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1. 发明授权

KR102193295B1 커패시터 및 그것의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102193295B1
公开(公告)日：2020-12-23
申请号：KR20157000502
申请日：2014-05-27
IPC分类号： H01G4/005 , H01G2/10 , H01G4/06 , H01G4/224 , H01G4/228 , H01G4/32 , H01G4/38
摘要： 전도성및 유전체필름와인딩들을가진 1개이상의커패시터바디(예컨대, 보빈), 1개이상의전극접촉면을가진 1개이상의전극, 및전극접촉면과커패시터바디접촉면사이의평행한평면의전체에걸쳐균일한전기및 열전도성접촉을유지하도록커패시터바디와전극을함께결합하는압착력을적용하는하우징을포함하는교류파워커패시터에관한것으로서, 전도성필름와인딩들의에지들은 1개이상의커패시터바디접촉면을형성하는평면을한정한다.

2. 发明授权

KR101897155B1 리드선 중공 코어 삽입형 구조 개선 원통형 커패시터 有权
公开(公告)号：KR101897155B1
公开(公告)日：2018-09-10
申请号：KR1020160161669
申请日：2016-11-30
申请人： 주식회사 뉴인텍
发明人： 박대진 , 김철진 , 전용원 , 박창근 , 한지운 , 박진아 , 김정남
IPC分类号： H01G4/35 , H01G4/228 , H01G4/06 , H01G2/10
摘要： 리드선중공코어삽입형원통형커패시터에있어서, 하부와측벽이폐쇄되고상부가개방되는중공통상의금속케이스(10)와; 상기금속케이스(10)에내장되고유전체필름이권취되어형성되며상하로길게형성된중공코어(15)를갖는커패시터소자(20)와; 상기금속케이스(10)의상부를위치고정되는원형데크(30, Deck)와; 상기데크(30, Deck)에노출탑재되고상기커패시터소자(20)와전기적으로연결되는제1, 제2 단자(Terminal, 41, 42)와; 금속케이스(10)의바닥과커패시터소자(20)의하부사이를절연하는플라스틱재질의하부절연베이스(70)와; 상기금속케이스(10)의안쪽에위치하여소자(20)와금속케이스(10) 내벽사이를절연하는유연성플라스틱재질의절연성개재부(介在部, 80)와; 커패시터소자(20) 외부및 상기절연성개재부(介在部, 80) 내부공간을채우며고체화되는절연성충진레진(미도시)와; 상기데크(30, Deck)의제1 단자(41)와전기적으로연결되고, 상기커패시터소자(20)의상부용사면(21)에접점되는단편부스바(50)과; 상측이상기제2 단자(42)에결합하고상기중공코어(15)를관통하여하단이상기커패시터소자(20)의하부용사면(25)에접점되는연장부스바(60);을포함하여구성되는것을특징으로하는리드선중공코어삽입형원통형커패시터.

3. 发明公开

KR20180053709A 다중 성분 층형 유전 필름 및 그의 용도 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053709A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20187010340
申请日：2015-12-04
申请人： POLYMERPLUS LLC
发明人： PONTING MICHAEL T
IPC分类号： B32B27/08 , B32B3/14 , B32B3/26 , B32B27/18 , B32B27/32 , B32B27/36 , H01G4/06 , H01G4/20 , H01G4/30
CPC分类号： B32B7/00 , B32B3/04 , B32B3/14 , B32B3/18 , B32B3/263 , B32B27/08 , B32B27/286 , B32B27/304 , B32B27/308 , B32B27/32 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B2250/05 , B32B2255/10 , B32B2255/205 , B32B2262/10 , B32B2262/106 , B32B2264/102 , B32B2264/108 , B32B2264/12 , B32B2270/00 , B32B2307/202 , B32B2307/204 , B32B2307/514 , B32B2307/732 , B32B2457/16 , H01G4/06 , H01G4/20 , H01G4/30
摘要： 다중성분유전필름은적어도제 1 폴리머물질, 제 2 폴리머물질, 및제 3 폴리머물질의분리된중첩하는유전층들을포함한다. 인접하는유전층들은 x-y-z 좌표계의 x-y- 평면에일반적으로놓이는일반적인평평한경계면을그 사이에서한정한다. 층들사이의경계면들은층들에서의전하구축을비편재화한다. 적어도하나의유전층은 x-y- 평면에횡방향으로연장하는폴리머층 경계면들을갖는분리된폴리머층들의스택과, 선택적으로제 1 폴리머물질, 제 2 폴리머물질, 및/또는제 3 폴리머물질보다더 높은유전상수를갖는적어도하나의충전제를포함한다.

4. 发明授权

KR100991311B1 강화된 고전압 캐패시터들 失效
标题翻译：改进的高压电容器
公开(公告)号：KR100991311B1
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：KR1020087014831
申请日：2006-06-15
申请人： 비쉐이 스프라그, 인코포레이티드
发明人： 불티튜드,존 , 지앙,존 , 로저스,존
IPC分类号： H01G4/12 , H01G4/06
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/012 , H01G4/232 , Y10T29/435
摘要： 캐패시터는 대향 단부들을 가지며 다수의 전극층들 및 유전체층들로 구성되는 세라믹 캐패시터 몸체 및 세라믹 캐패시터 몸체에 부착된 제 1 및 제 2 외부 단자들을 포함한다. 세라믹 캐패시터 몸체 내의 다수의 내부 활성화 전극들은 교대 방식으로 구성된다. 세라믹 캐패시터 몸체 내의 내부 전극 실드들은 아크-오버(arc-over)에 대한 내성 제공을 돕기 위하여 사용된다. 실드들은 최상부 내부 전극 실드 및 대향 바닥부 내부 전극 실드를 포함하고, 최상부 내부 전극 실드 및 대향 바닥부 내부 전극 실드는 다수의 내부 활성화 전극들의 대향 측면들상에 존재하고, 각각의 내부 전극 실드는 대응 외부 단자로 또는 너머로 내부쪽으로 연장하여 실딩(shield)을 제공한다. 측면 실드들이 사용된다. 캐패시터는 아크-오버에 대한 강화된 내성, 공기중에 높은 항복 전압을 제공하며, 작은 케이스 사이즈에 대해서 허용된다.

5. 发明公开

KR1020080088223A 박막 캐패시터 및 박막 캐패시터 내장형 인쇄회로기판 有权
标题翻译：薄膜电容器和电容器嵌入式印刷电路板
公开(公告)号：KR1020080088223A
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：KR1020070030876
申请日：2007-03-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 이승은 , 정율교 , 이정원 , 이인형 , 송병익
IPC分类号： H01G4/06
CPC分类号： H05K1/162 , H01G4/105 , H01G4/33 , H05K2201/0175 , H05K2201/0179 , Y10T29/435
摘要： A thin film capacitor and a thin film capacitor-embedded printed circuit board are provided to improve a leakage current characteristic by including a dielectric layer containing different quantity of metallic phase bismuth. A thin film capacitor includes a first electrode(10), a dielectric layer(20), and a second electrode(30). The dielectric layer is formed on the first electrode and contains BiZnNb based amorphous metallic oxide. The second electrode is formed on the dielectric layer. The BiZnNb based amorphous metallic oxide is a first layer containing metallic phase bismuth. The dielectric layer includes a second layer between the dielectric layer and the first electrode. The second layer includes the BiZnNb based amorphous metallic oxide containing the metallic phase bismuth less than that of the first layer.
摘要翻译：提供薄膜电容器和薄膜电容器嵌入式印刷电路板，以通过包括含有不同量的金属相铋的电介质层来改善漏电流特性。薄膜电容器包括第一电极（10），电介质层（20）和第二电极（30）。电介质层形成在第一电极上并含有BiZnNb基非晶金属氧化物。第二电极形成在电介质层上。基于BiZnNb的非晶金属氧化物是含有金属相铋的第一层。电介质层包括介电层和第一电极之间的第二层。第二层包括含有比第一层小的金属相铋的BiZnNb基非晶态金属氧化物。

6. 发明公开

KR1020020010462A 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 失效
标题翻译：电介质磁性组合物，使用介电磁性组合物的磁电容器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020010462A
公开(公告)日：2002-02-04
申请号：KR1020010022380
申请日：2001-04-25
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 정승교 , 장병규 , 오준록 , 후지노시게히로 , 히라이노부타케
IPC分类号： H01G4/06
CPC分类号： H01G4/06 , H01G4/30
摘要： PURPOSE: A dielectric magnetic composition, a magnetic capacitor and a method for manufacturing the same are provided to achieve stabilized characteristics even in a high frequency area, while significantly reducing manufacturing cost. CONSTITUTION: A dielectric magnetic composition is composed of a main component containing 20 to 80 mole percent TiO2, and ZnO and inevitable impurity; and an additive of 0.5 to 20 weight percent CuO, 0.1 to 5 weight percent MnO2, 0 to 5 weight percent Al2O3, 0.001 to 15 weight percent Sb2O3, and 0.5 to 10 weight percent glass composition. A magnetic capacitor comprises a dielectric layer(11) formed of the dielectric magnetic composition, an internal electrode(12), and terminal electrodes(13,14). The internal electrode and terminal electrodes are formed of a material having a property as a conductor and a high reliability.
摘要翻译：目的：提供一种电介质磁性组合物，磁性电容器及其制造方法，即使在高频区域也能实现稳定的特性，同时显着降低制造成本。构成：介电磁性组合物由含有20〜80摩尔％的TiO 2，ZnO和不可避免的杂质的主成分组成。和0.5〜20重量％的CuO，0.1〜5重量％的MnO 2，0〜5重量％的Al 2 O 3，0.001〜15重量％的Sb 2 O 3和0.5〜10重量％的玻璃组成的添加剂。磁性电容器包括由介电磁性组合物形成的电介质层（11），内部电极（12）和端子电极（13,14）。内部电极和端子电极由具有导体性能和高可靠性的材料形成。

7. 发明公开

KR1019990080412A 이중 유전막을 가지는 고유전율 커패시터 및 그제조방법 无效
标题翻译：具有双电介质膜的高介电常数电容器及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990080412A
公开(公告)日：1999-11-05
申请号：KR1019980013661
申请日：1998-04-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 강창석
IPC分类号： H01G4/06
摘要： 장벽층의 산화를 방지하는 커패시터 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에서는 하부 전극과 상부 전극 사이에 형성된 고유전막을 가지는 커패시터에서 고유전막이 저온 유전막과 고온 유전막의 이중층 구조를 가진다. 상기 저온 유전막은 450℃ 이하의 온도에서 형성되고, 상기 고온 유전막은 하부 막질이 산화되지 않는 온도 범위 내에서 480℃ 이상의 온도에서 형성된다.

8. 发明授权

KR100220757B1 콘덴서 및 그 제조방법 및 유전체의 제조방법 失效
标题翻译：电容介质及其制造方法
公开(公告)号：KR100220757B1
公开(公告)日：1999-09-15
申请号：KR1019960006515
申请日：1996-03-12
申请人： 신코 덴키 고교(주)
发明人： 꼬바야시쓰요시 , 시바모토쓰요시
IPC分类号： H01G4/06
CPC分类号： H01G4/20 , H05K1/0306 , H05K1/16 , H05K1/162 , H05K3/4676 , H05K3/4688 , H05K2203/105 , H05K2203/1142
摘要： 본 발명은 유전재중에 도전재가 혼합하여 얻어진 고유전율의 유전체로 된 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로, 그 구성은 기재로서의 알루미나 분말 중에 텅스텐분말을 혼합하여 되는 유전체를, 서로 대향하는 전극을 구비하는 콘덴서를 제조할 때에 상기 알루미나 분말 중에 텅스텐분말을 혼합하여 되는 도전성알루미나세라믹체를 형성한 다음 이 도전성알루미나 세라믹체를 사이에 끼워서 서로 대향하는 전극을 구비하고, 다음 텅스텐분말에 의해서 도전성알루미나 세라믹체 내에 형성긴 도전통로를 전기적으로 단선할 수 있는 전류 또는 전압을 전극에 단속적으로 인가하여, 도전성세라막체를 유전체로 변환시킴을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR100157635B1 온도 보상용 자기 유전체 조성물 失效
标题翻译：电解组分
公开(公告)号：KR100157635B1
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019910020792
申请日：1991-11-21
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 송인엽
IPC分类号： H01G4/06
摘要： 본 발명은 사용 주파수가 높은 회로의 콘덴서에 적합한 소용량의 온도 보상용 자기 유전체 조성물에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 (1-X)·BaNd
2 Ti
5 O
14 -X·MgTiO
3 의 조성식에서 0.05≤X≤0.3의 범위를 갖도록 제조한 것이다. 종래의 경우, 온도계수가 작으면 유전율이 16∼40으로 낮고, 유전율이 조금이 높으면 온도계수가 EIA규격의 COG특성을 벗어나는 단점들을 개선하여 본 발명에서는 70∼93의 높은 유전율 값을 가지며 유전율의 온도특성 즉, EIA규격의 COG특성도 만족시키며, 유전손실값도 상당히 낮은 온도 보상용 자기 유전체 조성물을 제조하였다.

10. 发明公开

KR1019970076924A 고저항 형태의 필름을 장착한 플라스틱 필름 콤덴서 无效
标题翻译：带高阻力膜的塑料薄膜压实机
公开(公告)号：KR1019970076924A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960016649
申请日：1996-05-15
申请人： 주식회사 뉴인텍
发明人： 김용환
IPC分类号： H01G4/06
摘要： 본 발명은 종래의 금속증착필름의 증착범위중 60-95%에 이르는 부위의 증착막 두께를 10-25Ω/□로 증착을 하여 이를 콘덴서에 사용함으로써, 1. 유전체의 절연파과강도를 향상시키게 된다.
2. 그 결과, 예를 들어 종래의 BASE 필름의 원단두께를 한 등급 낮출 수 있는 계기가 되었다. 즉, 금속증착 필름의 두께가 7um으로 사용되던 제품은 6um의 사용이 가능하게 되었으며, 6um 은 5um으로 대체될 수 있는 계기가 된 것이다.
3. 따라서 이는 곧 소형화가 가능해진 것이다.
4. 이러한 소형화의 결과 단위당 사용 부피가 감소하게 됨으로써 한단계의 원가절감이 가능케된 것이다.

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