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1. 发明授权

KR102163886B1 탄성파 장치 有权
公开(公告)号：KR102163886B1
公开(公告)日：2020-10-12
申请号：KR1020180148303
申请日：2018-11-27
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 후쿠다다이스케
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/17 , H03H9/125

2. 发明授权

KR101958134B1 전자 부품 有权
公开(公告)号：KR101958134B1
公开(公告)日：2019-03-13
申请号：KR1020177025987
申请日：2016-03-25
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 다께시따,도루
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/125

3. 发明公开

KR1020170086628A 탄성파 장치 审中-实审
标题翻译：地震波装置
公开(公告)号：KR1020170086628A
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：KR1020177017163
申请日：2015-11-11
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 타카미네유이치 , 야마네타카시
IPC分类号： H03H9/145 , H03H9/64 , H03H9/125
CPC分类号： H03H9/6496 , H03H9/02574 , H03H9/02992 , H03H9/145 , H03H9/1452 , H03H9/178 , H03H9/19 , H03H9/6483 , H03H9/125 , H03H9/64
摘要： 통과대역내에서리플이발생하기어려운탄성파장치를제공한다. 탄성파장치(1)는, 압전막(6)을가지는탄성파장치(1)로서, 압전막(6)을전파하는메인모드의탄성파음속보다도전파하는벌크파음속이고속인고음속부재와, 고음속부재상에직접적또는간접적으로적층되어있는압전막(6)과, 압전막(6) 상에마련되어있는제1 도전막과, 압전막(6) 상및 제1 도전막의적어도일부상에마련되어있는제2 도전막을포함한다. 압전막(6) 상에는전극지와버스바를가지는복수의 IDT 전극이마련되어있고, 제1 도전막에의해, 복수의 IDT 전극(8)의적어도전극지가구성되어있으며, 제2 도전막에의해, 복수의 IDT 전극(8) 사이를접속하고있는접속배선의적어도일부가구성되어있다.
摘要翻译：从而提供一种弹性波装置，其中通带中几乎不出现波纹。声波装置1中，作为弹性波装置（1），其具有压电膜6，体波声速是高速锭声速构件和构件高比声音在主模式通过压电膜6中传播的弹性波的速度进行传播设置在直接或间接地层压到所述压电膜6和第一导电膜和设置在所述压电膜6a压电膜6和第一导电膜的至少一部分所述第二导电膜。以及多个与形成于电极指和代替母线，第一通过的导电膜的压电膜6，以及多个IDT电极8的IDT电极的由唯一地甚至电极指，由第二导电膜，多个并且形成连接IDT电极8的IDT电极8之间的连接配线的至少一部分。

4. 发明公开

KR1019970055310A 표면 탄성파 필터의 리드 프레임 无效
标题翻译：表面声波滤波器的引线框架
公开(公告)号：KR1019970055310A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950072205
申请日：1995-12-31
申请人： 대우전자부품(주)
发明人： 장성우
IPC分类号： H03H9/125
摘要： 본 발명은 표면탄성파필터의 리드프레임에 관한 것으로, 베이스(18)에 장착된 칩(100)과 와이어본딩되어 리드(22)로 외부회로에 접속되는 표면탄성파필터의 리드프레임에 있어서, 칩의 전극패드(30)에 대응되는 연결패드(24)가 캡의 내부표면에 설치되고, 이 연결패드(24)에 일단부가 고정된 와이어(26)가 수직하게 내려와 전극패드(30)에 본딩되어, 와이어본딩에 따른 불필요한 리드프레임의 연결패드 설치면적을 줄여주어 실장면적을 줄여 줄 수 있고, 또한 전극패드를 중앙부위에 설치가능하게 해주므로써 칩설계의 자유도를 증가시켜 주게 되는 것이다.

5. 发明公开

KR1019960036294A 반공진점에 횡모드 리플을 갖는 에스에이더블유 공진자 失效
公开(公告)号：KR1019960036294A
公开(公告)日：1996-10-28
申请号：KR1019960005284
申请日：1996-02-29
申请人： 가부시끼가이샤 무라따 세이사꾸쇼
发明人： 가도타미치오 , 모로즈미가즈히코
IPC分类号： H03H9/125
摘要： 본 발명에 있어서, 주파수 트랩을 형성하기 위한 SAW 공진자는, 표면파 기판 위에 위치하는 적어도 1개의 인터 디지탈 트랜스듀서를 구비한다. 이 인터디지탈 트랜스듀서는 복수개의 전극 핑거를 갖는 한쌍의 빗형상 전극을 포함하며, 이 한쌍의 빗형상 전극은 서로 사이에 끼워지도록 배치되어 있다. 임피던스-주파수 특성에 있어서, 인터디지탈 트랜스듀서의 전극 핑거의 교차폭은, 공전점과 반공진점 사이에 발생하는 횡모드 리플이 반공진점에 위치하도록 설정되어 있다.

6. 实用新型

KR2019950015832U 소우 필터의 전극 无效
标题翻译：烟灰过滤器的电极
公开(公告)号：KR2019950015832U
公开(公告)日：1995-06-19
申请号：KR2019930025182
申请日：1993-11-26
申请人： 대우전자부품(주)
发明人： 양형국
IPC分类号： H03H9/125
摘要： 고안은소우필터(Saw filter)의제작원가를줄일수 있고종래의것과같은효과를낼 수있도록한 것으로알루미늄(Al) 합금으로형성되어있는상기다수의전극(3)을구리(Cu)로형성하고하측에연설되어있는연결선(4)을구리(Cu) 또는텅스턴으로형성하여고주파수가종래의것과같은효과를낼 수있도록함은물론재료구입비를낮출수 있도록한 것이다.

7. 发明公开

KR1019910016138A 탄성 표면파 장치 无效
公开(公告)号：KR1019910016138A
公开(公告)日：1991-09-30
申请号：KR1019900002656
申请日：1990-02-28
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 박병훈
IPC分类号： H03H9/125 , C08L31/04
摘要： 내용 없음

8. 发明授权

KR101983972B1 측면 실장형 필터 칩 패키지 및 이를 구비한 고주파 프론트 엔드 모듈 有权
公开(公告)号：KR101983972B1
公开(公告)日：2019-05-30
申请号：KR1020180018330
申请日：2018-02-14
申请人： 주식회사 오킨스전자
发明人： 전진국 , 박성규 , 차상훈 , 임청혁 , 정창모 , 정영석 , 박수현
IPC分类号： H03H9/72 , H03H9/64 , H03H9/125

9. 发明授权

KR101959455B1 탄성 표면파 장치 有权
公开(公告)号：KR101959455B1
公开(公告)日：2019-03-18
申请号：KR1020177018877
申请日：2016-02-02
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 토요타유지
IPC分类号： H03H9/25 , H03H9/10 , H03H9/125

10. 发明公开

KR20180016295A 고주파 모듈 有权
标题翻译：高频模块
公开(公告)号：KR20180016295A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR20170098120
申请日：2017-08-02
申请人： 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
发明人： 소다지히로 , 오꾸데다까유끼 , 가와사끼겐따로 , 후나하시겐따로 , 야마다다까유끼
IPC分类号： H03H9/64 , H03H9/10 , H03H9/125
摘要： 저손실화및 저잡음화의양쪽을실현할수 있는고주파모듈을제공한다. 고주파모듈(1)은종결합형탄성표면파필터(10)와, 탄성표면파필터(10)에접속된저잡음증폭기(20)를구비하고, 저잡음증폭기(20)에접속된탄성표면파필터(10)의입력임피던스와출력임피던스는상이하고, 스미스차트에있어서, 탄성표면파필터(10)의통과대역에있어서의출력임피던스는, 저잡음증폭기(20)의이득이최대가될 때의탄성표면파필터(10)의출력임피던스인제1 출력임피던스와, 저잡음증폭기(20)의잡음지수가최소가될 때의탄성표면파필터(10)의출력임피던스인제2 출력임피던스와의사이의영역에존재한다.
摘要翻译：提供了能够实现低损耗和低噪声的高频模块。高频模块1个eunjong耦合型表面声波滤波器10和SAW滤波器10的输入被连接到表面声波滤波器10中，用20的低噪声放大器，和一个低噪声放大器20连接到在不同的和史密斯圆图的阻抗和输出阻抗，表面声波滤波器10中，uitong的频带时，在SAW滤波器10的输出的输出阻抗时，低噪声放大器20的增益为最大并且，当低噪声放大器20的噪声指数变为最小时的表面声波滤波器10的输出阻抗。

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