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1. 发明公开

KR1020170123410A 토포그래피 신호 및 옵션 신호 획득 방법, 장치 및 이를 구비하는 원자 현미경 审中-实审
标题翻译：获取地形信号和可选信号的方法和设备以及原子传感器
公开(公告)号：KR1020170123410A
公开(公告)日：2017-11-08
申请号：KR1020160052471
申请日：2016-04-28
申请人： 파크시스템스 주식회사
发明人： 안정훈 , 노한얼 , 조용성
IPC分类号： G01Q10/04 , G01Q20/02 , G01Q60/58 , G01Q60/60 , G01Q60/30
摘要： 본발명은매 지점마다정지된상태에서토포그래피신호및 옵션신호를얻음으로써신호들로부터얻어지는이미지의신뢰성을높일수 있는토포그래피신호및 옵션신호획득방법, 장치및 이를구비하는원자현미경에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른측정대상표면에대한토포그래피신호및 옵션신호획득방법은, 팁을가진캔틸레버를사용하여측정대상의표면에대한토포그래피신호 (topography signal) 및옵션신호 (option signal) 를얻기위한방법이다. 상기방법은, 상기측정대상을일정위치에정지시킨상태로상기캔틸레버를사용하여특정지점의토포그래피신호를얻는, 토포그래피신호획득단계; 상기토포그래피신호획득단계후 상기캔틸레버와상기측정대상간을 Z 방향으로떨어뜨리는, 리프팅단계; 상기리프팅단계후 옵션신호를얻는, 옵션신호획득단계; 및상기측정대상및 상기캔틸레버중 적어도하나를 XY 방향으로이동시키는, 이동단계; 를포함하며, 상기토포그래피신호획득단계, 상기리프팅단계, 상기옵션신호획득단계및 상기이동단계가연속하여적어도 2회반복된다.
摘要翻译：本发明涉及到的原子力显微镜，其包括依次在每个拓扑的每个点处，有利于通过获得地形信号和在一个固定的我们的信号和任选的信号采集的方法，装置和该任选的信号从所述信号获得的图像的可靠性。示例性地形信号和用于测量根据示例对象表面的可选信号采集方法中，所述对象的表面的形貌信号以使用悬臂具有尖端（地形信号），并且在本发明的可选信号（选项信号）来测量这是一种方式来获得。地形信号获取步骤，在测量目标停止在预定位置的同时，使用悬臂在特定点处获得地形信号; 在地形信号采集步骤之后，将悬臂和测量对象在Z方向上下降的提升步骤; 在提升步骤之后获得选项信号; 并且在X方向和Y方向上移动待测量物体和悬臂中的至少一个; 其中地形信号采集步骤，提升步骤，选择信号采集步骤和移动步骤连续重复至少两次。

2. 发明公开

KR1020160104970A 켈빈 푸르브 현미경을 이용한 금 또는 실리콘 기판에 의한 DNA-나노입자 복합체 기반의 고감도 유전자 변이 검지방법 有权
标题翻译：通过KELVIN探针力显微镜检测纳米颗粒DNA核苷酸复合物和大肠杆菌基因的基因突变检测
公开(公告)号：KR1020160104970A
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：KR1020150027991
申请日：2015-02-27
申请人： 연세대학교 원주산학협력단
发明人： 이상우 , 이형빈 , 최범준 , 김민형 , 손명구 , 윤대성
IPC分类号： G01Q60/30 , C12Q1/68 , G01N33/574
CPC分类号： G01Q60/30 , C12Q1/6813 , C12Q1/6886 , G01N2033/57403 , G01N2800/365
摘要： 본발명은켈빈푸르브현미경(Kelvin probe force microscope, KPFM)을이용한금 또는실리콘기판에의한 DNA-나노입자복합체기반의고감도유전자변이검지방법에관한것으로서, 유전자변이검지를위해켈빈프루브현미경을이용한표면전위측정의최적화를위하여나노입자와기판의종류를한정한것으로탐침 DNA를금(Au) 나노입자에고정화시킨후 표적 DNA와혼성화(hybridization)시킨합성물을금(Au) 또는실리콘(Si) 기판위에뿌리고켈빈프루브현미경으로측정된표면전위face potential)로유전자의변이여부를 1개의염기변이수준에서식별하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用开尔文探针力显微镜（KPFM）通过Au或Si衬底的DNA纳米颗粒复合物的高灵敏度遗传突变检测方法，更具体地涉及一种将纳米颗粒和底物的种类限制于使用KPFM优化表面电位测量以检测基因的突变，并通过将探针DNA固定在纳米颗粒上来鉴定基因的突变，将与靶DNA杂交的化合物铺展在Au或Si衬底上，并使用由 KPFM。

3. 发明授权

KR102012577B1 나노-전자-기계적-시스템 프로브들을 제작하기 위한 방법들 및 시스템들 有权
公开(公告)号：KR102012577B1
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：KR1020177026597
申请日：2016-02-26
申请人： 살렌트, 엘엘씨
发明人： 앰폰사흐,콰메
IPC分类号： G01Q70/06 , G01Q60/30 , G01Q70/10 , G01Q70/14

4. 发明公开

KR1020150064095A 편극된 장치의 표면 포텐셜 측정 방법 审中-实审
标题翻译：用于测量极化装置表面电位的方法
公开(公告)号：KR1020150064095A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020157010136
申请日：2013-09-18
申请人： 유니베르시떼 드 레임스
发明人： 지로데,뤼이 , 베르쿠,니콜라에보그단 , 시모네띠,올리비에 , 니꼴라,쟝-뤼이 , 몰리나리,미카엘
IPC分类号： G01Q60/30
CPC分类号： G01Q30/20 , G01B11/30 , G01Q60/30
摘要： 본발명은편극된샘플(2)의표면포텐셜을측정하는방법에관한것으로: - 압전구동기(5)로고유공진주파수에서활성화되는미세캔틸레버(4)에연결된뾰족한팁(3)으로샘플표면을스캔하여상기샘플(2)의형상프로파일(11)을측정하는단계; - 전단계에서얻어진샘플표면의형상프로파일(11)에대하여일정한간격(d)에상기뾰족한팁(3)을배치하는단계; - 상기표면의전기포텐셜(13)을측정하는단계;를포함하며, 상기방법은, 상기형상프로파일(11)의측정단계에서상기샘플(2)은편극되지않고포텐셜(13) 프로파일측정시 상기샘플(2)은편극되는것을특징으로한다.

5. 发明授权

KR101731615B1 켈빈 프루브 현미경을 이용한 DNA-나노입자 복합체 기반의 초고감도 고속 단일 내지 복수의 염기 변이 검지방법 有权
公开(公告)号：KR101731615B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020150028447
申请日：2015-02-27
申请人： 연세대학교 원주산학협력단
发明人： 이상우 , 이형빈 , 박인수 , 이원석 , 손명구 , 윤대성
IPC分类号： G01Q60/30 , C12Q1/68 , G01N33/574
摘要： 본발명은켈빈프루브현미경(Kelvin probe force microscope, KPFM)을이용한나노입자기반의초고감도고속단일내지다중유전자변이검지방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는탐침 DNA를나노입자에고정화시킨후 표적 DNA와혼성화(hybridization)시킨합성물을기판위에뿌리고켈빈프루브현미경으로측정된표면전위(surface potential)로유전자의변이여부를 1개의염기변이수준에서식별하는방법에관한것이다.

6. 发明公开

KR1020160106204A 첨두힘 탭핑 모드에서 동작하는 원자력 현미경을 이용한 전기적 특성 측정 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：使用激光打印模式进行AFM操作的电气性能测量方法和装置
公开(公告)号：KR1020160106204A
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020167023920
申请日：2013-06-24
申请人： 브루커 나노, 인코퍼레이션.
发明人： 리,춘젱 , 후,얀 , 마,지 , 헤,지안리 , 후앙,린 , 민네,스테펜,씨. , 미텔,헨리 , 왕,웨이지 , 후,쉬킹 , 수,찬민
IPC分类号： G01Q60/34 , G01Q60/30
CPC分类号： G01Q60/30 , G01Q60/34 , G01Q60/40
摘要： 단일패스또는이중패스동작중에원자력현미경(AFM)을이용하여토포그래피(topography), 기계적특성및 전기적특성데이터를수집하는기구및 방법. PFT 모드가선호되며이용되고이에따라넓은범위의프로브사용이허용되고, 이에따른하나의이익은전기적특성측정의감도를증가시키는것이다.

7. 发明公开

KR1020160023759A 캘빈 프루브 현미경을 이용한 나노입자 기반의 고감도 다중 유전자 돌연변이 검지방법 有权
标题翻译：使用KELVIN PROBE力显微镜进行基于纳米尺度的高敏感度多基因检测方法
公开(公告)号：KR1020160023759A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020160018283
申请日：2016-02-17
申请人： 연세대학교 원주산학협력단
发明人： 이형빈 , 이상원 , 이원석 , 이규도 , 남기환 , 윤대성
IPC分类号： C12Q1/68 , G01Q60/30
摘要： 본발명은캘빈프루브현미경을이용한나노입자기반의고감도다중유전자변이검지방법에관한것으로서, 더욱구체적으로는프루브 DNA를나노입자에고정화시킨후 검지DNA와혼성화(hybridization)시킨합성물을기판위에뿌리고캘빈프루브현미경으로측정된표면전하(surface potential)로유전자의변이여부를나노수준에서식별하는방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及使用开尔文探针力显微镜筛选基于纳米颗粒的过敏多遗传变异的方法。更具体地说，本发明涉及使用由开尔文探针力显微镜测定的表面电位在纳米尺度上鉴定遗传变异的方法，在将合成产物展开后，将合成产物固定在纳米粒子上，然后将其与要检测的DNA。

8. 发明授权

KR100771851B1 AFM CANTILEVER HAVING FET AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 无效
标题翻译：具有FET的AFM插座及其制造方法
公开(公告)号：KR100771851B1
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：KR20060068546
申请日：2006-07-21
申请人： KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY
发明人： SUH MOON SUHK , SHIN JIN KOOG , LEE CHURL SEUNG , LEE KYOUNG IL
IPC分类号： G01Q60/30 , G01Q60/38
CPC分类号： G01Q60/30 , G01Q60/38
摘要： A manufacturing method of an AFM(Atomic Force Microscopy) cantilever having a FET(Field Effect Transistor) is provided to easily perform simulation for manufacturing the AFM cantilever having the FET by finely controlling length of an effective channel, and to improve yield of a manufacturing process by using low cost photolithography equipment. A manufacturing method of an AFM cantilever having a FET comprises the steps of forming multilayer insulating film in an upper part of a substrate formed sequentially in an order of a first semiconductor substrate, interlayer insulating film and a second semiconductor substrate, sequentially etching the multilayer insulating film, injecting ions having different type from the second semiconductor substrate and forming a source/drain and a channel, etching the second semiconductor substrate and forming a probe(220) and a probe portion(210), forming the insulating film in a region except the probe and the probe portion, and forming a metal electrode in an upper part of a region of the source/drain and the channel, sequentially etching the multilayer insulating film, the second semiconductor substrate, the insulating film and the first semiconductor substrate, and forming a cantilever portion(230), and etching a rear surface of the first semiconductor substrate and forming a handling portion(240).
摘要翻译：提供具有FET（场效应晶体管）的AFM（原子力显微镜）悬臂的制造方法，以通过精细地控制有效通道的长度来容易地进行用于制造具有FET的AFM悬臂的模拟，并且提高制造的产量通过使用低成本光刻设备进行处理。具有FET的AFM悬臂的制造方法包括以下步骤：在第一半导体衬底，层间绝缘膜和第二半导体衬底的顺序依次形成的衬底的上部中形成多层绝缘膜，依次蚀刻多层绝缘体从所述第二半导体衬底注入具有不同类型的离子并形成源极/漏极和沟道，蚀刻所述第二半导体衬底并形成探针（220）和探针部分（210），所述绝缘膜在除了探针和探针部分，并且在源极/漏极和沟道的区域的上部形成金属电极，依次蚀刻多层绝缘膜，第二半导体衬底，绝缘膜和第一半导体衬底，以及形成悬臂部分（230），并蚀刻第一半导体衬底的后表面并形成处理口离子（240）。

9. 发明授权

KR102097351B1 다중 통합 팁들 스캐닝 프로브 현미경 有权
公开(公告)号：KR102097351B1
公开(公告)日：2020-04-06
申请号：KR1020197014496
申请日：2016-02-26
申请人： 살렌트, 엘엘씨
发明人： 앰폰사흐,콰메
IPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/04 , G01Q20/04 , G01Q30/02 , G01Q60/04 , G01Q60/30 , G01Q70/06

10. 发明公开

KR1020170132748A 다중 통합 팁들 스캐닝 프로브 현미경 审中-实审
标题翻译：多个集成提示扫描探针显微镜
公开(公告)号：KR1020170132748A
公开(公告)日：2017-12-04
申请号：KR1020177026596
申请日：2016-02-26
申请人： 살렌트, 엘엘씨
发明人： 앰폰사흐,콰메
IPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/04 , G01Q20/04 , G01Q30/02 , G01Q60/04 , G01Q60/30 , G01Q70/06
CPC分类号： G01Q20/02 , G01Q10/045 , G01Q20/04 , G01Q30/025 , G01Q60/04 , G01Q60/30 , G01Q70/06
摘要： 다중통합팁들스캐닝프로브현미경검사를사용하여샘플을특성화하기위한시스템및 장치. 다중통합팁들(MiT) 프로브들은둘 이상의모놀리스식으로통합되고서로 nm 내로위치하는가동 AFM 팁들이포함되고, 진공또는주변조건들에서전례없는마이크로에서나노스케일의프로빙기능이가능하다. 팁구조는신호증폭및 저잡음작동을위한접합전계효과트랜지스터(JFET)를구비한새로운통합및 감지능력및 레이저리스고해상도전기-인전기-아웃구동(laserless high-resolution electric-in electric-out actuation)을제공하는용량성콤브-드라이브들과결합된다. 이 "플랫폼-온-어-칩(platform-on-a-chip)" 접근법은레이저들, 나노-포지셔너들(nano-positioners) 및전자장치들과같은지원장비(supporting gear)의스택들(stacks)을사용하여기능화된단일팁들을기반으로하는현재기술에관한패러다임쉬프트(paradigm shift)입니다.
摘要翻译：多种集成技巧使用扫描探针显微镜来表征样品的系统和设备。它位于两个或更多个类型的整料内的多个集成尖端（MIT）的探针包括可动AFM针尖被集成彼此纳米，有可能探测纳米级的功能，在真空中或在环境条件微前所未有的。尖端结构包括一个新的集成和传感能力，具有用于信号放大和低噪声操作的结型场效应晶体管（JFET），以及无激光高分辨率电气in-electric-out驱动提供电容式梳齿驱动器。这种“片上平台”方法基于诸如激光器，纳米定位器和电子设备的支撑齿轮叠层。）是基于功能化单个提示的当前技术的范式转变。

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