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1. 发明公开

KR1019990072667A 전자 방출 소자, 전자 소스 및 화상 형성 장치의 제조 방법 失效
标题翻译：电子发射装置，电子源和图像形成装置的制造方法
公开(公告)号：KR1019990072667A
公开(公告)日：1999-09-27
申请号：KR1019990005173
申请日：1999-02-12
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오니시도시까즈 , 반노요시까즈 , 니시무라미찌요 , 다께다도시히꼬 , 야마모또게이스께 , 마루야마도모꼬
IPC分类号： H01J27/26
摘要： 전자 방출 소자를 제조하기 위한 방법은 전극 사이에 전자 방출부를 갖는 도전막을 포함한다. 상기 방법은 전극들 사이에 위치한 도전막내에 간극을 형성하는 단계와 극성 또는 분극성기를 갖는 방향족 화합물을 가지며 물(water) 대 방향족 화합물의 분압비가 100 또는 그 미만인 분위기에서 전극들 사이에 전압을 인가하는 단계를 포함한다.

2. 发明公开

KR20200131730A 가스 전계 전리 이온원 审中-公开
公开(公告)号：KR20200131730A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：KR20200028782
申请日：2020-03-09
申请人： HITACHI LTD
发明人： MATSUBARA SHINICHI
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/26
摘要： (과제) 에미터팁을냉각할필요가없거나, 또는종래보다약한냉각으로운용가능하게하는가스전계전리이온원을제공한다. (해결수단) 가스를이온화하는전계를형성하는가스전계전리이온원(1, 2)은, 선단(先端)을가지는에미터팁(11)과, 에미터팁(11)에대향하고, 이격된위치에개구를가지는인출전극(13)과, 에미터팁(11)의근방에가스를공급하는가스공급수단(31, 45)과, 구멍(125)을갖는금속제의진공격벽(12)과, 에미터팁(11)과인출전극(13) 사이에전압을인가하는고전압전원(111, 112)을구비한다. 구멍(125)은, 에미터팁(11)의선단이통과가능해지도록구성되고, 진공격벽(12)은, 구멍(125)의주변에있어서인출전극(13)측을향하여돌출하는미소(微小) 돌기(121)를갖는다.

3. 发明公开

KR1020040102147A 다핵 금속분자빔 장치 失效
标题翻译：多核金属分子束装置
公开(公告)号：KR1020040102147A
公开(公告)日：2004-12-03
申请号：KR1020047016947
申请日：2003-04-23
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 상교기쥬츠 소고켄큐쇼
发明人： 후지모토도시유키 , 이치무라신고 , 노나카히데히코 , 구로카와아키라
IPC分类号： H01J27/26 , H01J27/24 , H01J37/08 , H01J27/02
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3056
摘要： 금속 클러스터 착물이나 배위자 안정화 금속 클라스터 등의 다핵 금속분자를 사용하여 이온 빔을 생성하는 다핵 금속분자빔 장치.
다핵 금속분자(1)는 기화되고, 이온화실(4)에 있어서 전자 충격, 광조사, 플라즈마 이온화, 전계, 전하이동 등의 각종 이온화 수단에 의해 이온화된다.

4. 发明公开

KR1020010042622A 액체 금속 이온원 및 액체 금속 이온원의 플로우 임피던스측정방법 无效
标题翻译：测量液态金属离子源和液态金属离子源流量阻抗的方法
公开(公告)号：KR1020010042622A
公开(公告)日：2001-05-25
申请号：KR1020007011301
申请日：2000-02-22
申请人： 가부시키가이샤 히타치 하이테크 사이언스
发明人： 스기야마야스히코 , 오이마사미치
IPC分类号： H01J27/26
CPC分类号： H01J27/22 , H01J2237/0805
摘要： 본발명은, 이미션전류를변화시키지않고플로우임피던스를측정함으로써, 관찰이나에칭등의통상조작과플로우임피던스의측정을병행하여행하도록하는것으로서, 장치의가동중에인출전압(V ext)을고정한상태에서, 이미션전류변화량(△Ie)과억제전압변화량(△V sup)과의관계를, 함수△Ie=f(△V sup)로서, 기억부(113)에저장하여둔다. 플로우임피던스의측정시에는이미터전류(Ie)를고정한상태로인출전압(△V ext)을△V ext만큼변화시킨때, 억제전압변화량(△V sup)을검출한다. 그리고, 전압변화량(△V ext, △V sup)과기억부로부터들어온함수를이용하여플로우임피던스(△V ext/△Ie)를연산한다.

5. 发明授权

KR102469333B1 전자 소스 재생 방법 有权
公开(公告)号：KR102469333B1
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：KR1020207022433
申请日：2018-12-27
IPC分类号： H01J3/02 , H01J27/26 , H01J37/06
摘要： 본개시에서는전자소스에사용되는전자소스재생방법을제공하는데, 상기전자소스는, 팁상에고정된, 적어도하나의방출사이트를포함하고, 상기방출사이트는금속원자와기체분자에의해형성된반응산물을포함하며, 상기재생방법은, 상기전자소스의방출능력이재생조건을만족하면, 전자소스를원래위치에서재생시키는것을포함한다.

6. 发明授权

KR102326843B1 가스 전계 전리 이온원 有权
公开(公告)号：KR102326843B1
公开(公告)日：2021-11-15
申请号：KR1020200028782
申请日：2020-03-09
IPC分类号： H01J37/08 , H01J27/26
摘要： (과제) 에미터팁을냉각할필요가없거나, 또는종래보다약한냉각으로운용가능하게하는가스전계전리이온원을제공한다. (해결수단) 가스를이온화하는전계를형성하는가스전계전리이온원(1, 2)은, 선단(先端)을가지는에미터팁(11)과, 에미터팁(11)에대향하고, 이격된위치에개구를가지는인출전극(13)과, 에미터팁(11)의근방에가스를공급하는가스공급수단(31, 45)과, 구멍(125)을갖는금속제의진공격벽(12)과, 에미터팁(11)과인출전극(13) 사이에전압을인가하는고전압전원(111, 112)을구비한다. 구멍(125)은, 에미터팁(11)의선단이통과가능해지도록구성되고, 진공격벽(12)은, 구멍(125)의주변에있어서인출전극(13)측을향하여돌출하는미소(微小) 돌기(121)를갖는다.

7. 发明公开

KR1020160023802A 코팅된 코로나 이온화 소스를 위한 방법 및 디바이스 审中-实审
标题翻译：用于涂覆的科罗娜离子源的方法和装置
公开(公告)号：KR1020160023802A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020167001590
申请日：2014-06-19
申请人： 스미스 디텍션 몬트리올 인코포레이티드
发明人： 잘레스키,헨릭
IPC分类号： G01N27/62 , H01J49/16 , H01J27/26
CPC分类号： H01J49/168 , G01N27/622 , H01J27/26
摘要： 제1 물질을포함하는와이어코어, 및제2 물질을포함하는와이어코팅을포함하는가는와이어를포함하고, 와이어코팅이와이어코어의일부분을둘러싸고, 와이어코팅의지름이와이어코어의지름보다큰 코로나이온화소스조립체및 그제조방법이개시된다. 추가로, 가는와이어는장착포스트에결합될수 있다. 실예에에서, 본발명의기술을이용하는코로나이온화소스조립체를제조하는공정은와이어코어를형성하는단계, 와이어코어를둘러싸는와이어코팅을형성하는단계, 와이어코팅의적어도일부분상에마스크층을형성하는단계, 와이어코팅을에칭하는단계, 및와이어코팅으로부터마스크층을제거하는단계를포함한다.

8. 发明授权

KR100082474B1 이온원장치 失效
公开(公告)号：KR100082474B1
公开(公告)日：1995-02-17
申请号：KR1019910006123
申请日：1991-04-17
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 요시다요시카즈
IPC分类号： H01J27/26

9. 发明授权

KR101941867B1 이온빔 장치 및 가스 전계 전리 이온원의 세정 방법 有权
公开(公告)号：KR101941867B1
公开(公告)日：2019-01-24
申请号：KR1020187004768
申请日：2015-08-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 가와나미요시미 , 고바루아츠시 , 하시즈메도미히로 , 시치히로야스 , 마츠바라신이치
IPC分类号： H01J27/26 , H01J9/38

10. 发明公开

KR20180032601A 이온빔 장치 및 가스 전계 전리 이온원의 세정 방법 有权
标题翻译：离子束装置及气体电解质离子源清洗方法
公开(公告)号：KR20180032601A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR20187004768
申请日：2015-08-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： KAWANAMI YOSHIMI , KOBARU ATSUSHI , HASHIZUME TOMIHIRO , SHICHI HIROYASU , MATSUBARA SHINICHI
IPC分类号： H01J27/26 , H01J9/38
CPC分类号： H01J27/26
摘要： 본발명의이온빔장치는, 이미터전극을손모하지않고챔버내를세정함으로써, 이온방출전류의변동을억제한다. 이온빔장치는, 침상의선단을갖는이미터전극(21)과, 이미터전극의선단방향으로이간된위치에개구를갖는인출전극(23)과, 이미터전극을내포하는챔버(10)를갖는 GFIS1을포함한다. GFIS1은, 이미터전극에빔 발생전압이상의전압을인가한상태에서, 챔버에이온화용가스를도입하는이온화용가스도입경로(30)와, 이미터전극에빔 발생전압미만의전압을인가한상태또는전압을인가하지않은상태중 어느하나의상태에서, 챔버로세정용가스를도입하는세정용가스도입경로(60)를갖고, 세정용가스가도입된상태에서의챔버의압력은, 이온화용가스가도입될때의챔버의압력보다높다.
摘要翻译：根据本发明的离子束装置是通过洗涤腔室的内部，而不浪费已经发射极电极，抑制离子发射电流的波动。离子束装置中，具有这种米电极21和23已经具有在发射电极的该前端方向之间的位置具有开口的引出电极，已经暗示具有针的前端发射电极室10 它包括GFIS1。 GFIS1是，在电压的发射极被施加到不低于电极hansangtae更少的束产生电压，和电离的气体导入通道30用于将气体电离到腔室，施加电压小于所述发射电极hansangtae或电压的束产生电压在任何状态下的状态中的不施加，它具有用于将气体引入用于清洁腔室中的清洁路径60的气体入口，eseoui清洁气体引入条件的压力腔室中，以离子化气体中使用时被引入室内。

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