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热词
    • 7. 发明公开
    • 전계 방출 디바이스 및 이러한 디바이스를 형성하는 방법
    • 场发射装置和形成这种装置的方法
    • KR1020050115949A
    • 2005-12-08
    • KR1020057020350
    • 2004-04-26
    • 코닌클리케 필립스 엔.브이.
    • 비세르,휴고,엠.베르스츄렌,마쿠스,에이빙크,튀니스,제이.
    • H01J1/30
    • H01J1/3044H01J3/022H01J9/025H01J2201/30407H01J2201/30426H01J2329/00
    • A field emission device (1) may be used for emitting electrons in, for example, a field emission display (FED). Field emission tips (40) are used for the emitting of electrons in the field emission device (1). In operation of the field emission device (1) a voltage is applied between a first electrode (4) having electrical contact with the field emission tip (40) and a second electrode (34) to make the field emission tip (40) emit electrons. To form a field emission tip (40) a layer of liquid material is applied on a substrate (2) provided with the first electrode (4). The layer of liquid material is embossed with a patterned stamp and subsequently cured to form a field emission tip structure (20). A conductive film (38) is applied on the field emission tip structure (20) to form a field emission tip (40) that has electrical contact with the first electrode (4).
    • 场发射器件(1)可以用于例如场致发射显示器(FED)中的电子发射。 场发射尖端(40)用于场发射装置(1)中的电子发射。 在场致发射器件(1)的操作中,在与场发射尖端(40)电接触的第一电极(4)和第二电极(34)之间施加电压,以使场发射尖端(40)发射电子 。 为了形成场致发射尖端(40),在设置有第一电极(4)的衬底(2)上施加一层液体材料。 液体材料层被压印有图案化的印模并随后固化以形成场致发射尖端结构(20)。 导电膜(38)被施加到场发射尖端结构(20)上以形成与第一电极(4)电接触的场致发射尖端(40)。
    • 9. 发明公开
    • 전자 방출 표시 소자
    • 电子发射显示器及其制造方法
    • KR1020050086230A
    • 2005-08-30
    • KR1020040012628
    • 2004-02-25
    • 삼성에스디아이 주식회사
    • 안상혁
    • H01J1/30
    • H01J3/022H01J9/027H01J2329/00
    • 본 발명은 기판에 매립된 에미터를 구비하는 전자 방출 표시 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 전자 방출 표시 소자는, 오목한 홈 형상의 에미터 수용부들을 구비하는 제1 기판; 상기 제1 기판의 에미터 수용부들에 배치되는 에미터들; 상기 에미터들과 전기적으로 통전하도록 상기 제1 기판에 제공되는 캐소드 전극; 상기 캐소드 전극 위에 제공되는 절연층; 상기 절연층 위에 제공되는 게이트 전극; 상기 제1 기판에 대향 배치되는 제2 기판; 상기 제2 기판에 제공되는 애노드 전극 및 형광 스크린; 및 상기 에미터들에서 방출된 전자의 이동 경로를 형성하는 게이트 홀;을 포함한다. 이러한 구성의 전자 방출 표시 소자는 일정 깊이의 에미터 수용부에 에미터를 배치하고 있으므로, 종래와 동일한 박막상의 절연층을 사용하면서도 에미터와 애노드 전극간의 간격이 종래보다 증가되어 다이오드형 전자 방출 현상을 억제할 수 있다. 따라서, 애노드 전극에 고전압을 인가할 수 있으며, 이로 인해 휘도 향상이 가능하다. 그리고, 상기 에미터와 게이트 전극 사이에 높이차가 크게 형성되므로, 에미터에서 방출된 전자빔의 퍼짐 현상을 억제할 수 있어 색순도 향상이 가능하다.