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1. 发明授权

KR100751736B1 포인트 컨택트 어레이, ＮＯＴ 회로, 및 이를 이용한 전자회로 失效
标题翻译：点触点阵列，不使用电路和使用该电路的电子电路
公开(公告)号：KR100751736B1
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020037004682
申请日：2001-10-29
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 , 리가가쿠 겐큐쇼
发明人： 아오노마사까즈 , 하세가와쯔요시 , 데라베가즈야 , 나까야마도모노부
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C13/0004 , G11C13/0009 , G11C13/0011 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/2463 , H01L29/242 , H01L29/26 , H01L29/45 , H01L45/085 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H03K17/545 , H03K19/02
摘要： There are provided a point contact array, in which a plurality of point contacts are arranged, each point contact electrically and reversibly controlling conductance between electrodes and being applicable to an arithmetic circuit, a logic circuit, and a memory device, a NOT circuit, and an electronic circuit using the same. A circuit includes a plurality of point contacts each composed of a first electrode made of a compound conductive material having ionic conductivity and electronic conductivity and a second electrode made of a conductive substance. The conductance of each point contact is controlled to realize the circuit. Ag2S, Ag2Se, Cu2S, or Cu2Se is preferably used as the compound conductive material. When a semiconductor or insulator material is interposed between the electrodes, a crystal or an amorphous material of GeSx, GeSex, GeTex, or WOx (0

2. 发明公开

KR1020030048421A 포인트 컨택트 어레이, ＮＯＴ 회로, 및 이를 이용한 전자회로 失效
标题翻译：点接触阵列，非电路以及使用其的电子电路
公开(公告)号：KR1020030048421A
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：KR1020037004682
申请日：2001-10-29
申请人： 고쿠리츠켄큐카이하츠호진 카가쿠기쥬츠신코키코 , 리가가쿠 겐큐쇼
发明人： 아오노마사까즈 , 하세가와쯔요시 , 데라베가즈야 , 나까야마도모노부
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5614 , G11C13/0004 , G11C13/0009 , G11C13/0011 , G11C2213/77 , G11C2213/81 , H01L27/2463 , H01L29/242 , H01L29/26 , H01L29/45 , H01L45/085 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146 , H01L45/1633 , H03K17/545 , H03K19/02
摘要： 전극들 사이의 컨덕턴스가 전기적으로 역제어되고, 포인트 컨택트가 배치되어, 산술회로, 논리회로, 및 메모리 장치에 응용될 수 있는 포인트 컨택트 어레이를 제공한다. 회로는, 이온전도도와 전자전도도를 갖는 혼합 도전성 재료로 된 제 1 전극과 도전성 재료로서 이루어진 제 2 전극을 각각 포함하는 복수의 포인트 어레이를 구비한다.
상기 회로를 실현하도록 포인트 컨택트들의 컨덕턴스를 제어한다. 그 혼합 도전성 재료는 Ag
2 S, Ag
2 Se, Cu
2 S, 또는 Cu
2 Se 인 것이 바람직하다. 전극들 사이에 삽입되는 반도체와 절연재료는 GeS
x , GeSe
x , GeTe
x , 또는 WO
x (0

3. 发明授权

KR100211945B1 광게이트 트랜지스터를 이용한 MUX 및 DEMUX 회로 失效
标题翻译：使用光栅晶体管的多路复用和解复用电路
公开(公告)号：KR100211945B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019950052665
申请日：1995-12-20
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 강성원 , 이진호
IPC分类号： H01L29/72
CPC分类号： H03K17/545 , H01J1/3042 , H01J1/34 , H01J40/02 , H01J2201/30403 , H01J2201/342 , H03K17/005 , H03K17/007
摘要： 본 발명은, 진공 또는 대기 등의 기체에서 인접한 두 개의 전극 사이에 전계를 인가하여 전자를 방출시키는 유도방출(field emission)법과 물질의 표면에 임계 에너지 이상의 광(photon)을 조사하여 전자를 방출시키는 광전효과(photoelectric effect)를 이용한 것으로서, 즉 두 개의 박막형의 전극을 형성하고 이 전극을 각각 방출전극(emission electrode), 수전전극(collector electrode)으로 사용하고 임계 에너지 이상의 광을 방출전극에 조사하여 전자를 방출시켜 게이트의 동작을 수행하도록 하는 광게이트 트랜지스터를 이용하여 고속의 동작회로를 구현할 수 있는 여러 개의 전기신호를 시간분할하여 한 개의 전송선으로 송신할 수 있는 멀티플렉서(multiplex)회로 및 전송된 1개의 전송선으로부터 시간분할된 신호를 다시 복구하는 디멀티플렉서(demultiplex) 회로를 구현하기 � ��한 광게이트 트랜지스터를 사용한 MUX 및 DEMUX 회로에 관한 것으로, 광게이트 트랜지스터의 초고속의 동작특성을 이용하여 여러 가지 고속회로의 응용이 가능하며, 고속의 광 MUX/DEMUX 회로를 구성할 경우 광신호를 전송하거나 전기 신호를 전송할 경우 모두 전기신호로 신호형태의 전환이 이루어질 수 있으며, 또한 상기 MUX/DEMUX 회로가 전원전압과 광원의 광세기로 충분히 구동할 수 있는 장점이 있어 간단하게 구동회로를 구성할 수 있다.

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