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1. 发明授权

KR100430114B1 층간 절연막 형성 방법 및 반도체 장치 失效
标题翻译： 층간절연막형성방법및반도체장치
公开(公告)号：KR100430114B1
公开(公告)日：2004-05-03
申请号：KR1020000013124
申请日：2000-03-15
申请人： 캐논 마케팅 저팬 가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 한도따이 프로세스 켄큐쇼
发明人： 마에다가즈오
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/76849 , C23C16/04 , C23C16/402 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02271 , H01L21/02304 , H01L21/02315 , H01L21/02362 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76819 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L2221/1047 , Y10S438/96
摘要： 본 발명은 층간 절연막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기판 상에 하지 절연막을 형성하는 단계와, TEOS(테트라에톡시 실란)와 상기 TEOS의 산화에 필요한 농도보다 낮은 제 1농도의 O
3 을 소오스 가스에 함유하는 화학 기상 증착법에 의해 상기 하지 절연막 상에 층간 절연막의 주(主)절연막인 다공성 SiO
2 막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 다공성 SiO
2 막은 상기 하지 절연막에 의해 일어나는 상기 SiO
2 막의 이상(異常) 성장을 이용하여 형성되고, 그 안에 많은 보이드(void)를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한 본 발명은 층간 절연막을 형성하는 다른 방법에 관한 것이다. 이 방법은 기판 상에 하지 절연막을 형성하는 단계와, 상기 하지 절연막에 Cl(염소) 플라즈마 처리를 수행하는 단계와, TEOS(테트라에톡시 실란)와 O
3 을 함유하는 소오스 가스를 사용하는 화학 기상 증착법으로 상기 하지 절연막 상에 다공성 SiO
2 막을 형성하는 단계를 포함한다.
摘要翻译：公开了一种形成层间绝缘膜的方法。该方法包括以下步骤：在要形成的物体（104）上形成下层绝缘膜（105）以及通过化学气相沉积在所述下层绝缘膜（105）上形成多孔SiO 2膜（106），所述化学气相沉积使用包含TEOS（四乙氧基硅烷）和O 3的源气体，其中O 3包含在源气体中，其中第一浓度低于而不是氧化TEOS所需的浓度。还公开了用于形成层间绝缘膜的替代方法。该方法包括以下步骤：在要形成的物体（304）上形成下层绝缘膜（305）对下面的绝缘膜（305）进行Cl（氯）等离子体处理; 以及通过采用包含TEOS（四乙氧基硅烷）和O 3的源气体的化学气相沉积在下伏绝缘膜（305）上形成多孔SiO 2膜（306）。＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

2. 发明公开

KR1020020026513A 다공질 층간절연막을 가지는 반도체 장치의 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件的制造
公开(公告)号：KR1020020026513A
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：KR1020020016132
申请日：2002-03-25
申请人： 세미콘덕터 테크놀로지 아카데믹 리서치 센터
发明人： 모리사키히로시 , 노자키신지
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C12Q1/6827 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02269 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , Y10S438/96 , C12Q2525/131 , C12Q2523/125 , C12Q2521/313 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: To obtain a semiconductor device whose adaptivity, heat resistance and process adaptivity to a wiring material are obtained by a method wherein a porous semiconductor oxide film is formed, in an atmosphere containing oxygen gas, on a semiconductor circuit element or its wiring pattern which is formed on a semiconductor substrate. CONSTITUTION: A silicon substrate 1 is set inside a chamber (a creation chamber) 21. After that, a porous semiconductor oxide film 5 is formed. In the chamber 21, silicon is used as an evaporation source 23, and a boron nitride(BN) boat 22 is used for a crucible 22a. When electricity is supplied to the BN boat 22, the silicon is heated so as to be evaporated. In order to obtain oxidized ultrafine particles, a mixed gas of O2 and Ar is used as an atmosphere gas. The evaporated silicon is grown as fine particles while it is colliding with the atmosphere gas. At the same time, while the silicon is being oxidized by O2, it is deposited as a porous silicon oxide ultrafine-particle film on the substrate 1 at a distance of 5 cm. The higher the temperature of the evaporation source 23 is, the larger the particle sizes of the ultrafine particles and the larger the molecular weight of the atmosphere gas is.
摘要翻译：目的：通过在半导体电路元件或其布线图案的半导体电路元件或其布线图案中，通过在含氧气体的气氛中形成多孔半导体氧化膜的方法获得对布线材料的适应性，耐热性和工艺适应性的半导体器件，形成在半导体衬底上。构成：将硅衬底1放置在室（创建室）21内。之后，形成多孔半导体氧化膜5。在室21中，硅用作蒸发源23，氮化硼（BN）舟22用于坩埚22a。当向BN舟皿22供电时，将硅加热以便蒸发。为了获得氧化的超微粒子，使用O 2和Ar的混合气体作为气氛气体。蒸发的硅在与气氛气体碰撞时生长为细颗粒。同时，当硅被O 2氧化时，其在5cm的距离上作为多孔氧化硅超微粒子膜沉积在衬底1上。蒸发源23的温度越高，超细颗粒的粒径越大，气氛气体的分子量越大。

3. 发明公开

KR1020010049308A 복합부재의 분리방법 및 박막제작방법 失效
标题翻译：复合材料的分离方法和薄膜的制造
公开(公告)号：KR1020010049308A
公开(公告)日：2001-06-15
申请号：KR1020000023065
申请日：2000-04-29
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 오미카즈아키 , 나카가와카쯔미 , 사토노부히코 , 사카구찌키요후미 , 야나기타카즈타카 , 요네하라타카오
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76259 , Y10S438/96
摘要： PURPOSE: A separation method of a composite member is provided to generate cracks at all times at a fixed position in separation layer by forming a stress concentration layer, in which internal stress to an extent where separation is not generated as the internal stress is left as it is, into the separation, increasing internal stress and preventing the generation of the cracks in the stress concentration layer. CONSTITUTION: A separation layer(12), such as porous single-crystal silicon, is formed on the surface of the first base body such as a silicon wafer. Stress is generated concentrically at a position, where a crack must be generated by working a porous layer, and a stress concentration layer(16) is formed. A nonporous layer(a thin-film)(13), such as nonporous single crystal silicon is formed on the layer surface of the porous layer, in which internal stress is generated, by CVD or the like. Separation energy is given to a multilayer structure(1) from the outside, and internal stress generated is increased. The cranks are generated at positions, where stress is generated concentrically, a stress concentrating layer(16), because the separation energy is energy sufficient for surpassing the breakdown stress of the separation layer, and the composite member is separated into two.
摘要翻译：目的：提供一种复合构件的分离方法，通过形成应力集中层，在分离层的固定位置处始终产生裂纹，其中内应力在内应力留下时不产生分离的程度进入分离，增加内部应力并防止应力集中层中的裂纹的产生。构成：在诸如硅晶片的第一基体的表面上形成诸如多孔单晶硅的分离层（12）。应力同心地产生在通过加工多孔层而产生裂纹的位置，形成应力集中层（16）。通过CVD等在多孔层的产生内应力的层表面上形成无孔单晶硅等无孔层（薄膜）（13）。从外部向多层结构（1）分配能量，并且产生的内部应力增加。由于分离能量足以超过分离层的击穿应力，因此在同心产生应力的应力集中层（16）的位置处产生曲柄，并且将复合构件分成两部分。

4. 发明授权

KR1019970007108B1 2중 확산을 이용한 실리콘 미세구조의 스톱퍼 제조방법 失效
标题翻译：利用双扩散制造硅微结构塞的方法
公开(公告)号：KR1019970007108B1
公开(公告)日：1997-05-02
申请号：KR1019930023136
申请日：1993-11-02
申请人： 대한민국경북대학교센서기술연구소 , 만도기계 주식회사
发明人： 이종현
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B81B3/0051 , B81C1/00595 , B81C2201/0136 , Y10S438/96
摘要： A method of fabricating a fine structured silicon stopper using double diffusion includes an oxidation step of growing an oxide layer 2 on an n-type substrate 1, a first diffusion step of forming a window in the oxide layer and forming two separate first n+ diffusion regions 3 through the first selective diffusion according to impurity implantation, a second diffusion step of removing the oxide layer, defining the region between the two first diffusion regions with an oxide layer 2" and performing the second selective diffusion to form a second n+ diffusion region 4 for a stopper, having a depth of 0.5-5 m, an epitaxial layer growing step of removing the oxide layer 2" and growing an n-type epitaxial layer 5 on the overall surface of the substrate, an anode reaction step of selectively etching the n-type epitaxial layer, leaving only a bridge-type fine structure, to expose the n+ diffusion region and carrying out anode reaction to make the first and second n+ diffusion regions 3 and 4 into a porous silicon layer 6, and an etching step of etching the porous silicon layer using an etchant to form the fine structure.
摘要翻译：使用双扩散制造精细结构硅塞的方法包括在n型基板1上生长氧化物层2的氧化步骤，在氧化物层中形成窗口并形成两个单独的第一n +扩散区域的第一扩散步骤 3，通过根据杂质注入的第一选择性扩散，第二扩散步骤，去除氧化物层，在氧化物层2“之间限定两个第一扩散区域之间的区域，并执行第二选择扩散以形成第二n +扩散区域4 对于深度为0.5-5μm的塞子，除去氧化物层2的外延层生长步骤和在基板的整个表面上生长n型外延层5的阳极反应步骤，选择性地蚀刻 n型外延层，仅留下桥型精细结构，露出n +扩散区域并进行阳极反应，以使第一和第二n +扩散区域3和4 进入多孔硅层6，以及使用蚀刻剂蚀刻多孔硅层以形成精细结构的蚀刻步骤。

5. 发明授权

KR1019960006687B1 반도체기판의 제조방법 失效
标题翻译：半导体衬底的制造方法
公开(公告)号：KR1019960006687B1
公开(公告)日：1996-05-22
申请号：KR1019920008706
申请日：1992-05-22
申请人： 캐논 가부시끼가이샤
发明人： 사카구치키요후미 , 요네하라타카오
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76256 , H01L21/0203 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/2007 , H01L21/76245 , H01L21/76251 , Y10S438/96 , Y10S438/977
摘要： 내용 없음

6. 发明授权

KR100590386B1 반도체 소자의 금속배선 형성 방법 有权
标题翻译：形成半导体器件金属线的方法
公开(公告)号：KR100590386B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040027106
申请日：2004-04-20
申请人： 매그나칩 반도체 유한회사
发明人： 조일현
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/76814 , Y10S438/96
摘要： 다공성 유전막을 금속배선간 절연막으로 이용하는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서, 기공에 의해 상기 다공성 유전막 상에 확산방지막이 불량하게 형성되는 것을 방지할 수 있는 방법을 제공한다. 이 방법은, 반도체 기판 상에 금속배선간 절연막으로서 다공성 유전막을 형성하고, 상기 다공성 유전막을 선택적으로 식각하여 금속배선 영역을 정의하는 개구부를 형성한다. 상기 개구부의 측벽에 노출된 상기 다공성 유전막의 기공들에 막음입자들(sealing particles)을 침투시키고, 상기 막음 입자들을 뭉치기 위한 열처리를 실시하여 상기 개구부 측벽에 노출된 상기 다공성 유전막의 기공들의 입구를 막는다. 상기 개구부의 저면 및 측벽 상에 확산방지막을 형성하고, 상기 확산방지막 상에 금속막을 형성한다. 이후, 상기 다공성 유전막의 표면이 노출될 때까지 상기 금속막 및 상기 확산방지막을 연마하여 상기 개구부 내에 금속배선을 형성한다.
반도체 소자, 금속배선, 다공성 유전막, 기공, 막음

7. 发明公开

KR1020040040911A 반도체소자의 다공성 물질막을 형성하는 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件多孔材料层的方法
公开(公告)号：KR1020040040911A
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：KR1020020069262
申请日：2002-11-08
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김진성 , 김영남 , 정현담 , 이선영
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02129 , H01L21/02131 , H01L21/02271 , H01L21/02337 , H01L21/02348 , H01L21/3105 , H01L21/31625 , H01L21/7682 , H01L2221/1047 , Y10S438/96
摘要： PURPOSE: A method for forming a porous material layer of a semiconductor device is provided to be capable of originally preventing the generation of carbon residues and generating porosities in an impurity containing inorganic material layer. CONSTITUTION: A predetermined material layer is formed on a substrate(31). At this time, the predetermined material layer contains predetermined impurities to react with H2O molecules. A plurality of porosities are generated in the predetermined material layer by heating the resultant structure using vapor under a high pressure(37). Preferably, an insulating layer is used as the predetermined material layer. Preferably, the insulating layer is made of one selected from a group consisting of the first BPSG layer, the first BSG layer, the second BPSG containing PSG and fluorine atoms, or the second BSG layer containing fluorine atoms. Preferably, the predetermined impurities are boron atoms or phosphor atoms.
摘要翻译：目的：提供一种形成半导体器件的多孔材料层的方法，其能够最初能够防止在含杂质的无机材料层中产生碳残留物并产生孔隙率。构成：在基板（31）上形成预定的材料层。此时，预定的材料层含有与H 2 O分子反应的预定杂质。通过在高压下使用蒸气（37）加热所得到的结构，在预定材料层中产生多个孔隙率。优选地，使用绝缘层作为预定的材料层。优选地，绝缘层由选自由第一BPSG层，第一BSG层，含有PSG和氟原子的第二BPSG或含有氟原子的第二BSG层组成的组构成。优选地，预定的杂质是硼原子或磷原子。

8. 发明公开

KR1020010095253A 유전 상수가 극도로 낮은 화학 제형을 위한 이온 첨가제 失效
标题翻译：用于形成薄膜的离子添加剂，其电介质常数极低
公开(公告)号：KR1020010095253A
公开(公告)日：2001-11-03
申请号：KR1020010017565
申请日：2001-04-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 , 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 맨달,로버트피. , 데모스,알렉스 , 웨이드만,티모시 , 놀트,마이클피. , 베키아리스,니콜라오스 , 웨이겔,스코트제프리 , 세네칼,리에이. , 맥도갈,제임스이. , 트리디남,하리쉬
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02126 , C01B33/16 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/31695 , Y10S438/96 , Y10T428/249953 , Y10T428/249969
摘要： PURPOSE: A method for forming a dielectric layer on a substrate is provided to deposit a porous silicon oxide thin film by using a sol-gel approximation method including non-ionic surfactant and additive. CONSTITUTION: A substrate is coated by using a solution including a soluble silicon oxide source, water, solvent, non-ionic surfactant, ion additive and an acid catalyst. The coated substrate is processed so that the solution is hardened to a porous silicon oxide thin film. The non-ionic surfactant is refined to eliminate alkali metallic impurities, including arbitrary alkali metal of 50 parts per billion(ppb) or lower.
摘要翻译：目的：提供一种在基板上形成电介质层的方法，通过使用包括非离子表面活性剂和添加剂的溶胶 - 凝胶近似法沉积多孔氧化硅薄膜。构成：通过使用包括可溶性氧化硅源，水，溶剂，非离子表面活性剂，离子添加剂和酸催化剂的溶液涂覆基底。处理涂覆的基底，使溶液硬化成多孔氧化硅薄膜。非离子表面活性剂被精制以除去碱金属杂质，包括任何50亿份（ppb）或更低的碱金属。

9. 发明授权

KR100304713B1 부분적인 ＳＯＩ 구조를 갖는 반도체소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：具有准SOI结构的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR100304713B1
公开(公告)日：2001-11-02
申请号：KR1019990043988
申请日：1999-10-12
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 배금종
IPC分类号： H01L21/34
CPC分类号： H01L21/76264 , Y10S438/96
摘要： 본발명의부분적인 SOI 구조를갖는반도체소자는하부실리콘기판과, 상기하부실리콘기판에형성된역 T 모양의홀에매몰된분리절연층에의하여상기하부실리콘기판과전기적으로분리된상부실리콘패턴을포함한다. 상기상부실리콘패턴상에는게이트절연막및 게이트전극이형성되어있고, 상기게이트전극의양측벽하부의상부실리콘패턴에는소오스및 드레인영역과그 사이의채널영역이형성되어있다. 그리고, 상기채널영역의하부에는실리콘층또는다공성실리콘층이형성되어상기하부실리콘기판과상부실리콘패턴을전기적으로부분콘택한다. 이렇게되면, 본발명은별도의설계변경없이일반적인반도체소자와동일한바디콘택을가능하게할 수있다.

10. 发明公开

KR1020010051010A 반도체 디바이스 제조 방법 无效
标题翻译：半导体元件的制造方法
公开(公告)号：KR1020010051010A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000060219
申请日：2000-10-13
申请人： 소니 주식회사
发明人： 마쓰시타다케시 , 미즈노시니치
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S438/96
摘要： PURPOSE: To offer the manufacture of semiconductor elements, especially of solar cells, which can form desired electrode patterns by simple processes at a low cost. CONSTITUTION: An electrode pattern is formed by such method that, after p-type semiconductor layers 3 and 4 are formed on a silicon substrate 1 and an n-type semiconductor layer 5 is formed on the p-type semiconductor layer, the n-type semiconductor layer is removed with a predetermined pattern by using laser abrasion so as to expose the p-type semiconductor layer.
摘要翻译：目的：提供半导体元件，特别是太阳能电池的制造，可以通过简单的工艺以低成本形成所需的电极图案。构成：通过以下方式形成电极图案：在p型半导体层3和4形成在硅衬底1上并且在p型半导体层上形成n型半导体层5之后，n型通过使用激光磨损以预定图案去除半导体层以露出p型半导体层。

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