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热词
    • 3. 发明公开
    • 동기식 정류기 제어를 사용하여 출력 전력을 조정하는 디바이스, 시스템 및 방법
    • 使用同步整流器控制来调整输出功率的装置系统和方法
    • KR20180034411A
    • 2018-04-04
    • KR20187001870
    • 2016-07-12
    • H02J50/12H02J50/80H02M1/00H02M3/335H02M7/48H04B5/00
    • H02J50/12H02J7/025H02J50/80H02M3/33592H02M7/219H02M7/48H02M2001/0058H02M2007/4818H04B5/0037Y02B70/1433Y02B70/1441Y02B70/1475Y02B70/1491
    • 일양태에서, 전력을무선수신하기위한장치는부하에전력을공급하거나또는부하를충전하기에충분한자기장을통해무선전력을수신하도록구성된수신회로를포함한다. 장치는수신회로에커플링되고, 출력전력레벨을제 1 출력전력레벨로조정하기위해수신회로를공진주파수로부터멀어지게디튜닝하도록구성된, 가변리액티브엘리먼트를포함하는튜닝회로를더 포함한다. 장치는스위치를포함하고, 수신회로에커플링되고, 교류신호를부하에전력을공급하기위한직류신호로정류하도록구성된정류기를포함한다. 장치는, 스위치를통과하는전류가제 1 비-제로전류값을만족할때 스위치를작동시키고, 제 1 비-제로전류값을제 2 비-제로값으로조정하여제 1 출력전력레벨을제 2 출력전력레벨로조정하도록구성된구동회로를포함한다.
    • 在一个方面,一种用于无线接收功率的装置包括接收电路,该接收电路被配置为经由足以给负载供电或充电的磁场接收无线功率。 该装置进一步包括调谐电路,该调谐电路包括可变电抗元件,该可变电抗元件耦合到接收电路,并且被配置为将接收电路解调离开谐振频率以将输出功率电平调整到第一输出功率电平。 该装置包括整流器,该整流器包括耦合到接收电路并被配置为将交流电整流为直流电以向负载供电的开关。 该装置包括驱动电路,该驱动电路被配置成当通过开关的电流满足第一非零电流值时启动开关并且将第一非零电流值调整为第二非零值以将第一输出功率电平调整为 第二输出功率水平。
    • 5. 发明公开
    • 일차측 제어를 위한 플라이백 변압기를 통한 정보 교환
    • 信息交换通过用于主控制的变频器
    • KR1020160024775A
    • 2016-03-07
    • KR1020150117502
    • 2015-08-20
    • 인피니언 테크놀로지스 오스트리아 아게
    • 디보이제럴드
    • H02M3/335
    • H02M3/33592H02M3/33523H02M2001/0009H02M2001/0012Y02B70/1475
    • 일차권선및 이차권선을갖는변압기와, 일차권선에커플링된일차측과, 이차권선에커플링된이차측을포함하는전력회로가기술된다. 일차측은일차측에서의일차전압또는일차전류에적어도부분적으로기반하여스위치온 또는스위치오프하도록구성된일차소자를포함한다. 이차측은이차소자와, 일차측으로부터격리된이차로직을포함한다. 이차로직은, 전력회로에커플링된부하의양에대한변화를검출하고, 부하의양에대한변화를검출하는것에응답하여, 변압기를통해일차측으로부터이차측으로전달되는일차측에너지의양을제어하기위해변압기를통해이차측으로부터일차측으로이차측에너지를전달하는이차소자를제어하도록구성된다.
    • 描述了一种电源电路,其包括具有初级绕组和次级绕组的变压器,耦合到初级绕组的初级侧和耦合到次级绕组的次级侧。 初级侧包括被配置为基于初级侧的初级电压或初级电流的至少一部分接通或关断的主要元件。 次级侧包括与初级侧隔离的次级元件和次级逻辑。 辅助逻辑被配置为检测耦合到电力电路的负载量的变化,并且响应于检测到负载量的变化,以控制次级元件经由变压器将次级侧能量从 次级侧到初级侧通过变压器控制一次侧能量从初级侧传递到次级侧的量。
    • 6. 发明公开
    • DC/DC 컨버터 및 방법
    • DC / DC转换器和方法
    • KR1020150095190A
    • 2015-08-20
    • KR1020150017382
    • 2015-02-04
    • 팔로 알토 리서치 센터 인코포레이티드
    • 데이비드이.슈바르츠
    • H02M3/158H02M3/28
    • H02M1/083H02M1/44H02M3/33507H02M3/33592H02M3/3376H02M2001/0058Y02B70/1433Y02B70/1475Y02B70/1491H02M3/1588H02M3/28
    • DC/DC 컨버터는 DC 입력 전압을 수용하는 인버터, DC 출력 전압을 생성하는 정류기, 공진 탱크 및 제어기를 갖는다. 인버터는 제1 및 제2 스위치를 가지며, 정류기도 마찬가지다. 공진 탱크는 인버터와 정류기 사이에 연결된다. 제어기는, 무전압 스위칭이 각 스위치에 대하여 각각 스위치 전이(transition)로서 발생하도록, 상기 4개 스위치 각각의 위상과 듀티 사이클(duty cycle)을 독립적으로 제어하고 조정하도록 구성된다. 제어기는 DC 입력 전압, 타깃 출력 전압 및 타깃 출력 전류와 같은 입력 파라미터를 활용하여 상기 4개 스위치 각각의 적절한 위상과 듀티 사이클을 결정한다. 무전압 스위칭은 상기 4개 스위치 각각에 대하여, 각 스위치가 전이하고 있고 스위치에 걸친 전압이 실질적으로 0일 때 발생한다.
    • DC / DC转换器包括存储DC输入电压的逆变器; 整流器产生DC输出电压; 一个共鸣的坦克 和控制器。 逆变器具有第一和第二开关,以及整流器。 谐振槽连接在逆变器和整流器之间。 控制器形成为独立地控制和调整四个开关的每个相位和占空比,用于在每个开关转换时为每个开关引起零电压开关。 控制器使用输入参数,如直流输入电压,目标输出电压和目标输出电流,以确定四个开关中每一个的最佳相位和占空比。 发生零电压切换,当每个开关转换时,四个开关中的每个开关上的开关上的电压基本为零。
    • 7. 发明授权
    • 스위칭 컨버터 및 이를 이용한 AC어댑터
    • 切换转换器和AC适配器
    • KR101408600B1
    • 2014-06-17
    • KR1020130008535
    • 2013-01-25
    • 삼성전기주식회사
    • 공정철김종록조환
    • H02M3/28
    • H02M3/33592Y02B70/1475
    • Disclosed is a switching converter comprising: a transformer (T) inducing primary side energy into a secondary side not to overlap a turn-on section of a primary side switch (SW) with a turn-on section of a secondary side synchronous rectifying switch (SR SW); a switch (SW) connected to a primary coil of the transformer (T) for switching primary side voltage; a synchronous rectifier (SR) connected to a secondary coil of the transformer (T) for rectifying the secondary side voltage; and a delay locked loop connected between the secondary coil and the synchronous rectifier (SR), wherein the delay locked loop generates a signal synchronized with a turn-on control signal of the switch (SW) and outputs the synchronized signal to the synchronous rectifier (SR) to control the turn-off operation of the synchronous rectifier (SR).
    • 公开了一种开关转换器,包括:变压器(T),其将初级侧能量引入次级侧,不与次级侧同步整流开关(SW)的导通部分重叠初级侧开关(SW)的导通部分 SR SW); 连接到变压器(T)的初级线圈的开关(SW),用于切换初级侧电压; 连接到变压器(T)的次级线圈的同步整流器(SR),用于整流次级侧电压; 以及连接在次级线圈和同步整流器(SR)之间的延迟锁定环路,其中延迟锁定环路产生与开关(SW)的接通控制信号同步的信号,并将同步信号输出到同步整流器 SR)来控制同步整流器(SR)的关断操作。
    • 9. 发明公开
    • 표시 장치 및 그 구동 방법
    • 显示装置及其使用方法
    • KR1020130082016A
    • 2013-07-18
    • KR1020120003182
    • 2012-01-10
    • 삼성전자주식회사
    • 조은일이강현양준현
    • G09G3/30
    • G09G5/001G09G3/32G09G3/3225G09G2330/021G09G2330/028H02M3/33592H02M2001/0058H05B33/0815H05B33/0818H05B33/0896Y02B20/346Y02B70/1475Y02B70/1491
    • PURPOSE: A display device and a driving method thereof are provided to improve efficiency of the entire power circuit through a direct current to direct current (DC-DC) modularization concept. CONSTITUTION: A power supply part (152-1) supplies a converted DC voltage. A switch part (152-2) is connected with the power supply part in series and performs a switching operation according to different switching signals. A transformer part (152-3) converts a voltage applied to a primary winding into a secondary winding voltage according to the switching operation of the switch part. A synchronous rectification part (152-4) performs synchronous rectification for the voltage induced at the secondary winding. An output part (152-5) outputs the rectified DC voltage. [Reference numerals] (152-1) Power supply part; (152-2) Switch part; (152-3) Transformer part; (152-4) Synchronous rectification part; (152-5) Output part
    • 目的:提供一种显示装置及其驱动方法,以通过直流到直流(DC-DC)模块化概念提高整个电源电路的效率。 构成:电源部分(152-1)提供转换后的直流电压。 开关部(152-2)与电源部串联连接,根据不同的开关信号进行开关动作。 变压器部分(152-3)根据开关部分的切换操作将施加到初级绕组的电压转换成次级绕组电压。 同步整流部(152-4)对次级绕组感应的电压进行同步整流。 输出部(152-5)输出整流后的直流电压。 (附图标记)(152-1)供电部; (152-2)开关部件; (152-3)变压器零件; (152-4)同步整流部分; (152-5)输出部分
    • 10. 发明公开
    • 화합물 반도체 장치 및 그 제조 방법
    • 化合物半导体器件及其制造方法
    • KR1020130034585A
    • 2013-04-05
    • KR1020120095445
    • 2012-08-30
    • 후지쯔 가부시끼가이샤
    • 이마니시겐지
    • H01L29/778H01L21/335
    • H03F1/3247H01L29/1066H01L29/2003H01L29/66462H01L29/7787H02M3/33592Y02B70/1475
    • PURPOSE: A compound semiconductor device and a method for manufacturing the same are provided to secure a normally-off operation by using a hole barrier layer. CONSTITUTION: An electron mobility layer(3) and an electron support layer(5) are formed on a substrate(1). A gate electrode(11g), and a source electrode(11s), and a drain electrode(11d) are formed on the electron mobility layer. A cap layer(8) is formed between the electron support layer and the gate electrode. A hole barrier layer(6) is formed between the electron support layer and a p-type semiconductor layer. An insulating layer(12) covering the source electrode and the drain electrode is formed on the hole barrier layer. An opening part(13g) exposing the cap layer is formed in the insulating layer. [Reference numerals] (1) Substrate; (10s,10d) Recess; (11d) Drain electrode; (11g) Gate electrode; (11s) Source electrode; (12,14) Insulating layer; (13g) Opening part; (2) Buffer layer; (20) Element separating area; (3) Electron mobility layer; (4) Spacer layer; (5) Electron supplying layer; (6) Hole barrier layer; (7) Compound semiconductor laminated structure; (8) Cap layer;
    • 目的:提供一种化合物半导体器件及其制造方法,以通过使用空穴阻挡层来确保常态操作。 构成:在基板(1)上形成电子迁移率层(3)和电子支撑层(5)。 在电子迁移率层上形成栅电极(11g),源电极(11s)和漏电极(11d)。 在电子支撑层和栅电极之间形成盖层(8)。 在电子支撑层和p型半导体层之间形成空穴阻挡层(6)。 在空穴阻挡层上形成覆盖源电极和漏电极的绝缘层(12)。 在绝缘层中形成露出盖层的开口部分(13g)。 (附图标记)(1)基板; (10s,10d)凹陷; (11d)排水电极; (11g)栅电极; (11s)源电极; (12,14)绝缘层; (13g)开口部分; (2)缓冲层; (20)元件分离区; (3)电子迁移率层; (4)间隔层; (5)电子供应层; (6)孔阻隔层; (7)化合物半导体层叠结构体; (8)盖层;