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1. 发明公开

KR1020010105454A ＳＥＴ 소자 제작 방법 失效
标题翻译：制造单电子隧道装置的方法
公开(公告)号：KR1020010105454A
公开(公告)日：2001-11-29
申请号：KR1020000024212
申请日：2000-05-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병만 , 이조원 , 김미영 , 김문경
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66439 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/7613 , Y10S438/927 , Y10S438/962 , Y10S438/979
摘要： SET 소자의 제작방법에 관해 개시된다. 개시된 SET 소자의 제작방법은, 절연기판 상에 소정 간격으로 이격된 소오스 전극과 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 수 nm 두께의 금속층을 형성하는 단계; 상기 소오스 전극과 드레인 전극에 소정 전압을 인가하여 상기 금속층의 금속원자/이온의 이동에 의해 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 퀀텀도트를 형성하는 단계;를 포함한다. 이러한 방법에 따르면, 상기와 같은 본 발명에 따르면, SET 소자를 제작함에 있어서, SAM 법이나 리소그래피법에 의존하지 않고 간단한 방법에 의해 퀀텀도트를 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, SET 소자는 물질에 대한 의존성이 없이 없으면서도 LSI 에 적용가능하게 된다. 뿐만 아니라, 퀀텀도트가 증착과 EM 과정에 의해 얻어지므로, 상기와 같은 잇점을 가지는 SET 소자를 대량 생산할 수 있게 된다.

2. 发明授权

KR100455279B1 ＳＥＴ 소자 제작 방법 失效
标题翻译： SET소자제작방법
公开(公告)号：KR100455279B1
公开(公告)日：2004-11-06
申请号：KR1020000024212
申请日：2000-05-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김병만 , 이조원 , 김미영 , 김문경
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66439 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/7613 , Y10S438/927 , Y10S438/962 , Y10S438/979
摘要： A method of fabricating a single electron tunneling (SET) device, the method including forming a source electrode and a drain electrode a predetermined distance apart from each other on an insulating substrate, forming a metal layer having a thickness on the order of nanometers between the source and drain electrodes, and forming quantum dots between the source and drain electrodes due to the movement of metal atoms/ions within the metal layer caused by applying a predetermined voltage to the source and drain electrodes. In the manufacture of an SET device, quantum dots can be formed by a simple method instead of an self assembled monolayer (SAM) method or lithographic methods. Thus, SET devices fabricated in this way have no material dependency, and are also applicable to large scale integration (LSI) structures. Also, since quantum dots are obtained by deposition and electromigration, SET devices having the above-described advantages can be mass-produced.
摘要翻译：一种制造单电子隧穿（SET）器件的方法，所述方法包括：在绝缘基板上以预定距离彼此分开形成源电极和漏电极;在所述第一电子隧穿（SET）器件和所述第二电子隧穿器件之间形成具有纳米级厚度的金属层; 源电极和漏电极，并且由于通过向源电极和漏电极施加预定电压而引起的金属层内的金属原子/离子的移动，在源电极与漏电极之间形成量子点。在SET装置的制造中，可以通过简单的方法而不是自组装单层（SAM）方法或光刻方法来形成量子点。因此，以这种方式制造的SET器件不具有材料依赖性，并且也适用于大规模集成（LSI）结构。而且，由于量子点通过沉积和电迁移获得，具有上述优点的SET器件可以大量生产。

3. 发明授权

KR100138851B1 광제어 공명투과 진동자 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：光控谐振隧道振荡器及其方法
公开(公告)号：KR100138851B1
公开(公告)日：1998-04-27
申请号：KR1019940027166
申请日：1994-10-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 추혜용 , 박병운
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , H01L31/0352 , Y10S438/979
摘要： 본 발명은 이중장벽 양자우물구조의 공핍층에 빛이 조사되면 빛의 세기에 따라 부저항, 직렬저항 그리고 정전용량이 변화하여 공명투과 진동자의 진동주파수가 변화하는 것을 이용하는 광제어 공명투과 진동자(Optical Controlled Resonant Tunneling Oscillator)의 동작원리 및 제작공정에 관한 것이다.
본 발명은 기존의 광전시스템에서 전기적 신호의 ON/OFF 에 따라 주파수를 변조하던 방식에 비하여, 입사광의 세기에 따라 주파수를 2 혹은 3단계 이상으로 변조가 용이하므로 시스템을 단순화 시킬 수 있으며, 공명투과의 고속성을 광으로 제어하므로 수십 혹은 수백기가의 신호처리를 가능하게 한다.

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