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1. 发明授权

KR101579988B1 반도체 레이저 有权
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：KR101579988B1
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：KR1020107013173
申请日：2008-10-17
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 노마츠구키 , 무라야마미노루 , 우치다사토시 , 이시카와츠토무
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/34326
摘要： 동작전류가낮고, 고온출력시에있어서도안정하게발진하는반도체레이저를제공한다. 기판(10)과, 기판(10) 상에마련된 n형클래드층(12)과, n형클래드층(12) 상에마련된활성층(13)과, 활성층(13) 상에마련된 Al을함유하는화합물이고, 전류통로로되는스트라이프형상의리지구조를갖는 p형클래드층(14)과, 리지구조의상면을제외한 p형클래드층(14)의표면에마련된 Al을함유하는화합물이고, Al의조성비가 p형클래드층(14)의 Al의조성비이하인전류블럭층(16)과, 전류블럭층(16) 상에마련되고, 레이저발진파장에대해광을흡수하는광흡수층(17)을구비한다.

2. 发明公开

KR1020100094512A 반도체 레이저 有权
标题翻译：半导体激光
公开(公告)号：KR1020100094512A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020107013173
申请日：2008-10-17
申请人： 로무 가부시키가이샤
发明人： 노마츠구키 , 무라야마미노루 , 우치다사토시 , 이시카와츠토무
IPC分类号： H01S5/223 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/223 , H01S5/221 , H01S5/2219 , H01S5/2227 , H01S5/2231 , H01S5/34326
摘要： 동작 전류가 낮고, 고온 출력시에 있어서도 안정하게 발진하는 반도체 레이저를 제공한다. 기판(10)과, 기판(10) 상에 마련된 n형 클래드층(12)과, n형 클래드층(12) 상에 마련된 활성층(13)과, 활성층(13) 상에 마련된 Al을 함유하는 화합물이고, 전류 통로로 되는 스트라이프 형상의 리지 구조를 갖는 p형 클래드층(14)과, 리지 구조의 상면을 제외한 p형 클래드층(14)의 표면에 마련된 Al을 함유하는 화합물이고, Al의 조성비가 p형 클래드층(14)의 Al의 조성비 이하인 전류 블럭층(16)과, 전류 블럭층(16) 상에 마련되고, 레이저 발진 파장에 대해 광을 흡수하는 광흡수층(17)을 구비한다.
摘要翻译：提供一种即使在低工作电流的高温输出下也稳定振荡的半导体激光器。设置在n型包覆层12上的有源层13和设置在有源层13上的包含Al的化合物形成在衬底10上，设置在衬底10上的n型包覆层12，具有成为电流路径的条纹状脊结构的p型包覆层14，以及设置在除脊结构的上表面以外的p型包覆层14的表面上的Al，电流阻挡层16，该电流阻挡层16不大于p型覆层14的Al组分比;以及光吸收层17，其设置在电流阻挡层16上并且吸收关于激光振荡波长的光。

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