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1. 发明授权

KR102446762B1 광학 이방성막, 광학 필름, 편광판 및 화상 표시 장치 有权
公开(公告)号：KR102446762B1
公开(公告)日：2022-09-22
申请号：KR1020207022846
申请日：2019-02-14
IPC分类号： C09K19/02 , C09K19/04 , C08F2/50 , C08F20/38 , G02B5/30 , G02B1/04

2. 发明授权

KR102444525B1 중합성 조성물 및 그것을 사용한 광학 이방체 有权
公开(公告)号：KR102444525B1
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：KR1020177019455
申请日：2016-01-12
IPC分类号： C09K19/38 , C08F2/50 , C08F20/38 , G02F1/13363 , C09K19/54 , G02B5/30

3. 发明授权

KR102326722B1 화합물, 산 발생제, 중합체, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102326722B1
公开(公告)日：2021-11-15
申请号：KR1020170079186
申请日：2017-06-22
IPC分类号： C07C309/22 , C07C303/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/004 , C08F20/38 , G03F7/16 , G03F7/32
摘要： 식 (I) 로나타내는화합물. TIFF112017060042789-pat00142.tif25140 [식 (I) 중, Q1 및 Q2 는, 각각독립적으로, 불소원자또는탄소수 1 ∼ 6 의퍼플루오로알킬기를나타낸다. R1 및 R2 는, 각각독립적으로, 수소원자, 불소원자또는탄소수 1 ∼ 6 의퍼플루오로알킬기를나타낸다. z 는, 0 ∼ 6 중어느정수를나타내고, z 가 2 이상일때, 복수의 R1 및 R2 는서로동일해도되고상이해도된다. X1 은, *1-CO-O-, *1-O-CO-, -O-CO-O- 또는 -O- 를나타내고, *1 은, C(R1)(R2) 또는 C(Q1)(Q2) 와의결합부위를나타낸다. A1 은, 치환기를갖고있어도되는탄소수 2 ∼ 36 의 2 가의탄화수소기를나타내고, 그탄화수소기에포함되는 -CH2- 는, -O-, -S-, -CO- 또는 -SO2- 로치환되어있어도된다. X2 는, *2-CO-O-, -O-CO-O- 또는 -O- 를나타내고, *2 는, A1 과의결합부위를나타낸다. R3 및 R4 는, 각각독립적으로, 수소원자또는탄소수 1 ∼ 6 의 1 가의포화탄화수소기를나타낸다. X3 은, 식 (X3-1) ∼식 (X3-8) 중어느것으로나타내는기를나타낸다. TIFF112017060042789-pat00143.tif41146 (식 (X3-1) ∼식 (X3-8) 중, * 는, C(R3)(R4) 와의결합부위를나타낸다.) R5 는, 할로겐원자를가져도되는탄소수 1 ∼ 6 의알킬기, 수소원자또는할로겐원자를나타낸다. Z+ 는, 유기카티온을나타낸다.]

4. 发明授权

KR102319892B1 착색 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치 有权
公开(公告)号：KR102319892B1
公开(公告)日：2021-11-01
申请号：KR1020160038204
申请日：2016-03-30
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/028 , G03F7/00 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C08F220/32 , C08F20/38 , C08F218/12
摘要： 본발명은착색감광성수지, 이를포함하는컬러필터및 화상표시장치에관한것으로, 화학식 1로표시되는알칼리가용성수지(A-1); 및화학식 2로표시되는화합물(a1) 유래의반복단위, (a1) 및 (a3)와공중합가능한불포화결합을포함하는화합물(a2) 유래의반복단위, 불포화카르복실산(a3) 유래의반복단위를포함하는알칼리가용성수지(A-2)를 2:8 내지 8:2의중량비로포함하는것을특징으로하는착색감광성수지조성물, 이를포함하는컬러필터및 화상표시장치에관한것이다.

6. 发明授权

KR102018415B1 고분자 화합물 및 단량체 그리고 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR102018415B1
公开(公告)日：2019-09-04
申请号：KR1020160059527
申请日：2016-05-16
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 사게하시마사요시 , 하세가와고지 , 후쿠시마마사히로 , 하타케야마준 , 가타야마가즈히로
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/004 , G03F7/20 , C08F20/40 , C08F20/38 , C08L33/06

7. 发明授权

KR101940326B1 고분자 화합물의 제조 방법, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101940326B1
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：KR1020120132963
申请日：2012-11-22
申请人： 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
发明人： 시오노다이주 , 히라노도모유키 , 다자이다카히로
IPC分类号： C08F20/38 , C08F220/38 , G03F7/039 , H01L21/027

8. 发明授权

KR101920115B1 중합성 모노머, 고분자 화합물, 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101920115B1
公开(公告)日：2018-11-19
申请号：KR1020160083409
申请日：2016-07-01
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 하세가와고지 , 하타케야마쥰 , 아다치뎁페이
IPC分类号： C08F20/18 , G03F7/004 , G03F7/039 , C08F32/08 , C08F20/38 , C08F16/30
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C69/54 , C07C69/73 , C07C69/76 , C07C69/86 , C07C2601/08 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D307/00 , C08F116/10 , C08F116/14 , C08F116/36 , C08F124/00 , C08F128/06 , C08F220/18 , C08F220/30 , C08F2220/302 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/085 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/322 , G03F7/38
摘要： 본발명은종래의포지티브형레지스트재료를상회하는고해상도로, 라인엣지러프니스가작고, 노광후의패턴형상이양호하며, 더욱이우수한에칭내성을나타내는레지스트막을부여하는포지티브형레지스트재료, 특히화학증폭포지티브형레지스트재료의베이스수지로서적합한고분자화합물, 이것을이용한포지티브형레지스트재료, 상기고분자화합물을부여하는중합성모노머및 패턴형성방법을제공하는것을과제로한다. 상기과제는하기식 (1)로표시되는중합성모노머에의해해결된다.(식중, R은수소원자또는메틸기를나타낸다. R는수소원자또는 1가탄화수소기를나타낸다. R은수소원자, 시아노기, 니트로기, 또는탄소수 1~6의직쇄상, 분기상혹은환상의 1가탄화수소기를나타낸다. R는수소원자또는산불안정기를나타낸다. X은단결합; 에스테르기, 에테르기혹은락톤환을갖는탄소수 1~12의연결기; 페닐렌기; 또는나프틸렌기를나타낸다. m은 1~4의정수를나타낸다.)

9. 发明授权

KR101885995B1 단량체, 고분자 화합물, 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법 有权
公开(公告)号：KR101885995B1
公开(公告)日：2018-08-06
申请号：KR1020170047213
申请日：2017-04-12
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 후지와라다카유키
IPC分类号： C07C307/02 , C08F20/38 , C08F20/22 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/16 , G03F7/32 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0392 , C07C307/02 , C07C311/48 , C07C311/49 , C07C311/51 , C07C381/12 , C07C2601/14 , C07C2603/74 , C07D307/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , C08F2220/1866 , C08F2220/387 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/322 , G03F7/325 , G03F7/38 , C08F2220/282
摘要： [과제] 본발명은, ArF 엑시머레이저광, EB, EUV 등의고에너지선을광원으로한 포토리소그래피에있어서, 산확산이작고, 고감도또한고해상성이며, MEF, LWR이나 CDU 등의리소그래피성능의밸런스가우수하고, 또한상용성이우수하여디펙트가발현되기어려운화학증폭형레지스트조성물에사용되는단량체등을제공하는것을목적으로한다. [해결수단] 하기식 (1)로표시되는단량체.

10. 发明授权

KR101809297B1 술포늄염 및 고분자 화합물, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법, 및 이 고분자 화합물의 제조 방법 有权
标题翻译：锍盐和高分子化合物，抗蚀剂材料和图案形成方法，以及生产该高分子化合物的方法
公开(公告)号：KR101809297B1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020130152248
申请日：2013-12-09
申请人： 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
发明人： 오하시마사키 , 하타케야마쥰 , 아다치텟페이 , 후쿠시마마사히로
IPC分类号： C07D335/16 , G03F7/004 , C08F20/38 , G03F7/039 , G03F7/11 , C08F220/38 , C08F220/22 , G03F7/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/027 , C08F220/22 , C08F2220/382 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： 본발명은일반식 (1a)로표시되는술포늄염을제공한다.(R은 H, F, CH또는 CF을나타낸다. R∼R은수소원자, 또는헤테로원자로치환되어있어도좋고, 헤테로원자가개재해도좋은 1가탄화수소기를나타낸다. L은단결합, 또는헤테로원자로치환되어있어도좋고, 헤테로원자가개재해도좋은 2가탄화수소기를나타낸다. X는일부혹은모든수소원자가불소원자로치환되어있어도좋은 2가의알킬렌기를나타낸다. n은 0 또는 1을나타낸다.) 본발명의중합성음이온을갖는술포늄염은, 화학증폭형레지스트재료중의산불안정기를효율적으로절단할수 있어, 감방사선레지스트재료의베이스수지를제조하기위한단량체로서매우유용하다.
摘要翻译：本发明提供了由通式（1a）表示的锍盐。（R是H，F，表示CH或CF. R〜[R隐士的愿望在这里，杂原子或可被取代的，即使经由杂原子为好图1是一个烃基：L eundan键或杂原子可被取代，甚至经由杂原子表示了良好的第二烃。X表示的一部分或可被取代的所有氟原子好的二价亚烷基的氢原子的。1. 表示0或1），具有本发明的合成阴离子的锍盐是化学放大抗蚀剂材料可以做到这一点有效地通过的，作为单体是非常有用的酸不稳定基团切割用于生产辐射敏感的基体树脂的抗蚀剂材料我会的。

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