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    • 5. 发明公开
    • 반도체장치의 매몰 콘택홀 형성방법
    • KR1019990011637A
    • 1999-02-18
    • KR1019970034797
    • 1997-07-24
    • 삼성전자주식회사
    • 이강현
    • H01L21/28
    • 본 발명의 반도체 장치의 매몰 콘택홀 형성방법은 활성영역과 비활성영역을 갖는 반도체 기판 상에 워드라인으로 이용되는 게이트 전극 및 질화막 패턴을 순차적으로 형성하는 단계를 포함한다. 상기 게이트 전극 및 질화막 패턴의 양측벽에 질화막 스페이서를 형성한다. 상기 질화막 스페이서가 형성된 반도체 기판의 전면에 질화막을 형성한다. 상기 질화막이 형성된 결과물 전면에 제1 층간절연막을 형성한 후, 상기 제1 층간절연막 상에 비트라인을 형성한다. 상기 비트라인이 형성된 결과물 전면에 제2 층간절연막을 형성한다. 상기 제2 층간절연막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하고, 상기 질화막 및 질화막 스페이서를 식각저지층으로 이용하여 상기 제2 층간절연막 및 제1 층간절연막을 이방성식각하여 상기 반도체 기판의 활성영역을 노출하는 매몰 콘택홀을 형성한다. 본 발명의 반도체 장치의 매몰 콘택홀 형성방법은 상기 질화막 스페이서 및 질화막으로 인하여 매몰 콘택홀의 형성시 매몰 콘택홀과 활성영역간의 오버랩 마진을 확보할 수 있고, 매몰 콘택홀과 워드 라인, 또는 매몰 콘택홀과 비라인간의 미스 얼라인 마진을 얻을 수 있다.