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热词
    • 1. 发明公开
    • 진공 전자 디바이스 드리프트 관
    • 真空电子设备DRIFT管
    • KR20180030426A
    • 2018-03-23
    • KR20170104376
    • 2017-08-17
    • VAREX IMAGING CORP
    • MICHAEL P PERKINS
    • H01J23/20H01J25/12H01P7/06
    • H01J23/20H01J23/11H01J23/22H01J25/11H01J25/12H01P1/208
    • 중공튜브구조를포함하는진공전자디바이스(예를들어, 평면빔 클라이스트론)에대한기술이설명된다. 일례로, 중공튜브구조는적어도세 개의공진공동및 적어도두 개의드리프트관 섹션을포함한다. 각공진공동은장축을따르는공동폭 및단축을따르는공동높이를포함한다. 각드리프트관 섹션은드리프트관 섹션폭 및드리프트관 섹션높이를포함하며, 공동높이는드리프트관 섹션높이보다크다. 제1 드리프트관 섹션은제1 공진공동및 제2 공진공동사이에배치된다. 제2 드리프트관 섹션은제2 공진공동및 제3 공진공동사이에배치된다. 제1 드리프트관 섹션의드리프트관 섹션폭은제2 드리프트관 섹션의드리프트관 섹션폭과실질적으로상이하다.
    • 描述了包括中空管结构的真空电子器件(例如,片状波束速调管)的技术。 在一个示例中,中空管结构包括至少三个谐振腔210和至少两个漂移管部分230.每个谐振腔包括沿着主轴的腔宽度和沿着短轴的腔高度。 每个漂移管部分包括漂移管部分宽度和漂移管部分高度,并且空腔高度大于漂移管部分高度。 第一漂移管部分设置在第一谐振腔和第二谐振腔之间。 第二漂移管部分设置在第二谐振腔与第三谐振腔之间。 第一漂移管部分的漂移管部分宽度与第二漂移管部分的漂移管部分宽度显着不同。
    • 3. 发明公开
    • 이차전자를 이용한 펄스 전자빔 증폭기
    • 脉冲电子束放大器,使用二次电子
    • KR1020100058059A
    • 2010-06-03
    • KR1020080116732
    • 2008-11-24
    • 한국전기연구원
    • 전석기김정일정순신
    • H01J43/02H01J23/20
    • PURPOSE: A pulse electron beam amplifier is provided to stably generate, from one side of two metal surfaces, a pulse electron beam through the electron amplification resulting from a secondary electron by additionally applying an AC voltage between the two metal surfaces to which a constant DC voltage has been applied. CONSTITUTION: A DC voltage(150) and an AC voltage(160) are simultaneously applied between two parallel and electrically insulated metal plates(110,120) through a power source device. One of the two metal plates amplifies a pulse electron beam. The two metal plates are positioned to be parallel, and depending on a suitable design, may comprise a curvature or a convex or concave part.
    • 目的:提供脉冲电子束放大器,以从两个金属表面的一侧稳定地产生通过在二次电子产生的电子放大的脉冲电子束,通过在两个金属表面之间额外施加一个AC电压,在这两个金属表面之间,恒定DC 已施加电压。 构成:通过电源装置在两个并联和电绝缘的金属板(110,120)之间同时施加直流电压(150)和交流电压(160)。 两个金属板之一放大脉冲电子束。 两个金属板被定位成平行的,并且根据合适的设计,可以包括曲率或凸起或凹入部分。
    • 6. 发明公开
    • 고효율 클라이스트론을 위한 다중 셀 출력공진공동 최적 설계방법
    • 高效率速调管多腔输出腔的优化设计方法
    • KR20180037747A
    • 2018-04-13
    • KR20160128323
    • 2016-10-05
    • H01J23/20H01J25/10H05H7/02
    • H01J23/20H01J25/10H05H7/02
    • 최상의전력변환효율을도모하도록다중셀 출력공진공동을최적으로설계할수 있는설계방법을제공해주는고효율클라이스트론을위한다중셀 출력공진공동최적설계방법에관한것으로서, 스캔할변수와스캔간격및 최대스캔인덱스를결정하는단계; 결정한변수및 간격정보를기초로입력화일을작성하는단계; 입력화일을기초로전산모사코드를이용하여전산모사를실행하는단계; 전산모사를실행한결과를기초로다중셀 출력공진공동최적설계를위한설계변수를결정하기위한분석정보를추출하는단계; 분석정보를전력변환효율의극대화를판단하기위해미리설정된기준허용치와비교하는단계; 및상기분석정보가상기기준허용치이내이면결정한변수를다중셀 출력공진공동최적설계를위한입출력변수로저장하는단계를포함하여, 고효율클라이스트론을위한다중셀 출력공진공동최적설계방법을구현한다.
    • 本发明涉及一种设计用于高效率速调管的多单元输出谐振腔的方法,该方法提供了用于优化设计多单元输出谐振腔以实现最佳功率转换效率的设计方法。 确定; 基于确定的变量和间隔信息创建输入文件; 使用基于输入文件的计算机模拟代码执行计算机模拟; 基于计算机模拟的结果提取用于确定用于多单元输出谐振腔优化设计的设计参数的分析信息; 将分析信息与预设参考容差进行比较以确定功率转换效率的最大化; 和包括存储的判决变量的步骤是内所分析的信息是基准耐受输入和输出变量的多小区输出谐振腔的最佳设计,实现高效率的速调管的多单元输出谐振腔的最佳设计方法。
    • 8. 发明公开
    • 마그네트론
    • 磁控
    • KR1020000013726A
    • 2000-03-06
    • KR1019980032761
    • 1998-08-12
    • 삼성전자주식회사
    • 백기문
    • H01J23/20
    • PURPOSE: This method is provided to prevent bad assembling from different centering in the joining of the lower shield cup to the lower part of magnetron anode used for microwave ovens and etc. A supporting structure is formed in the lower part of the shield cup to support the anode body while joining the lower shield cup to the anode body. This supportive structure improves the power. CONSTITUTION: Many projection beads(55) are formed in a radial manner around the lower part of the anode body(10) where the lower part of the shield cup(53) of magnetron is joined. The projection beads are deflected and extended from the outer circumference of the lower section of the shield cup to the base plane of the flange (57).
    • 目的:提供这种方法,以防止下屏蔽杯与用于微波炉等的磁控管阳极的下部接合时的不同中心的不良组装。在屏蔽杯的下部形成支撑结构以支撑 阳极体,同时将下屏蔽杯连接到阳极体。 这种支持性结构提高了功率。 构成:许多突起珠(55)以径向方式围绕阳极体(10)的下部形成,其中磁控管的屏蔽杯(53)的下部接合。 突起珠从屏蔽杯的下部的外周偏转并延伸到凸缘(57)的基面。