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1. 发明公开

KR1020160112113A 웨이퍼 제조 장치 审中-实审
标题翻译：装置制造设备
公开(公告)号：KR1020160112113A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020150037202
申请日：2015-03-18
申请人： 에스케이실트론 주식회사
发明人： 전소영 , 오현정
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/2015 , H01L21/683
摘要： 실시예에의하면, 단부에베벨영역을포함하는반도체웨이퍼와소스가스를반응시켜반도체웨이퍼의편면상에에피택셜층을형성하는에피택셜웨이퍼제조장치는, 반도체웨이퍼가배치되는개구부를갖는포켓을포함하는서셉터를포함하고, 포켓의개구부의내주면은반도체웨이퍼의에지영역에서의결정방위별로반도체웨이퍼와서로다른거리로이격될수 있다.
摘要翻译：根据实施例，本发明涉及一种用于制造用于在半导体晶片的一侧上形成外延层的外延晶片的装置，该外延晶片通过使源气体和具有形成在其一端的斜面区域的半导体晶片反应而反应。用于制造外延晶片的装置包括：基座，其包括形成其上设置有半导体晶片的开口单元的口袋，其中，所述口袋的开口单元的内周面可以通过晶体取向与所述半导体晶片间隔开不同的距离在半导体晶片的边缘区域中。

2. 发明公开

KR1020150023533A 반도체 적층 구조체 및 반도체 소자 审中-实审
标题翻译：半导体层状结构和半导体元件
公开(公告)号：KR1020150023533A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147036867
申请日：2013-05-27
申请人： 가부시키가이샤 다무라 세이사쿠쇼 , 가부시키가이샤 코하
发明人： 이이즈까,가즈유끼 , 와따나베,신야 , 고시,기미요시 , 와끼모또,다이끼 , 야마시따,요시히로 , 사또,신꾸로
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20
CPC分类号： H01L29/2003 , C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/16 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02414 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L21/2015
摘要： Ga
2 O
3 기판과 Ga
2 O
3 기판 상의 결정 품질이 높은 질화물 반도체층을 갖는 반도체 적층 구조체 및 그 반도체 적층 구조체를 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 일 실시 형태에 있어서, (-201)면으로부터 [102]방향으로 경사진 면을 주면(2a)으로 하는 β-Ga
2 O
3 결정을 포함하는 β-Ga
2 O
3 기판(2)과, β-Ga
2 O
3 기판(2)의 주면(2a) 상에 에피택셜 결정 성장에 의해 형성된 Al
x Ga
y In
z N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤z≤1, x+y+z=1) 결정을 포함하는 질화물 반도체층(4)을 갖는 반도체 적층 구조체(1)를 제공한다.

3. 发明公开

KR1020120010120A 임시 반도체 구조 본딩 방법들 및 관련 본딩된 반도체 구조들 有权
标题翻译：临界半导体结构结合方法和相关的结合半导体结构
公开(公告)号：KR1020120010120A
公开(公告)日：2012-02-02
申请号：KR1020110058448
申请日：2011-06-16
申请人： 소이텍
发明人： 사다카마리암 , 라두이오누트
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/20 , H01L23/48
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L29/06 , H01L21/02293 , H01L21/2011 , H01L21/2015 , H01L21/2022 , H01L29/66287 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L2924/00
摘要： PURPOSE: Provisional semiconductor structure bonding methods and semiconductor structures which are bonded are provided to directly bond a provisional semiconductor structure without using adhesive materials. CONSTITUTION: A processed semiconductor structure(100) comprises an active surface(104) and an opposite back side(108). The active surface comprises the exposed surface of a device section(102) of the processed semiconductor structure. The device section comprises a device structure(110). The device structure comprises a semiconductor and/or conductor elements which are included in a dielectric material(114). The opposite back side comprises the exposed surface of a substrate(106).
摘要翻译：目的：提供临时半导体结构的接合方法和半导体结构，以便不使用粘合剂材料直接接合临时半导体结构。构造：经处理的半导体结构（100）包括有源表面（104）和相对的后侧（108）。活性表面包括经处理的半导体结构的器件部分（102）的暴露表面。装置部分包括装置结构（110）。器件结构包括包含在电介质材料（114）中的半导体和/或导体元件。相反的背面包括基底（106）的暴露表面。

4. 发明公开

KR1020150126874A 제어되는 에어 갭 형성 审中-实审
标题翻译：控制空气隙形成
公开(公告)号：KR1020150126874A
公开(公告)日：2015-11-13
申请号：KR1020157026322
申请日：2014-02-20
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 타다니,키란브이. , 수,징징 , 말릭,아브히지트바수 , 크루즈,조에그리피트 , 잉글,니틴케이. , 나완카르,프라빈케이.
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/768 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/2015 , C23C16/045 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/56 , H01J37/32357 , H01L21/02115 , H01L21/02126 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/3105 , H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76837 , H01L2221/1047
摘要： 기판상의인접한융기된피처들사이의에어갭들을형성및 제어하는방법은, 유동성증착프로세스를사용하여, 인접한융기된피처들사이의바닥구역에실리콘-함유막을형성하는단계를포함한다. 방법은또한, 실리콘-함유막의상단상에탄소-함유재료를형성하는단계, 및유동성증착프로세스를사용하여, 탄소-함유재료위에제 2 막을형성하는단계를포함한다. 제 2 막은인접한융기된피처들사이의상부구역을충전한다. 방법은또한, 인접한융기된피처들사이에에어갭들을형성하기위해, 시간기간동안, 상승된온도에서, 재료들을경화시키는단계를포함한다. 막들의수 및두께는에어갭들의두께, 수직위치, 및수를제어하기위해사용될수 있다.

5. 发明公开

KR1020150110377A 스트레인 완화 방법 및 이를 이용한 스트레인-완화 반도체층 및 반도체 소자 의 형성 방법 및 관련된 반도체 구조물 审中-实审
标题翻译：应变 - 松弛方法和形成应变拉伸半导体层的方法和使用其的半导体器件和相关半导体结构
公开(公告)号：KR1020150110377A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020150038179
申请日：2015-03-19
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 왕웨이-이 , 로더마크스티븐
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/8238 , H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0262 , H01L21/02373 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02587 , H01L21/02658 , H01L21/3063 , H01L21/324 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/786 , H01L21/2015 , H01L21/306 , H01L21/8238
摘要： 본발명은스트레인완화방법및 이를이용한스트레인-완화반도체층및 반도체소자형성방법및 관련된반도체구조물에관한것이다. 본발명에따른스트레인완화방법은반도체기판의표면에다공성영역(porous region)을형성하고, 다공성영역상에, 반도체기판과격자매치(lattice-match)된제1 반도체층을형성하고, 제1 반도체층상에제2 반도체층을형성하되, 제2 반도체층은스트레인드(strained) 반도체층으로형성되고, 제2 반도체층을완화시키는것을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及应变松弛法，形成应变弛豫半导体层的方法和使用其的半导体器件及其相关的半导体结构。根据本发明的应变松弛方法在半导体衬底的表面上形成多孔区域; 形成与多孔区域顶部的半导体衬底晶格匹配的第一半导体层; 并且在第一半导体层上形成第二半导体层，第二半导体层形成为应变半导体层，并且使第二半导体层松弛。

6. 发明公开

KR1020160144496A 반도체 필름들의 스트레인 완화된 헤테로에피택시에서의 결함들의 효과적인 종횡비 트래핑을 위한 경사진 트렌치의 이용 有权
标题翻译：用于有效的纵横比的紫外光束的应用在半导体膜的应变放电异常中的缺陷的捕获
公开(公告)号：KR1020160144496A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：KR1020167032503
申请日：2015-03-18
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 스리니바산,스와미나탄티. , 카자,파린아데니 , 산체스,에롤안토니오씨. , 마틴,패트릭엠.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/04 , H01L29/267 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02658 , H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02381 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02455 , H01L21/02488 , H01L21/02513 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02639 , H01L21/311 , H01L21/31116 , H01L29/045 , H01L29/0649 , H01L29/0684 , H01L29/267 , H01L29/78 , H01L21/2015 , H01L21/02625
摘要： 본개시내용의실시예들은헤테로에피택셜성장필름내의전위밀도를감소시키는것, 및감소된전위밀도를갖는헤테로에피택셜필름들을포함하는디바이스들에관한것이다. 본개시내용의실시예들에따르면, 고종횡비트렌치들의측벽들은, 고종횡비트렌치들의길이를따라전파되는결함들을포함하여, 고종횡비트렌치들내에형성되는결정질재료에서의결함들이기울어진측벽들에서종단되는것을허용하도록기울어지거나경사질수 있다. 본개시내용의실시예들은, 전계효과트랜지스터들에서Ⅲ-Ⅴ족원소들을이용하는고 이동도채널들과같이, 마이크로전자애플리케이션들을위한실리콘(Si) 상의헤테로에피택셜성장에서결함들을감소시키기위해이용될수 있다.
摘要翻译：在一个实施例中，用于蚀刻衬底的方法包括当非晶层设置在衬底中的第一结晶材料上时，在衬底周围提供反应性环境; 在等离子体室中产生等离子体; 修改等离子体的等离子体鞘边界的形状; 从等离子体中提取离子; 以及相对于垂直于所述衬底的平面的非零入射角将所述离子引导到所述衬底，其中所述离子和反应性环境有效地通过所述非晶层形成有角度的空腔，以暴露部分的第一结晶材料在倾斜腔的底部，并且成角度的空腔相对于垂直线形成非零倾角。

7. 发明授权

KR101411837B1 기능성 소자의 전사 방법 有权
标题翻译：功能元素的传递方法
公开(公告)号：KR101411837B1
公开(公告)日：2014-06-27
申请号：KR1020130010454
申请日：2013-01-30
申请人： 한국과학기술원
发明人： 최양규 , 최지민 , 김문석
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0273 , H01L21/2015 , H01L21/2026
摘要： An embodiment of the present invention relates to a transfer method of a functional element. The transfer method of a functional element according to the embodiment includes: sequentially forming a first separation layer and a second separation layer on a first substrate to form a functional element on the second separation layer; separating the first separation layer from the second separation layer by bonding a holder having a bonding strength between the holder and the functional element greater than a bonding strength between the first separation layer and the second separation layer; and transferring the functional element and the second separation layer bonded to the holder on a second substrate.
摘要翻译：本发明的实施例涉及功能元件的传送方法。根据实施例的功能元件的转印方法包括：在第一基板上依次形成第一分离层和第二分离层，以在第二分离层上形成功能元件; 通过将保持器和功能元件之间的接合强度的保持器接合大于第一分离层和第二分离层之间的接合强度，将第一分离层与第二分离层分离; 以及将在所述保持器上结合的所述功能元件和所述第二分离层转印到第二基板上。

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