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1. 发明公开

KR20180030426A 진공 전자 디바이스 드리프트 관 审中-公开
标题翻译：真空电子设备DRIFT管
公开(公告)号：KR20180030426A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR20170104376
申请日：2017-08-17
申请人： VAREX IMAGING CORP
发明人： MICHAEL P PERKINS
IPC分类号： H01J23/20 , H01J25/12 , H01P7/06
CPC分类号： H01J23/20 , H01J23/11 , H01J23/22 , H01J25/11 , H01J25/12 , H01P1/208
摘要： 중공튜브구조를포함하는진공전자디바이스(예를들어, 평면빔 클라이스트론)에대한기술이설명된다. 일례로, 중공튜브구조는적어도세 개의공진공동및 적어도두 개의드리프트관 섹션을포함한다. 각공진공동은장축을따르는공동폭 및단축을따르는공동높이를포함한다. 각드리프트관 섹션은드리프트관 섹션폭 및드리프트관 섹션높이를포함하며, 공동높이는드리프트관 섹션높이보다크다. 제1 드리프트관 섹션은제1 공진공동및 제2 공진공동사이에배치된다. 제2 드리프트관 섹션은제2 공진공동및 제3 공진공동사이에배치된다. 제1 드리프트관 섹션의드리프트관 섹션폭은제2 드리프트관 섹션의드리프트관 섹션폭과실질적으로상이하다.
摘要翻译：描述了包括中空管结构的真空电子器件（例如，片状波束速调管）的技术。在一个示例中，中空管结构包括至少三个谐振腔210和至少两个漂移管部分230.每个谐振腔包括沿着主轴的腔宽度和沿着短轴的腔高度。每个漂移管部分包括漂移管部分宽度和漂移管部分高度，并且空腔高度大于漂移管部分高度。第一漂移管部分设置在第一谐振腔和第二谐振腔之间。第二漂移管部分设置在第二谐振腔与第三谐振腔之间。第一漂移管部分的漂移管部分宽度与第二漂移管部分的漂移管部分宽度显着不同。

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