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1. 发明授权

KR100143786B1 피제어 플럭스 페라이트 위상변성기용의 간이 구동기 失效
标题翻译：相位驱动器
公开(公告)号：KR100143786B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019890014152
申请日：1989-09-30
申请人： 이엠에스테크놀러지스,인코포레이티드
发明人： 데이비드더블류윌리스 , 제임스알애쉬워쓰 , 차알스지와이어
IPC分类号： H03K17/20
CPC分类号： H03K17/687 , H01P1/19
摘要： 내용없음

2. 发明公开

KR1020090057940A 액정장치 无效
标题翻译：液晶装置
公开(公告)号：KR1020090057940A
公开(公告)日：2009-06-08
申请号：KR1020087028740
申请日：2007-04-24
申请人： 캠브리지 엔터프라이즈 리미티드
发明人： 크로스랜드윌리암알든 , 콜링스닐 , 로버트슨폴앤드류
IPC分类号： G02F1/137 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/13725 , B82Y20/00 , G02F2202/36 , G02F2203/13 , H01P1/19
摘要： An electrical component comprising a substrate (30) carrying a LC cell (10) wherein the LC cell (10) comprises liquid crystal material (20) containing anisotropic particles (25), at least one conductive member (36) disposed on the substrate (30) and at least one conductive member (34) disposed over the LC cell (10), and means for affecting the alignment of the anisotropic particles (25) whereby the permittivity between the conductive members (34, 36) is varied.
摘要翻译：一种电气部件，包括承载LC电池（10）的衬底（30），其中所述LC电池（10）包括含有各向异性颗粒（25）的液晶材料（20），设置在所述衬底上的至少一个导电构件（36） 30）和设置在LC单元（10）之上的至少一个导电构件（34），以及用于影响各向异性颗粒（25）的对准的装置，由此改变导电构件（34,36）之间的介电常数。

3. 发明公开

KR1020170022876A 자성 재료들에 대한 적층 가공 시스템들 및 방법들 审中-实审
标题翻译：磁性材料添加剂制造系统及方法
公开(公告)号：KR1020170022876A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：KR1020160093592
申请日：2016-07-22
申请人： 더 보잉 컴파니
发明人： 윌리엄,존디.
IPC分类号： H01F41/02
CPC分类号： B29C47/0004 , B22F3/008 , B22F3/1055 , B22F3/20 , B22F5/00 , B29C47/065 , B29C64/10 , B29C64/106 , B29C64/153 , B29C64/165 , B29C67/0055 , B29C67/0081 , B29K2505/08 , B29K2995/0008 , B29L2031/34 , B29L2031/3462 , B33Y10/00 , B33Y70/00 , B33Y80/00 , C22C33/02 , H01F41/00 , H01P1/183 , H01P1/19 , H01P1/32 , H01P3/06 , H01P11/005 , Y02P10/295
摘要： 소형자성구조들및/또는디바이스들을형성하도록구성된자성재료적층가공시스템(MMAMS)을제공하기위한시스템들및 방법들에대한기술들이개시된다. MMAMS는제어기그리고소형자성구조들및/또는디바이스들을형성하기위해고분해능패턴으로자성재료매트릭스를디스펜싱하도록구성된하나또는그보다많은디스펜서들을포함한다. MMAMS는자성재료매트릭스로형성될자성구조를포함하는자성디바이스설계를수신하며, 여기서자성재료매트릭스는 MMAMS에사용되도록구성된다. MMAMS는자성재료매트릭스를수신하고, 자성재료매트릭스를디스펜싱하여자성구조를형성한다.
摘要翻译：公开了用于提供配置成形成紧凑型磁性结构和/或设备的磁性材料添加剂制造系统（MMAMS）的系统和方法的技术。 MMAMS包括控制器和一个或多个分配器，其被配置为以高分辨率图案分配磁性材料矩阵以便形成紧凑的磁性结构和/或设备。 MMAMS接收包括由磁性材料矩阵形成的磁性结构的磁性器件设计，其中磁性材料矩阵被配置为在MMAMS中使用。 MMAMS接收磁性材料矩阵并分配磁性材料矩阵以形成磁性结构。

4. 发明公开

KR1020050082115A 가변 브래그 격자를 이용한 무선 주파수 대역의 위상 제어기 无效
标题翻译：使用TURNABLE BRAGG细胞的相变装置
公开(公告)号：KR1020050082115A
公开(公告)日：2005-08-22
申请号：KR1020040010494
申请日：2004-02-17
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 윤진호
IPC分类号： H01P1/18
CPC分类号： H01P1/185 , H01P1/181 , H01P1/19
摘要： A phase shifter which uses Bragg gratings and having tunable phase shift functions with respect to input signals in an RF band without using a separate RF device. The phase shifter includes a dielectric layer, a first conductive layer formed on an upper surface of the dielectric layer lengthwise along the dielectric layer so as to provide a signal path for the input signal, a second conductive layer formed at a first end of a lower surface of the dielectric layer so as to form Bragg gratings lengthwise along the dielectric layer, a third conductive layer formed at a second end of the lower surface of the dielectric layer in line with the second conductive layer so as to form Bragg gratings lengthwise along the dielectric layer, and a moving unit for adjusting a distance between the second conductive layer and the third conductive layer within a predetermined length. The phase of the signal of the RF band is shifted by adjusting the distance between the second and third conductive layers without using a separate RF device, thereby significantly reducing the manufacturing cost for the phase shifter.
摘要翻译：一种移相器，其使用布拉格光栅并且相对于RF频带中的输入信号具有可调谐相移功能，而不使用单独的RF器件。移相器包括电介质层，第一导电层，沿电介质层纵向形成在电介质层的上表面上，以便为输入信号提供信号路径;第二导电层形成在下部的第一端电介质层的表面，以沿着电介质层纵向形成布拉格光栅;第三导电层，形成在电介质层的下表面的第二端，与第二导电层成一直线，以便沿着第二导电层纵向形成布拉格光栅电介质层和用于在预定长度内调节第二导电层和第三导电层之间的距离的移动单元。 RF带的信号的相位通过调整第二和第三导电层之间的距离而不使用单独的RF器件来移动，从而显着降低了移相器的制造成本。

5. 发明公开

KR1020170109637A 극초단파 안테나에서 사용하기 위한 Mo-도핑된 Co2Z-형 페라이트 복합 물질 审中-实审
标题翻译： Mo掺杂的Co2Z型铁氧体复合材料用于微波天线
公开(公告)号：KR1020170109637A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：KR1020177024225
申请日：2016-02-01
申请人： 로저스코포레이션
发明人： 첸,야지 , 해리스,빈센트
IPC分类号： C01G51/00 , C01G49/00
CPC分类号： C01G51/66 , C01G39/006 , C01G49/0036 , C01P2002/77 , C01P2004/03 , C01P2006/40 , C01P2006/42 , C04B35/2633 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B35/62675 , C04B35/63416 , C04B35/64 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3256 , C04B2235/3274 , C04B2235/3275 , C04B2235/3277 , C04B2235/6567 , C04B2235/6583 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/662 , C04B2235/767 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/79 , H01B1/02 , H01F1/348 , H01F27/255 , H01P1/19 , H01P1/20 , H01P1/38 , H01Q1/36 , C01G51/006 , H01B3/025
摘要： 본원은몰리브덴, 및바륨및 스트론튬중 하나또는모두를함유하고화학식 (BaSr)CoMoFeO(x = 0.01 내지 0.20; y = 20 내지 24; z = 0 내지 3)을갖는 CoZ 헥사페라이트조성물을제공한다. 상기조성물은낮은자기및 유전손실탄젠트및 손실률을유지하면서높은투자율및 동일하거나실질적으로동일한투자율및 유전율값을나타낼수 있다. 상기조성물은극초단파및 마이크로파안테나및 기타장치와같은고주파응용분야에적합하다.
摘要翻译：本文所包含的一个或两个的钼，和钡和锶和式（BASR）CoMoFeO（X = 0.01〜0.20; Z = 0至3; Y = 20至24），以提供具有COZ六铁氧体组合物。该组合物可以表现出高磁导率和相同或基本相同的磁导率和介电常数值，同时保持低的磁和介电损耗正切和损耗率。该组合物适用于高频应用，例如微波和微波天线以及其他设备。

6. 发明公开

KR1020160067940A 페라이트 막대들을 제조하기 위한 정밀 배치 생성 방법 审中-实审
标题翻译：精密批量生产方法用于制造铁素体
公开(公告)号：KR1020160067940A
公开(公告)日：2016-06-14
申请号：KR1020167011943
申请日：2014-10-01
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 밀스존브린
IPC分类号： H01F41/32 , H01P1/19 , H01P11/00
CPC分类号： H01P1/19 , H01F41/046 , H01F41/14 , H01F41/32 , H01L21/02197 , H01L43/12 , H01P3/12 , H01P11/00
摘要： 본발명은페라이트막대를제조하는방법에관한것이다. 상기방법은두 개의반도체기판들에공동들을에칭하는단계및 상기공동들로페라이트층들을증착시키는단계를포함한다. 상기반도체기판들은상기페라이트층들이페라이트막대를형성하도록서로부착된다. 본발명은, 자기재료가패러데이회전또는위상-천이요소를형성하기위해증착될수 있는, 템플릿또는몰드를정확하게및 반복가능하게형성하기위해반도체웨이퍼들의종래의포토리소그래피및 벌크등방성미세기계가공을이용한다.

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