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1. 发明授权

KR102367848B1 저 불소 함량을 갖는 텅스텐 박막의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102367848B1
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：KR1020170054421
申请日：2017-04-27
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/14 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 본발명은 WF6를이용한텅스텐 (W, tungsten) 박막의제조과정중에서, 박막내에 Fluorine의함량이낮게유지될수 있도록할 수있는텅스텐박막의제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는반응챔버내에텅스텐원료물질과함께공급되는제1 환원제와제2 환원제를차례로혹은교번적으로공급함으로써낮은 Fluorine 함유하는텅스텐박막을형성할수 있으며, 이러한방법을통해잔류불소(F)의농도가현저히낮은텅스텐박막을제조할수 있다.

2. 发明授权

KR102281464B1 금속들, 금속 산화물들, 및 유전체들의 선택적 퇴적 有权
公开(公告)号：KR102281464B1
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：KR1020150017636
申请日：2015-02-04
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/28 , C23C16/40 , C23C18/06 , C23C18/12 , B05D3/10
摘要： 기판의제 1 표면위에, 상기기판의다른표면인제 2 표면에대하여선택적으로물질을퇴적시키기위한방법들이제공된다. 상기선택적으로퇴적된물질은, 예를들면, 금속, 금속산화물, 또는유전물질일수 있다.

3. 发明公开

KR20210027507A 순수 금속 막의 증착 审中-公开
公开(公告)号：KR20210027507A
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR20217005949
申请日：2019-07-25
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06 , C23C16/14 , H01L21/285
摘要： 순수금속막들의증착을위한방법들및 장치가본 명세서에제공된다. 방법들은산소-함유전구체들의사용을수반한다. 금속들은몰리브덴 (Mo) 및텅스텐 (W) 을포함한다. 1 원자% 이하의산소를사용하여순수막들을증착하기위해, 환원제대 금속전구체비는 1보다상당히크다. 100 : 1 내지 10000 : 1의몰 비가일부실시예들에서사용될수도있다.

4. 发明公开

KR20210016946A 샤워헤드 및 이를 구비하는 기판 처리장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20210016946A
公开(公告)日：2021-02-17
申请号：KR20190095434
申请日：2019-08-06
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/44 , C23C16/52 , H01L21/67 , H01L43/12
摘要： 샤워헤드및 이를구비하는기판처리장치를개시한다. 기판처리장치는기판처리공정을수행하는공정챔버, 상기공정챔버의하부에배치되어처리대상기판을고정하는기판홀더, 상기공정챔버의상부에서상기기판의중앙부에대응하여위치하는중앙헤드와상기기판의주변부에대응하여위치하는주변헤드를구비하는샤워헤드, 상기중앙헤드와연결되어상기중앙부를처리하는제1 소스가스를전송하는제1 전송라인및 상기주변헤드와연결되어상기주변부를처리하는제2 소스가스를전송하는제2 전송라인을구비하는가스공급기및 상기중앙부보다상기주변부에대한기판처리를억제하도록상기제2 소스가스의유량비를제어하는유량제어기를포함한다. 평탄화공정에서파티클소스를줄일수 있다.

5. 发明公开

KR20200141522A 금속 필름들의 증착 审中-公开
公开(公告)号：KR20200141522A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：KR20207034955
申请日：2019-05-02
申请人： APPLIED MATERIALS INC
发明人： LEI YU , LEE SANG HYEOB , PABELICO CHRIS , XU YI , HA TAE HONG , TANG XIANMIN , PARK JIN HEE
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C28/00 , H01L21/285 , H01L21/768
摘要： 금속필름들을갖는전자디바이스들을제공하기위한장치들및 방법들이제공된다. 본개시내용의일부실시예들은코발트를포함하는금속필름으로충전되는라이너로서금속성텅스텐층을활용한다. 금속성텅스텐층은코발트에대한우수한접착력을가져서, 향상된코발트갭-필성능으로이어진다.

6. 发明公开

KR20200127442A 기체 혼합 플라즈마를 이용한 금속 박막의 원자층 증착 방법 및 이의 박막 증착 구조 审中-公开
公开(公告)号：KR20200127442A
公开(公告)日：2020-11-11
申请号：KR20190051538
申请日：2019-05-02
申请人： UNIV YONSEI IACF
发明人： KIM HYUNG JUN , SEO SEUNG GI , LEE YU JIN , YOON HWI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/14 , C23C16/18
摘要： 본발명에따르면, 기판에전구체를흡착시키고, 두종류이상의기체가혼합된반응체와전구체를환원반응시켜금속박막을불순물없이증착가능한기체혼합플라즈마를이용한금속박막의원자층증착방법및 이의박막증착구조가개시된다.

7. 发明授权

KR101989145B1 금속성 표면들 위에서의 금속성 막들의 선택적 형성 有权
公开(公告)号：KR101989145B1
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：KR1020187028599
申请日：2011-06-10
申请人： 에이에스엠 인터내셔널 엔.브이.
发明人： 하우카수비피. , 니스카넨안티 , 투오미넨마르코
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/14 , C23C16/455 , H01L21/768

8. 发明授权

KR101230995B1 절삭공구용 코팅층 有权
标题翻译：用于切割工具的涂层
公开(公告)号：KR101230995B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020110038445
申请日：2011-04-25
申请人： 한국야금 주식회사
发明人： 조성우 , 김한성 , 이동열 , 한대석 , 서영호 , 안선용 , 박동복
IPC分类号： C23C16/12 , C23C16/14 , B23B27/14
摘要： 본 발명은 모재 위에 CVD법으로 하부에서부터 MTCVD TiCN층, 결합층, 알루미나(Al
2 O
3 )층의 순으로 적층 형성한 절삭공구용 경질 코팅층으로, 고온에서의 내산화성이 개선되어 절삭공구의 성능과 수명을 크게 개선할 수 있는 새로운 구조의 경질 코팅층에 관한 것이다.
본 발명에 따른 경질 코팅층은 모재의 표면에 화학기상증착법(CVD)으로 형성되는 것으로서, 상기 모재의 상부에 형성되는 Al
x Ti
y Si
z Cr
w N (여기서, x+y+z+w=1, x≥0.75, y≥0.05, 0＜z≤0.06, 0≤w≤0.08)로 이루어지는 제 1 층과, 상기 제 1 층의 상부에 형성되는 알루미나층을 포함하며, 상기 알루미나층은 α상(phase)으로 이루어지며, 주상정(columnar crystal) 조직과 등축정(equiaxed cryatal) 조직이 혼합된 복합조직으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

9. 发明授权

KR101163277B1 성막 방법 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：薄膜沉积方法及处理基板的设备
公开(公告)号：KR101163277B1
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：KR1020097007662
申请日：2007-08-07
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 나루시마겐사쿠 , 아마노후미타카 , 와카바야시사토시
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C16/14 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/14 , C23C16/45512 , C23C16/4554 , C23C16/45542 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/76843
摘要： 저온 하에서도 양질의 Ti막을 포함하는 배리어층을 효율 좋게 형성할 수 있도록 하고, 그 Ti막과 하지의 계면 영역에 자기 정합적으로 TiSi
x 막을 형성할 수 있도록 한다.
TiSi
x 막(507)을 형성하는 공정에서는 티탄 화합물 가스를 처리실에 도입하여 티탄 화합물 가스를 Si 기판(502)의 Si 표면상에 흡착시키는 제 1 공정과, 티탄 화합물 가스의 처리실로의 도입을 정지하여, 처리실 내에 잔류하고 있는 티탄 화합물 가스를 제거하는 제 2 공정과, 수소 가스를 처리실에 도입하면서 처리실 내에 플라즈마를 생성하여, Si 표면에 흡착시킨 티탄 화합물 가스를 환원함과 동시에 Si 표면의 실리콘과 반응시켜 TiSi
x 막(507)을 형성하는 제 3 공정을 처리실에 아르곤 가스를 도입하지 않고 복수회 반복한다.

10. 发明公开

KR1020090115042A 반도체 디바이스 제조 방법 失效
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020090115042A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020090004577
申请日：2009-01-20
申请人： 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 가리야아츠시
IPC分类号： C23C16/14 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76876 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76877 , H01L21/76895 , H01L23/485
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing semiconductor devices is provided to improve a filling degree of a tungsten layer as well as productivity of semiconductor devices. CONSTITUTION: A method for manufacturing semiconductor devices comprises the following steps of: forming a hole on an insulating layer, which is arranged on the surface of a semiconductor substrate(S10); heating the semiconductor substrate in a reaction chamber at 330-400°C(S20); injecting one gas selected from tungsten-containing gas, B2H6 gas, and SiH4 gas into the reaction chamber; forming a first tungsten layer in the hole(S30); injecting H2 gas or inert gas into the reaction chamber; raising the temperature of the semiconductor substrate up to 370-410°C for 30 seconds(S40); and forming a second tungsten layer on the first tungsten layer(S50).
摘要翻译：目的：提供半导体器件的制造方法，以提高钨层的填充度以及半导体器件的生产率。构成：制造半导体器件的方法包括以下步骤：在布置在半导体衬底的表面上的绝缘层上形成孔（S10）; 在330-400℃下在反应室中加热半导体衬底（S20）; 将从含钨气体，B 2 H 6气体和SiH 4气体中选出的一种气体注入到反应室中; 在孔中形成第一钨层（S30）; 将H 2气体或惰性气体注入反应室; 将半导体衬底的温度升高到370-410℃30秒（S40）; 以及在所述第一钨层上形成第二钨层（S50）。

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