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1. 发明公开

KR1020030044036A 전계방출형 전자소스소자, 전자총, 음극선관장치 및음극선관의 제조방법 无效
标题翻译：场发射电子源器件，电子枪，阴极射线管管道和制造阴极射线管的方法
公开(公告)号：KR1020030044036A
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1020037005734
申请日：2001-10-24
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고가게이스케 , 가와세도루
IPC分类号： H01J29/48
CPC分类号： H01J29/481 , H01J1/3042
摘要： 본 발명은 표시면에서의 전자빔의 왜곡이 작고, 구동시간의 장단에 상관없이 안정된 전자방출특성을 유지할 수 있는 전계방사형 전자소스소자와, 이것을 구비하는 CRT 장치 및 CRT의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 전계방출형 전자소스소자(10)는 기판(11)의 면 상에 서로 평행한 복수의 음극전극(12), 절연층(13) 및 음극전극과 직교하며 서로 평행한 복수의 인출전극(14)이 순서대로 형성되어 있다.
이 2개의 전극의 각각의 교차부분에는 4개의 이미터(16)로 이루어지는 전자출사부(15)가 형성되고, 스크린 상의 전자빔 조사위치에 따라 음극전극(12)과 인출전극(14)과의 사이의 인가전압을 제어함으로써 전자출사영역을 선택할 수 있다.

2. 发明公开

KR1019980005140A 전계방출형전자원및그제조방법 失效
标题翻译：场发射电子源及其制造方法
公开(公告)号：KR1019980005140A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019970012475
申请日：1997-04-04
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고가게이스케 , 호리요시카즈 , 요시다다케히토 , 야마다유카
IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02

3. 发明授权

KR100801387B1 전계방출 디바이스의 구동방법 및 구동장치 失效
标题翻译：用于场发射装置的驱动方法和驱动装置
公开(公告)号：KR100801387B1
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：KR1020037005499
申请日：2001-08-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 가와세도루 , 고가게이스케
IPC分类号： G09G3/22
CPC分类号： G09G3/22 , G09G1/002 , G09G2300/08 , G09G2320/043 , H01J3/022
摘要： 본 발명의 목적은 장시간 디바이스를 구동시키더라도 안정성 있게 방출전류를 제어하는 전계방출 디바이스의 구동방법 및 구동장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 전계방출 디바이스 구동방법 및 구동장치는 방출기에 공급되는 전류량을 기준레벨로 조절함으로써 실제의 방출전류를 기준레벨로 설정한다. 방출기에 공급된 전류량은 전자방출성능이 기준레벨 이상으로 유지된 상태에서 구동시간의 경과에 따라 구동전압을 증가시킴으로써 기준레벨로 조절된다. 구동전압이 최소전압 이상으로 유지되는 상태에서 방출기에 공급된 전류량을 조절함으로써, 전계방출 디바이스에서 방출되는 전자의 성능이 구동시간의 경과로 인하여 저하되더라도, 방출 전류량이 안정하게 유지될 수 있고, 변동없이 전자방출이 실현될 수 있다.
음극, 방출기, 절연층, 추출전극

4. 发明授权

KR100442982B1 전계방출형전자원및그제조방법 失效
公开(公告)号：KR100442982B1
公开(公告)日：2004-09-18
申请号：KR1019970012475
申请日：1997-04-04
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고가게이스케 , 호리요시카즈 , 요시다다케히토 , 야마다유카
IPC分类号： H01J1/30 , H01J9/02
CPC分类号： H01J9/025 , H01J2201/30426
摘要： A withdrawn electrode is formed on a silicon substrate with intervention of upper and lower silicon oxide films each having circular openings corresponding to regions in which cathodes are to be formed. Tower-shaped cathodes are formed in the respective openings of the upper and lower silicon oxide films and of the withdrawn electrode. Each of the cathodes has a sharply tapered tip portion having a radius of 2 nm or less, which has been formed by crystal anisotropic etching and thermal oxidation process for silicon. The region of the silicon substrate exposed in the openings of the upper and lower silicon oxide films and the cathode have their surfaces coated with a thin surface coating film made of a material having a low work function.
摘要翻译：在硅衬底上形成一个取出的电极，介入上部和下部氧化硅膜，每个氧化硅膜具有对应于要形成阴极的区域的圆形开口。塔形阴极形成在上和下氧化硅膜和撤回电极的各个开口中。每个阴极具有尖锐的锥形尖端部分，其具有2nm或更小的半径，其已经通过晶体各向异性蚀刻和用于硅的热氧化工艺而形成。暴露于上下氧化硅膜和阴极的开口中的硅基板的区域的表面涂覆有由具有低功函数的材料制成的薄表面涂层膜。＆lt;图像＆GT;

5. 发明公开

KR1020030048062A 전계방출 디바이스의 구동방법 및 구동장치 失效
标题翻译： 전계방출디바이스의구동방법및구동장치
公开(公告)号：KR1020030048062A
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：KR1020037005499
申请日：2001-08-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 가와세도루 , 고가게이스케
IPC分类号： G09G3/22
CPC分类号： G09G3/22 , G09G1/002 , G09G2300/08 , G09G2320/043 , H01J3/022
摘要： 본 발명의 목적은 장시간 디바이스를 구동시키더라도 안정성 있게 방출전류를 제어하는 전계방출 디바이스의 구동방법 및 구동장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 전계방출 디바이스 구동방법 및 구동장치는 방출기에 공급되는 전류량을 기준레벨로 조절함으로써 실제의 방출전류를 기준레벨로 설정한다. 방출기에 공급된 전류량은 전자방출성능이 기준레벨 이상으로 유지된 상태에서 구동시간의 경과에 따라 구동전압을 증가시킴으로써 기준레벨로 조절된다. 구동전압이 최소전압 이상으로 유지되는 상태에서 방출기에 공급된 전류량을 조절함으로써, 전계방출 디바이스에서 방출되는 전자의 성능이 구동시간의 경과로 인하여 저하되더라도, 방출 전류량이 안정하게 유지될 수 있고, 변동없이 전자방출이 실현될 수 있다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种无论驱动装置多长时间都能稳定地控制发射电流的场致发射装置的驱动方法和驱动装置。本发明的场致发射装置驱动方法和驱动装置通过将提供给发射极的电流量调整到参考电平来将实际发射电流设置在参考电平。通过在电子发射性能维持在参考电平以上的状态下响应于驱动时间流逝而增加驱动电压，将提供给发射器的电流量调整到参考电平。通过在驱动电压维持在高于最小电压的状态下调节提供给发射极的电流量，可以维持稳定的发射电流量并且可以实现电子发射而没有波动，即使当发射电子的场发射器件由于驱动时间的流逝而劣化。

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