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1. 发明授权

KR101377812B1 칩을 웨이퍼에 본딩하기 위한 방법 有权
标题翻译：芯片切割方法
公开(公告)号：KR101377812B1
公开(公告)日：2014-03-25
申请号：KR1020127006928
申请日：2010-09-03
申请人： 이베게 임모빌리엔 운트 베타일리궁스 게엠베하
发明人： 빔프링거,마르커스
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 지지웨이퍼(1)에복수의칩(9)을본딩하는방법에있어서, 지지웨이퍼(1)는지지웨이퍼(1) 상에적어도하나의층으로적층되는칩(3')을포함하고, 수직으로이웃하는칩들을더 연결하기위한전도성연결(7)이존재하고, 상기방법은 a) 지지웨이퍼(1)를캐리어(5)에고정하는단계와, b) 칩(3)의적어도하나의층을상기지지웨이퍼(1) 상의지정된위치로배치하는단계와, c) 캐리어(5)에고정되어있는지지웨이퍼(1) 상의칩(3)을열처리하는단계를포함하고, 단계 c) 이전에지지웨이퍼에서지지웨이퍼(1)의분리된칩 스텍섹션(1c)으로의적어도부분적인분리가발생하는것을특징으로하는지지웨이퍼에복수의칩을본딩하는방법.

2. 发明公开

KR1020090120227A 유기발광소자 및 이의 제작 방법 无效
标题翻译：有机发光装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090120227A
公开(公告)日：2009-11-24
申请号：KR1020080046162
申请日：2008-05-19
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사
发明人： 강창호 , 남궁성태 , 이태성
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： H01L51/525 , H01L51/5246 , H01L51/5237 , H01L2224/80075 , H01L2224/80862
摘要： PURPOSE: An organic light-emitting device and a manufacturing method thereof are provided to alleviate the physical impact applied from the outside by absorbing the physical impact through a filling material. CONSTITUTION: A manufacturing method of an organic light-emitting device comprises the following steps of: forming a plurality of spacers and an organic light-emitting layer(200) on a substrate(100) so as to be separated from each other; injecting the substrate into a chamber of the vacuum condition; filling a filling material so as to coat the organic light-emitting layer and hardening it; and applying a sealant to areas in which the filling material is not filled among spaces between the spacers. A sealing unit is arranged on the spacers, sealant and filling material. The sealant(400) is hardened and sealed.
摘要翻译：目的：提供一种有机发光装置及其制造方法，以通过吸收通过填充材料的物理冲击来减轻从外部施加的物理冲击。构成：有机发光器件的制造方法包括以下步骤：在基板（100）上形成多个间隔物和有机发光层（200）以彼此分离; 将衬底注入真空条件的室中; 填充填充材料以涂覆有机发光层并使其硬化; 以及在间隔件之间的间隔中向填充材料未填充的区域施加密封剂。密封单元设置在间隔件，密封剂和填充材料上。密封剂（400）被硬化和密封。

3. 发明公开

KR1020140005743A 반도체 웨이퍼에 대한 하이브리드 본딩 시스템 및 방법 有权
标题翻译：混合结合系统和半导体波形的方法
公开(公告)号：KR1020140005743A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120106403
申请日：2012-09-25
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리우핑-인 , 린시-웨이 , 황신-화 , 차오란-린 , 차이치아-시웅
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/02
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00
摘要： Hybrid bonding systems and methods for a semiconductor wafer are disclosed. In an embodiment, the hybrid bonding system for a semiconductor wafer comprises a chamber and multiple sub-chambers arranged within the chamber. A robot handler which is formed to move multiple semiconductor wafers within the chamber between the multiple sub-chambers is arranged within the chamber. The multiple sub-chambers comprise a first sub-chamber which is formed to remove a protection layer from the multiple semiconductor wafers; and a second sub-chamber which is formed to activate top surfaces of the multiple semiconductor wafers before hybrid-bonding the multiple semiconductor wafers together. The multiple sub-chambers also comprise a third sub-chamber which is formed to arrange the multiple semiconductor wafers and hybrid-bond the multiple semiconductor wafers together.
摘要翻译：公开了用于半导体晶片的混合键合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶片的混合键合系统包括腔室和布置在室内的多个子室。形成为在多个子室之间的室内移动多个半导体晶片的机器人处理器被布置在室内。多个子室包括形成为从多个半导体晶片去除保护层的第一子室; 以及第二子室，其被形成为在将多个半导体晶片混合在一起之前激活多个半导体晶片的顶表面。多个子室还包括第三子室，其形成为布置多个半导体晶片并将多个半导体晶片混合结合在一起。

4. 发明公开

KR1020120076424A 칩을 웨이퍼에 본딩하기 위한 방법 有权
标题翻译：芯片切割方法
公开(公告)号：KR1020120076424A
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020127006928
申请日：2010-09-03
申请人： 이베게 임모빌리엔 운트 베타일리궁스 게엠베하
发明人： 빔프링거,마르커스
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 지지 웨이퍼(1)에 복수의 칩(9)을 본딩하는 방법에 있어서, 지지 웨이퍼(1)는 지지 웨이퍼(1) 상에 적어도 하나의 층으로 적층되는 칩(3')을 포함하고, 수직으로 이웃하는 칩들을 더 연결하기 위한 전도성 연결(7)이 존재하고, 상기 방법은
a) 지지 웨이퍼(1)를 캐리어(5)에 고정하는 단계와,
b) 칩(3)의 적어도 하나의 층을 상기 지지 웨이퍼(1) 상의 지정된 위치로 배치하는 단계와,
c) 캐리어(5)에 고정되어 있는 지지 웨이퍼(1) 상의 칩(3)을 열처리하는 단계를 포함하고,
단계 c) 이전에 지지 웨이퍼에서 지지 웨이퍼(1)의 분리된 칩 스텍 섹션(1c)으로의 적어도 부분적인 분리가 발생하는 것을 특징으로 하는 지지 웨이퍼에 복수의 칩을 본딩하는 방법.

5. 发明公开

KR1020150068284A 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 无效
标题翻译：制造半导体器件和半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020150068284A
公开(公告)日：2015-06-19
申请号：KR1020140139847
申请日：2014-10-16
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 가와사키아츠코
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/31
CPC分类号： H01L24/24 , H01L21/31144 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/19 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/034 , H01L2224/03616 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/08147 , H01L2224/08148 , H01L2224/215 , H01L2224/24146 , H01L2224/80075 , H01L2224/8009 , H01L2224/80201 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/821 , H01L2224/96 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/80001
摘要： 본발명의실시형태의반도체장치의제조방법에의하면, 제1 도전층및 제1 절연층이표면으로부터노출되는제1 배선층을형성하고, 제2 도전층및 제2 절연층이표면으로부터노출되는제2 배선층을형성하고, 상기제1 절연층의표면중, 상기제1 도전층의주위를포함하는일부영역을상기제1 도전층의표면보다낮게함으로써, 상기제1 절연층의표면에제1 비접합면을형성하고, 상기제1 도전층의표면과상기제2 도전층의표면을접속함과함께, 상기제1 비접합면을제외한상기제1 절연층의표면과상기제2 절연층의표면을접합한다.
摘要翻译：根据本发明实施例的制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成第一导线层以从表面露出第一导电层和第一绝缘层; 形成第二导线层以从所述表面露出第二导电层和第二绝缘层; 通过将包括第一导电层的周围的第一绝缘层的表面的部分区域形成为低于第一导电层的表面，在第一绝缘层的表面上形成第一非结合表面; 将第一导电层的表面接合到第二导电层的表面; 以及将所述第二绝缘层的表面接合到所述第一绝缘层的除了所述第一非接合表面之外的表面。

6. 发明授权

KR101430819B1 반도체 웨이퍼에 대한 하이브리드 본딩 시스템 및 방법 有权
标题翻译：半导体晶片的混合键合系统和方法
公开(公告)号：KR101430819B1
公开(公告)日：2014-08-18
申请号：KR1020120106403
申请日：2012-09-25
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 리우핑-인 , 린시-웨이 , 황신-화 , 차오란-린 , 차이치아-시웅
IPC分类号： H01L21/48 , H01L21/02
CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00
摘要： 반도체 웨이퍼에 대한 하이브리드 본딩 시스템들 및 방법들이 개시된다. 일 실시예에서, 반도체 웨이퍼들을 위한 하이브리드 본딩 시스템은 챔버 및 챔버 내에 배치된 복수의 서브-챔버들을 포함한다. 챔버 내의 복수의 반도체 웨이퍼들을 복수의 서브-챔버들 사이에서 이동시키도록 구성되는 로봇 핸들러가 챔버 내에 배치된다. 복수의 서브-챔버들은 복수의 반도체 웨이퍼들로부터 보호층을 제거하도록 구성되는 제 1 서브-챔버 및 복수의 반도체 웨이퍼들을 함께 하이브리드 본딩 하기 이전에 복수의 반도체 웨이퍼들의 상부 표면들을 활성화하도록 구성되는 제 2 서브-챔버를 포함한다. 복수의 서브-챔버들은 또한 복수의 반도체 웨이퍼들을 정렬시키고 복수의 반도체 웨이퍼들을 함께 하이브리드 본딩하도록 구성되는 제 3 서브-챔버를 포함한다.

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