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1. 发明授权

KR100382038B1 열안정성을 갖는 정전기방지제 失效
标题翻译： 열안정성을갖는정전기방지제
公开(公告)号：KR100382038B1
公开(公告)日：2003-08-19
申请号：KR1019970708566
申请日：1996-04-30
申请人： 캔리치 페트로체미칼스 주식회사
发明人： 살바토르제이.몬테
IPC分类号： C08K5/16 , C08K5/41
CPC分类号： C08K9/12 , C08K5/17 , C08K5/41 , Y10S524/912 , Y10S524/913
摘要： A process for rendering polymer compositions antistatic and the products of such process are described. The polymeric material is treated with a combination of selected trineoalkoxy amino zirconates and trineoalkoxy sulfonyl zirconates. These latter materials are soluble in the polyolefins, polyesters, polyamides, polyethers, polycarbonates, and polystyrenes and remain stable during the processing of these polymers. Furthermore, the antistatic agents of the invention are thermally stable to temperatures up to 825 DEG F., do not "bloom" during the polymer processing, and are colorless, permanent, non-blooming and non-moisture dependent.
摘要翻译：描述了一种使聚合物组合物抗静电的方法和这种方法的产物。用选定的三烷氧基氨基锆酸酯和三烷氧基磺酰基锆酸酯的组合处理聚合物材料。这些后面的材料可溶于聚烯烃，聚酯，聚酰胺，聚醚，聚碳酸酯和聚苯乙烯，并且在这些聚合物的加工期间保持稳定。此外，本发明的抗静电剂在高达825°F的温度下是热稳定的，不会“开花” 在聚合物加工期间，并且是无色的，永久性的，不起霜的和不依赖于水分的。

2. 发明授权

KR1019950008653B1 대전방지 조성물 失效
标题翻译：抗静电组合物
公开(公告)号：KR1019950008653B1
公开(公告)日：1995-08-04
申请号：KR1019870004540
申请日：1987-05-07
申请人： 켄리지페트로오케미칼즈인코포레이팃드
发明人： 제럴드수거먼 , 샐바토어죠오지프만티
IPC分类号： C09K3/16
CPC分类号： C08K5/41 , C08K5/00 , C08K5/0091 , C08K5/17 , Y10S524/911 , Y10S524/912 , C08L27/02
摘要： 내용 없음.

3. 发明公开

KR1020070100685A 광 처리 필름, 및 그의 제조 방법 및 용도 无效
标题翻译：光管理及其制备与使用
公开(公告)号：KR1020070100685A
公开(公告)日：2007-10-11
申请号：KR1020077007931
申请日：2005-09-01
申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.
发明人： 융청헤이 , 후유 , 카팔도케빈패트릭 , 허먼앤엘리자베스 , 장얀 , 치스홈브렛 , 스미겔스키폴 , 코일데니스조셉
IPC分类号： C08J5/18 , G02B5/28 , G02F1/13357
CPC分类号： G02B6/0065 , G02B6/0041 , G02B6/0051 , G02B6/0053 , Y10S524/91 , Y10S524/911 , Y10S524/912 , Y10T428/10 , Y10T428/1086 , Y10T428/31551 , Y10T428/31554 , Y10T428/31609
摘要： A light management film (1) includes a first layer (10) with a thermoplastic resin and a particular phosphonium sulfonate salt, and a second layer (20) formed from a curable composition and having a refractive index of at least 1.5. The light management film exhibits reduced static electricity build-up and reduced dust attraction, making it easier to handle during fabrication of display devices such as the flat panel displays of laptop computers.
摘要翻译：光管理膜（1）包括具有热塑性树脂的第一层（10）和特定的磺酸鏻盐，以及由可固化组合物形成并具有至少1.5的折射率的第二层（20）。光管理膜显示减少的静电积聚和减少的吸尘性，使得在诸如膝上型计算机的平板显示器的显示装置的制造期间更容易处理。

4. 发明公开

KR1020040098638A 열가소성 수지 조성물 및 외관 개선 방법 无效
标题翻译：热塑性树脂组合物和外观改进方法
公开(公告)号：KR1020040098638A
公开(公告)日：2004-11-20
申请号：KR1020047012229
申请日：2003-02-04
申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.
发明人： 사토아키히로 , 테오도루스람베르투스호크스
IPC分类号： C08K5/50 , C08K5/5337
CPC分类号： C08K5/50 , Y10S524/912
摘要： 본 발명은 먼지가 부착되는 경향이 보다 낮은 표면을 갖는 성형 제품을 제공하는 열가소성 수지 조성물 및 열가소성 성형 제품의 표면의 외관을 개선하는 방법에 관한 것이다.

5. 发明授权

KR101176669B1 정전기 방지제의 제조방법 有权
标题翻译：制造抗静电剂的方法
公开(公告)号：KR101176669B1
公开(公告)日：2012-08-23
申请号：KR1020067021182
申请日：2005-04-07
申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.
发明人： 혹스테오도루스람베르투스 , 린데르스치엘알베르투스 , 반데그람펠로버트덕
IPC分类号： C07F9/54 , C07C309/06 , C07C303/32 , C07C39/02
CPC分类号： C07C303/32 , C08K5/50 , Y10S524/912 , C07C309/06
摘要： 본 발명은 수성 매질 중에서 하기 화학식 2의 화합물을 하기 화학식 3의 화합물 화학양론적 과량과 혼합한 후, 상기 수성 매질로부터 하기 화학식 1의 포스포늄 설포네이트를 분리하는 것을 포함하는, 화학식 1의 포스포늄 설포네이트 염의 제조방법에 관한 것이다:
화학식 1

상기 식에서,
각각의 X는 독립적으로 할로겐 또는 수소이고, 이때 수소에 대한 할로겐의 몰비는 약 0.90 보다 크며;
p는 0 또는 1이고, q 및 r은 0 내지 약 7의 정수이고, 이때 q+r은 8 보다 작고, p가 0이 아닌 경우 r은 0 보다 크며;
각각의 R은 1 내지 약 18 개의 탄소 원자를 갖는 동일하거나 상이한 탄화수소 라디칼이다.
화학식 2

상기 식에서,
M은 Li 또는 Na이고;
X, q, p 및 r은 상기에서 정의한 바와 같다.
화학식 3
(R)
4 PZ
상기 식에서,
Z는 할로겐이고;
R은 상기에서 정의한 바와 같다.

6. 发明授权

KR1019950015027B1 정전기확산성 수지조성물 失效
标题翻译：静电扩散树脂组合物
公开(公告)号：KR1019950015027B1
公开(公告)日：1995-12-21
申请号：KR1019920003633
申请日：1992-03-05
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오꾸미쯔마사
IPC分类号： C08K3/00 , C08K7/02
CPC分类号： H01B1/24 , C08K3/017 , C08K7/08 , H01B1/20 , H01B1/22 , Y10S524/912
摘要： In the static dissipative resin composition of the present invention, fundamentally, at least semiconductor fillers are dispersed in a resin and at least a part of the semiconductor fillers are brought into electrical contact with each other, thereby forming a conductive path. The alpha value representing the degree of the nonlinearity of the V-i characteristics at the contact between the semiconductor fillers should be 2-150, and the volume resistivity of the semiconductor filler is desirably 10 -10 OMEGA .cm, whereby on the employment of a conductive filler or a solid lubricant together with the semiconductor filler, various physical properties of the resin composition are improved.

7. 发明授权

KR101024016B1 합성고분자 재료용 대전방지제, 그의 제조방법 및합성고분자 재료 조성물 有权
标题翻译：合成聚合物材料的抗静电剂，其制备方法和合成聚合物组合物
公开(公告)号：KR101024016B1
公开(公告)日：2011-03-29
申请号：KR1020040028040
申请日：2004-04-23
申请人： 다케모토 유시 가부시키 가이샤
发明人： 스즈키마사히로
IPC分类号： C09K3/16
CPC分类号： C08K5/50 , C08K5/0075 , C08K2201/017 , Y10S524/912
摘要： 본 발명의 과제는, 합성고분자 재료 본래의 색상이나 투명성을 떨어뜨리지 않고, 이 합성고분자 재료에 우수한 대전방지성을 부여할 수 있는 합성고분자 재료용 대전방지제, 그의 제조방법 및 이러한 합성고분자 재료용 대전방지제를 함유하는 합성고분자 재료 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결수단은, 합성고분자 재료용 대전방지제로서 특정의 유기 설포네이트 음이온과 유기 포스포늄 양이온으로 이루어진 설포네이트 포스포늄 염을 실질적 성분으로 하고, 알칼리 금속 이온 및/또는 알칼리 토금속 이온을 합계 0.1 내지 300 ppm 농도로 함유하여 이루어진 것을 사용한 것이다.

8. 发明公开

KR1020060135879A 정전기 방지제의 제조방법 有权
标题翻译：制造抗静电剂的方法
公开(公告)号：KR1020060135879A
公开(公告)日：2006-12-29
申请号：KR1020067021182
申请日：2005-04-07
申请人： 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이.
发明人： 혹스테오도루스람베르투스 , 린데르스치엘알베르투스 , 반데그람펠로버트덕
IPC分类号： C07F9/54 , C07C309/06 , C07C303/32 , C07C39/02
CPC分类号： C07C303/32 , C08K5/50 , Y10S524/912 , C07C309/06
摘要： A method for making the phosphonium sulfonate salt of generic formula (1): wherein each X is independently a halogen or hydrogen, provided that the molar ratio of halogen to hydrogen is greater than about 0.90; p is 0 or 1 and q and r are integers of 0 to about 7 provided that q+r is less than 8 and that if p is not zero then r is greater than zero; and each R is the same or different hydrocarbon radical containing 1 to about 18 carbon atoms, the method comprising combining in an aqueous medium a compound of generic formula (2): wherein M is Li or Na, and X, q, p, and r are as defined above, with a stoichiometric excess of a compound of the generic formula (3): wherein Z is a halogen and R is as defined above; and separating the product of formula (1) from the medium.
摘要翻译：制备通式（1）的鏻磺酸盐的方法：其中每个X独立地为卤素或氢，条件是卤素与氢的摩尔比大于约0.90; p为0或1，q和r为0至约7的整数，条件是q + r小于8，如果p不为零，则r大于零; 并且每个R是含有1至约18个碳原子的相同或不同的烃基，该方法包括在水性介质中混合通式（2）的化合物：其中M是Li或Na，X，q，p和化学计量过量的通式（3）的化合物：其中Z是卤素，R如上所定义; 和将式（1）的产物与介质分离。

9. 发明公开

KR1020050040685A 합성고분자 재료용 대전방지제, 그의 제조방법 및합성고분자 재료 조성물 有权
标题翻译：合成聚合物材料的抗静电剂，其制备方法和合成聚合物组合物
公开(公告)号：KR1020050040685A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020040028040
申请日：2004-04-23
申请人： 다케모토 유시 가부시키 가이샤
发明人： 스즈키마사히로
IPC分类号： C09K3/16
CPC分类号： C08K5/50 , C08K5/0075 , C08K2201/017 , Y10S524/912
摘要： 본 발명의 과제는, 합성고분자 재료 본래의 색상이나 투명성을 떨어뜨리지 않고, 이 합성고분자 재료에 우수한 대전방지성을 부여할 수 있는 합성고분자 재료용 대전방지제, 그의 제조방법 및 이러한 합성고분자 재료용 대전방지제를 함유하는 합성고분자 재료 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 해결수단은, 합성고분자 재료용 대전방지제로서 특정의 유기 설포네이트 음이온과 유기 포스포늄 양이온으로 이루어진 설포네이트 포스포늄 염을 실질적 성분으로 하고, 알칼리 금속 이온 및/또는 알칼리 토금속 이온을 합계 0.1 내지 300 ppm 농도로 함유하여 이루어진 것을 사용한 것이다.

10. 发明授权

KR100271429B1 대전 방지성 설포 중합체/바나듐 옥사이드 조성물 失效
标题翻译：氧化铝/氧化钒抗微生物组合物
公开(公告)号：KR100271429B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019940704423
申请日：1993-04-28
申请人： 쓰리엠 컴퍼니
发明人： 모리슨,에릭,디. , 보스턴,데이비드,알. , 헤드릭,스티븐,티. , 카우쉬,윌리엄,엘. , 라슨,웨인,케이. , 펑,시몬,에스.
IPC分类号： B32B27/18 , B32B27/06 , B32B27/08
CPC分类号： C09K3/16 , C09J7/20 , C09J7/38 , Y10S428/90 , Y10S524/91 , Y10S524/911 , Y10S524/912 , Y10T428/23986 , Y10T428/31504 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31786 , Y10T428/3179 , Y10T442/2467
摘要： Aqueous-based mixtures comprising colloidal vanadium oxide and a dispersed sulfonated polymer impart antistatic properties to coatings on a substrate and to self-supporting articles. The preferred colloidal vanadium oxide is alkoxide derived and provides mixed valence vanadium oxide wherein the vanadium ions are typically +4 and +5. Preferred sulfopolymers include sulfopolyesters, sulfopolyurethanes, sulfopolyurethanes/ureas, sulfopolyester polyols, and sulfopolyols. Antistatic composite structures comprising colloidal vanadium oxide and a sulfopolymer are also disclosed.

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