专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020090122106A 반도체 장치 有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：KR1020090122106A
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：KR1020080118725
申请日：2008-11-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 요시우라야스히로 , 이노우에마사노리
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0834 , H01L29/1016 , H01L29/74 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L29/8611
摘要： PURPOSE: A semiconductor device is provided to improve breakdown resistance by suppressing the concentration of a current in an external terminal of an anode. CONSTITUTION: A semiconductor device includes a first conductive semiconductor substrate(1), a second conductive anode(2), a guard ring(6), a first conductive cathode, and a second conductive cathode impurity area. The first conductive semiconductor substrate includes a first main surface and a second main surface to face each other. The second conductive anode is formed in the first main surface of the semiconductor substrate. The guard ring surrounds the anode with a preset interval. The first conductive cathode is formed on the second main surface of the semiconductor substrate. The second conductive cathode impurity area is formed in the area opposite to the guard ring in the cathode.
摘要翻译：目的：提供一种半导体器件，通过抑制阳极外部端子中的电流浓度来提高耐击穿性。构成：半导体器件包括第一导电半导体衬底（1），第二导电阳极（2），保护环（6），第一导电阴极和第二导电阴极杂质区域。第一导电半导体衬底包括第一主表面和第二主表面以彼此面对。第二导电阳极形成在半导体衬底的第一主表面中。保护环以预设间隔围绕阳极。第一导电阴极形成在半导体衬底的第二主表面上。第二导电阴极杂质区域形成在阴极中与保护环相对的区域中。

2. 发明授权

KR101030696B1 반도체 장치 有权
公开(公告)号：KR101030696B1
公开(公告)日：2011-04-26
申请号：KR1020080118725
申请日：2008-11-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 요시우라야스히로 , 이노우에마사노리
IPC分类号： H01L29/861
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0834 , H01L29/1016 , H01L29/74 , H01L29/7805 , H01L29/7811 , H01L29/861 , H01L29/8611
摘要： n형의 반도체 기판(1)의 한쪽의 주표면의 측에는, 다이오드의 애노드(2)로서, p형 확산영역(3)이 형성되어 있다, 그 애노드(2)를 둘러싸도록, p형 확산영역(5)으로 이루어진 가드링(6)이 형성되어 있다. 다른 쪽의 주표면의 측에는, 캐소드로서, n형 초고농도 불순물층(12)과 n형 초고농도 불순물층(11)이 형성되어 있다. 캐소드에 있어서, 가드링(6)과 대향하는 가드링 대향영역(15)에, 캐소드층 p형 확산영역(14)이 형성되어 있다. 이것에 의해, 애노드의 외주 단부에 전류가 집중되는 것이 억제된다.
반도체 장치, 다이오드, 외주 단자, 전류 집중, 가드링과, 초고농도 불순물층

3. 发明授权

KR100442462B1 전면에 차단층이 배치된 에미터 영역을 가지는 전력용반도체 소자 有权
标题翻译： 전면에차단층이배치된에미터영역을가지는전력용반도체자
公开(公告)号：KR100442462B1
公开(公告)日：2004-07-30
申请号：KR1020017000726
申请日：1999-07-05
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 바우어,요제프,게오르크 , 브루너,하인리히 , 슐체,한스-요아힘
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/1016 , H01L29/7455 , H01L29/749
摘要： The power semiconductor element has an emitter region and a stop zone in front of the emitter region. The conductivities of the emitter region and of the stop zone are opposed to one another. In order to reduce not only the static but also the dynamic loss of the power semiconductor foreign atoms are used in the stop-zone. The foreign atoms have at least one energy level within the band gap of the semiconductor and at least 200 meV away from the conduction band and valence band of the semiconductor.
摘要翻译：功率半导体元件在发射极区域的前方具有发射极区域和停止区域。发射极区域和停止区域的电导率彼此相反。为了不仅减少静态功率，而且还减少功率半导体在停止区中使用的外部原子的动态损耗。外来原子在半导体的带隙内具有至少一个能级，并且离半导体的导带和价带至少200meV。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式