Pb, Fe, Ni, Cu, Zn, Al, Mg, Ca, Cr, Mn, Co, In, Cd 를잔존시킨다.
摘要翻译：氧化亚锡的制造方法包括：含有Sn离子的酸溶液形成工序（S01）; 第一中和步骤（S02），其是通过向含Sn离子的酸溶液中加入一种或多种碳酸铵，碳酸氢铵和氨水的碱性溶液来形成Sn沉淀物以将pH保持在3-6的步骤 ; Sn沉淀分离步骤（S03）; Sn分散步骤（S04），其是将分离的Sn沉淀物分散在溶剂液体中以获得分散液的步骤; 和第二中和工序（S06），其是通过向Sn析出物的分散液中添加碱溶液，然后通过加热形成SnO的步骤，其中Na，K，Pb，Fe，Ni，Cu，Zn，Al 在第一中和步骤（S02）中，Mg，Ca，Cr，Mn，Co，In和Cd存在于含Sn离子的酸溶液中。

9. 发明授权

KR101243123B1 도금용액 스트레이너 이물질 제거 장치 有权
标题翻译：移除液态ID ING ING ING。。。。。。。。。。。。。。。
公开(公告)号：KR101243123B1
公开(公告)日：2013-03-12
申请号：KR1020110029186
申请日：2011-03-31
申请人： 주식회사 포스코
发明人： 진용희
IPC分类号： C25D17/00 , C25D21/18
摘要： 본 발명은 도금용액 스트레이너 이물질 제거장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는 원주 방향으로 다수의 관통홀이 형성되고, 상기 각 관통홀에는 스트레이너가 구비되어 있는 필터링부, 필터링부를 회전 이동 가능하게 하는 구동부와, 관통홀의 적어도 어느 하나에 연통되도록 설치되어진 도금을 하기 위하여 용액을 공급하기 위한 용액 공급부 및, 관통홀의 적어도 어느 하나에 연통되도록 설치되어진 스트레이너 이물질을 제거하기 위하여 이물질 제거액을 공급하기 위한 이물질 제거액 공급부를 포함하는 도금용액 스트레이너 이물질 제거장치에 관한 것이다.

10. 发明授权

KR101141475B1 Analysis method for plating solution and plating method thereby 无效
标题翻译：解决方案的分析方法和镀层方法
公开(公告)号：KR101141475B1
公开(公告)日：2012-05-04
申请号：KR20100067597
申请日：2010-07-13
IPC分类号： C25D21/18 , C25D21/14 , G01N30/00
CPC分类号： G01N1/4055 , G01N2001/4027 , G01N2030/884
摘要： 본 발명은 도금액 중 고분자 물질의 추출법 및 추출된 고분자 물질의 정성 및 정량 분석 방법에 관한 것으로, 도금액에 유기용매를 첨가하는 단계, 상기 도금액과 유기용매를 혼합하여 도금액에 포함된 고분자 물질을 유기 용매에 용해시켜 추출하는 단계, 상기 고분자 물질이 용해된 유기용매를 분리하는 단계, 상기 유기용매를 기화시켜 고분자 물질을 얻는 단계를 포함하는 도금액 중 고분자 물질을 추출하는 단계 상기 추출된 고분자 물질을 정성분석 및 정량분석 중 하나 이상을 하는 단계 및 상기 도금액에 포함된 고분자 물질을 정성 분석 및 정량 분석하여 도금액의 전기도금의 활동도를 조절하는 단계를 포함한다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式