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1. 发明授权

KR102168966B1 유기 광촉매를 이용한 클로로트리플루오로메틸화 화합물의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102168966B1
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：KR1020180150865
申请日：2018-11-29
申请人： 창원대학교 산학협력단
发明人： 신동수 , 라오라가밴드 , 파틸칼페쉬투마두 , 장희재
IPC分类号： C07C17/26 , C07C17/42 , C07C22/08 , B01J35/00 , B01J19/08 , C07C41/22 , C07C41/30 , C07C43/174 , C07C43/12 , C07D209/42 , C07D209/82

2. 发明公开

KR1020160040541A 가교제 및 불소 함유 방향족 화합물 审中-实审
标题翻译：交联剂和含氟的芳族化合物
公开(公告)号：KR1020160040541A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：KR1020167002562
申请日：2014-07-30
申请人： 니찌아스 카부시키카이샤
发明人： 시미즈토모야 , 마에자와아유미 , 세키모토유리코 , 쿠자와나오야
IPC分类号： C08K5/03 , C08F14/18 , C08J3/24 , C08L27/12 , C08L23/16 , C09K3/10 , C07C22/08
CPC分类号： C08F259/08 , C07C22/08 , C07C43/29 , C08K5/03 , C09K3/1009 , F16J15/102 , C08L27/12
摘要： 하기식 (1)로나타내어지는화합물로이루어지는가교제.(식 (1) 중, R, R, R은각각독립적으로, 불소원자, 알킬기, 불화알킬기, 또는치환또는무치환의아릴기이다. 복수의 R은동일해도되고상이해도된다. 복수의 R는동일해도되고상이해도된다. 복수의 R은동일해도되고상이해도된다. 단, R, R, R중적어도하나는불소원자또는불소원자를포함하는기이다. m은 2∼6의정수이고, l은 0∼2의정수이다. 벤젠고리의수소는치환되어있어도된다.)
摘要翻译：交联剂包括由下式（1）表示的化合物。在式（1）中，R 1，R 2和R 3独立地为氟原子，烷基，氟代烷基或取代或未取代的芳基，多个R 1相同或不同，多个 R 2相同或不同，多个R 3相同或不同，条件是R 1，R 2和R 3中的至少一个为氟原子或含氟原子基团，m为 2至6，l为0至2的整数，苯环上的每个氢任选被取代基取代。

3. 发明公开

KR1020120129828A 화합물, 수지, 포토레지스트 조성물 및 포토레지스트 패턴의 제조방법 审中-实审
标题翻译：化合物，树脂，光电组合物和生产光电子图案的方法
公开(公告)号：KR1020120129828A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020120053099
申请日：2012-05-18
申请人： 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤
发明人： 이치카와고지 , 요시다이사오
IPC分类号： C07C22/08 , C07C69/618 , G03F7/004
CPC分类号： C07C22/08 , C07C69/618 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046
摘要： PURPOSE: A compound, resin and photoresist composition are provided to form photoresist patterns with improved durability against dry etching and excellent resolution, thereby being suitable for KrF excimer laser lithography, ArF excimer laser lithography, EUV light-exposure lithography and electron beam lithography. CONSTITUTION: A compound is represented by chemical formula 1. In chemical formula 1, T^1 is a single bond or C6-14 aromatic hydrocarbon group, L^1 is a C1-17 divalent saturated hydro carbon group, each of L^2 and L^3 is single bond or C1-6 divalent saturated hydro carbon group, each of ring W^1 and ring W^2 is C3-36 hydro carbon group. Each of R^1 and R^2 is hydrogen, a hydroxy group, or C1-C6 alkyl group, each R^3 and R^4 is hydroxyl group or C1-6 alkyl group, R^5 is a hydroxyl group or methyl group, m is 0 or 1, and each of t and u is an integer from 0-2. A resin comprises a unit structure derived from the compound. A photoresist composition comprises the resin, an acid generator, and a solvent.
摘要翻译：目的：提供化合物，树脂和光致抗蚀剂组合物以形成具有改进的抗干蚀刻耐久性和优异分辨率的光致抗蚀剂图案，从而适用于KrF准分子激光光刻，ArF准分子激光光刻，EUV曝光光刻和电子束光刻。化学式1化学式1中，T ^ 1为单键或C6-14芳烃基，L ^ 1为C1-17二价饱和烃基，L ^ 2为 L ^ 3为单键或C1-6二价饱和碳氢基，环W ^ 1和环W ^ 2各为C3-36碳氢基。 R 1和R 2中的每一个是氢，羟基或C 1 -C 6烷基，每个R 3和R 4是羟基或C 1-6烷基，R 5是羟基或甲基组，m为0或1，t和u分别为0-2的整数。树脂包含衍生自化合物的单元结构。光致抗蚀剂组合物包含树脂，酸产生剂和溶剂。

4. 发明公开

KR1020000048860A 마이너스 유전율 이방성을 갖는 액정 화합물, 액정 조성물 및액정 표시소자 无效
标题翻译：具有负极性的液晶化合物，液晶组合物和液晶显示装置
公开(公告)号：KR1020000048860A
公开(公告)日：2000-07-25
申请号：KR1019997002862
申请日：1997-10-01
申请人： 칫소가부시키가이샤
发明人： 마쓰이슈이치 , 안도쓰구미치 , 미야자와가즈토시 , 다케우치히로유키 , 다케시타후사유키 , 나카가와에쓰오
IPC分类号： C07C22/08
CPC分类号： C09K19/42 , C07C17/16 , C07C17/32 , C07C22/00 , C07C22/08 , C07C25/18 , C07C25/24 , C07C43/192 , C07C43/225 , C07C2601/14 , C07D309/04 , C07D309/06 , C07D319/06 , C07D335/02 , C07D339/08 , C09K19/3001 , C09K19/3028 , C09K19/3402 , C09K19/3491 , C09K2019/3027 , C09K2019/3422 , C07C23/18
摘要： PURPOSE: A novel liquid crystalline compounds is provided which shows negative and high dielectric anisotropic value (DELTA epsilon) and good miscibility with other liquid, crystalline compounds, as well as has good characteristics constituted by using the the liquid crystalline compounds. CONSTITUTION: Liquid crystalline compound is expressed by the general formula (1) whrein, R1 and R2 are alkyl group having from 1 to 10 C atom(s) etc., Z1 to Z4 are -(CH2)2- etc., A1 to A3 are 1,4-cyclohexylene etc., Q1 and Q2 are -CH2- etc., X is optionally haloalkyl or -CH2-, k, l, m and n is 0 or 1, l+k+m+n is less than 3.
摘要翻译：目的：提供一种新颖的液晶化合物，其显示负和高介电各向异性值（DELTAε）和与其它液体，结晶化合物的良好混溶性，以及具有使用液晶化合物构成的良好特性。构成：液晶化合物由通式（1）表示，R1和R2是具有1〜10个C原子的烷基等，Z1〜Z4为 - （CH2）2-等，A1〜 A3是1,4-亚环己基等，Q 1和Q 2是-CH 2 - 等，X是任选的卤代烷基或-CH 2 - ，k，l，m和n是0或1，l + k + m + n更少比3。

5. 发明公开

KR1019920702849A 부분적으로 플루오르화된 화합물 失效
标题翻译：部分氟化的化合物
公开(公告)号：KR1019920702849A
公开(公告)日：1992-10-28
申请号：KR1019910701200
申请日：1991-01-21
申请人： 메르크 파텐트 게엠베하
发明人： 엑케하르트바르트만 , 아이케포엣취 , 울리히휜켄젤러 , 베른하르트리이거 , 데트레프파울루트
IPC分类号： C07C22/08
摘要： 내용 없음

7. 发明授权

KR850000913B1 시클로헥실비페닐을 함유한 액정조성물 失效
公开(公告)号：KR850000913B1
公开(公告)日：1985-06-27
申请号：KR800002674
申请日：1980-07-05
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： EIDENSCHINK RUDOLF , KRAUSE JOACHIM , ERDMANN DIETRICH , POHL LUDWIG
IPC分类号： C07C13/28 , C07C1/00 , C07C1/22 , C07C17/00 , C07C17/18 , C07C17/32 , C07C22/08 , C07C41/00 , C07C43/21 , C07C43/225 , C07C49/792 , C07C67/00 , C07C69/017 , C07C69/035 , C07C69/63 , C09K19/14 , C09K19/30 , C09K19/42 , C09K19/44 , C09K19/54 , G02F1/13

8. 发明授权

KR850000469B1 시클로 헥실비페닐의 제조 방법 失效
公开(公告)号：KR850000469B1
公开(公告)日：1985-04-08
申请号：KR840004159
申请日：1984-07-14
申请人： MERCK PATENT GMBH
发明人： EIDENSCHINK RUDOLF , KRAUSE JOACHIM , ERDMANN DIETRICH , POHL LUDWIG
IPC分类号： C07C13/28 , C07C1/00 , C07C1/22 , C07C17/00 , C07C17/18 , C07C17/32 , C07C22/08 , C07C41/00 , C07C43/21 , C07C43/225 , C07C49/792 , C07C67/00 , C07C69/017 , C07C69/035 , C07C69/63 , C09K19/14 , C09K19/30 , C09K19/42 , C09K19/44 , C09K19/54 , G02F1/13

9. 发明公开

KR1020200136773A 불소알켄화합물 전구체, 상기 전구체 합성방법 및 상기 전구체를 이용한 불소알켄화합물 제조방법 有权
公开(公告)号：KR1020200136773A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：KR1020190062793
申请日：2019-05-28
申请人： 전남대학교산학협력단
发明人： 이선우
IPC分类号： C07C22/08 , B01J31/22 , B01J23/50
摘要： 본발명은불소알켄화합물의효율적합성기술에관한것으로, 보다구체적으로는다양한형태의불소알켄화합물을효율적으로합성할수 있는불소알켄화합물전구체, 상기전구체합성방법및 상기전구체를이용한불소알켄화합물제조방법에관한것이다.

10. 发明公开

KR20200125941A 핵 형성 억제 코팅 형성용 물질 및 이를 포함하는 장치 审中-公开
公开(公告)号：KR20200125941A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：KR20207025227
申请日：2019-02-01
申请人： OTI LUMIONICS INC
发明人： CHANG YI LU , WANG QI , GENIN SCOTT NICHOLAS , HELANDER MICHAEL , QIU JACKY , WANG ZHIBIN , LESSARD BENOIT H
IPC分类号： C09D7/63 , C07C15/28 , C07C22/08 , C07C43/205 , C09D5/24 , C09D201/00 , H01L33/44
摘要： 광전자장치는기판, 상기기판위에배치된제1 전극, 상기제1 전극위에배치된반도체층, 상기반도체층위에배치된제2 전극으로서, 제1 부분및 제2 부분을갖는제2 전극, 상기제2 전극의제1 부분위에배치된핵 형성억제코팅; 및상기제2 전극의제2 부분위에배치된전도성코팅;을포함하며, 상기핵 형성억제코팅은화학식 (I)의화합물이다 JPEGpct00121.jpg4878 (화학식 I).

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