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1. 发明授权

KR101254894B1 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR101254894B1
公开(公告)日：2013-04-15
申请号：KR1020107026969
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드 , 그로홀스키,알렉산더 , 커뮤네일,리차드
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065 , H01J37/30 , H01J37/08
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： 이온 소스, 시스템 및 방법이 개시된다.

2. 发明公开

KR1020110008322A 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR1020110008322A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：KR1020107027876
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드 , 에딘거,클라우스 , 마크워트,라스 , 아데르홀드,더크 , 맨츠,울리츠
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065 , H01J37/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： The present invention refers to a method that comprises the following steps: Providing an electrically conductive tip with a terminal shelf which has between three and twenty atoms, generating a first ion beam by interacting a gas with the electrically conductive tip, providing an ion optical system, eliminating by the ion optical system some of the ions in the first ion beam to generate a second ion beam comprising ions 70% or more of which are generated via interaction of the gas with one atom of the terminal shelf of the electrically conductive tip, and interacting the second ion beam with an activating gas to promote a chemical reaction at a surface of a sample. The figure shows a gas field ion microscope system (100).

3. 发明公开

KR1020080078029A 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
标题翻译：离子源，系统和方法
公开(公告)号：KR1020080078029A
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：KR1020087015965
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드 , 마크워트,라스 , 아데르홀드,더크
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065 , H01J37/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： Ion sources, systems and methods are disclosed.
摘要翻译：公开了离子源，系统和方法。

4. 发明授权

KR101843042B1 반도체 기판 검사 장비 및 이를 이용한 반도체 기판 검사 방법 有权
标题翻译：半导体基板检查设备和半导体基板使用相同的检查方法
公开(公告)号：KR101843042B1
公开(公告)日：2018-03-28
申请号：KR1020120003497
申请日：2012-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김민국 , 고우석 , 양유신 , 이상길 , 최창훈
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/265 , H01J37/08 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/0807
摘要： 헬륨이온현미경(helium ion microscopy, HIM)을이용하여, 반도체기판상에형성되어있는패턴을 3차원적인입체정보로얻을수 있는반도체기판검사장비를제공하는것이다. 상기반도체기판검사장비는헬륨가스를담아두는가스용기, 상기가스용기내에위치하고, 상기헬륨가스를헬륨이온으로변환시키는헬륨이온발생부, 상기가스용기아래에위치하고, 피검사기판이놓이는웨이퍼스테이지, 상기웨이퍼스테이지상에위치하고, 상기피검사기판으로부터발생되는전자를검출하는이차전자검출기, 연속적인질소공급장치로부터제1 기체질소를공급받아액체질소로압축하는압축기, 상기압축기와연결되어상기액체질소를저장하는액체질소듀워(Dewar), 및상기액체질소듀워로부터공급받은상기액체질소를제2 기체질소로기화시켜상기헬륨이온발생부를냉각시키고, 상기가스용기상에서상기헬륨이온발생부와결합되어있는냉각장치를포함한다.
摘要翻译：使用氦离子显微镜（氦离子显微镜，HIM），以提供所获得形成具有三维立体信息在半导体衬底上的图案的半导体基板检查装置。半导体基板检查装置是气体容器，位于容器中的气体，位于所述氦离子产生单元，所述氦气转换成氦离子气体容器的下方，位于避免检查器板的晶片台，晶片定位把氦气位于舞台上，接收该血液二次电子检测器，用于检测从所述测试基板中产生的电子，从连接到所述压缩机，所述压缩机用于压缩液氮商店液氮在连续氮气供给供给第一气态氮液氮dyuwo（杜瓦），和汽化液氮从液氮被提供dyuwo，其耦合到所述氦离子产生单元的气体容器上，并且冷却部件的第二气态氮冷却单元引起的氦离子，以它包括。

5. 发明公开

KR1020130082334A 반도체 기판 검사 장비 및 이를 이용한 반도체 기판 검사 방법 审中-实审
标题翻译：用于检查半导体基板的设备和使用该半导体基板检查半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020130082334A
公开(公告)日：2013-07-19
申请号：KR1020120003497
申请日：2012-01-11
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김민국 , 고우석 , 양유신 , 이상길 , 최창훈
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01J37/265 , H01J37/08 , H01J2237/002 , H01J2237/006 , H01J2237/0807
摘要： PURPOSE: An apparatus and method for inspecting a semiconductor substrate are provided to obtain the 3D information of a pattern formed on the semiconductor substrate by using a helium ion microscope. CONSTITUTION: A gas container (110) stores a helium gas. A helium ion source (100) changes the helium gas to a helium ion. A wafer stage (20) is located under the gas container. A secondary electron detector (30) detects electrons from a substrate under test. A compressor (150) receives a first nitrogen gas from a continuous nitrogen supply device and compresses the first nitrogen gas into liquid nitrogen. A liquid nitrogen dewar (140) is connected to the compressor and stores the liquid nitrogen.
摘要翻译：目的：提供一种用于检查半导体衬底的装置和方法，以通过使用氦离子显微镜获得在半导体衬底上形成的图案的3D信息。构成：气体容器（110）存储氦气。氦离子源（100）将氦气转化为氦离子。晶片台（20）位于气体容器下方。二次电子检测器（30）从被测衬底检测电子。压缩机（150）从连续供氮装置接收第一氮气，并将第一氮气压缩成液氮。液氮杜瓦瓶（140）连接到压缩机并储存液氮。

6. 发明公开

KR1020110003565A 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR1020110003565A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：KR1020107026970
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드 , 마크워트,라스 , 아데르홀드,더크
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065 , H01J37/30 , H01J37/08
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： The present invention refers to a method that comprises the following steps: Providing an electrically conductive tip with a terminal shelf which has between three and twenty atoms, generating a first ion beam by interacting a gas with the electrically conductive tip, providing an ion optical system, eliminating by the ion optical system some of the ions in the first ion beam to generate a second ion beam comprising ions 70% or more of which are generated via interaction of the gas with one atom of the terminal shelf of the electrically conductive tip, and interacting the second ion beam with an activating gas to promote a chemical reaction at a surface of a sample. The figure shows a gas field ion microscope system (100).

7. 发明公开

KR1020080080354A 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR1020080080354A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：KR1020087016066
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드 , 마크워트,라스 , 아데르홀드,더크
IPC分类号： H01L21/265 , H01J37/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： Ion sources, systems and methods are disclosed.

8. 发明公开

KR1020080078026A 이온 소스, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR1020080078026A
公开(公告)日：2008-08-26
申请号：KR1020087015920
申请日：2006-11-15
申请人： 앨리스 코포레이션
发明人： 워드,빌리,더블유. , 노트,존,에이.4세 , 파카스,루이스,에스.3세 , 퍼시발,랜달,지. , 힐,레이몬드
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/3065 , H01J37/30
CPC分类号： H01J9/02 , H01J37/08 , H01J37/20 , H01J37/252 , H01J37/28 , H01J37/3056 , H01J37/3174 , H01J2237/024 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/20264 , H01J2237/2566 , H01J2237/2623 , H01J2237/2812 , H01J2237/30438 , H01J2237/30477 , H01J2237/31737 , H01J2237/3174 , H01J2237/31755
摘要： Ion sources, systems and methods are disclosed.

9. 发明授权

KR1019930001889B1 이온빔 노출마스크 失效
标题翻译：离子束曝光掩模
公开(公告)号：KR1019930001889B1
公开(公告)日：1993-03-19
申请号：KR1019870011307
申请日：1987-10-13
申请人： 세이코 엡슨 가부시키가이샤
发明人： 이와미쯔세이이찌
IPC分类号： H01J27/02
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J27/16 , H01J37/3174 , H01J2237/08 , H01J2237/0807 , H01J2237/0815 , H01J2237/31755 , H01J2237/31777 , H01J2237/31788
摘要： 내용 없음.

10. 发明公开

KR1020150022697A 수정 장치 审中-实审
标题翻译：维修设备
公开(公告)号：KR1020150022697A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：KR1020140108335
申请日：2014-08-20
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스
发明人： 아라마키후미오 , 야사카안토 , 마츠다오사무 , 스기야마야스히코 , 오바히로시 , 고자카이도모카즈 , 아이타가즈오
IPC分类号： G03F1/72 , H01L21/027
CPC分类号： G21K5/04 , G21K1/14 , H01J37/08 , H01J37/3053 , H01J2237/0807 , H01J2237/202 , H01J2237/31744
摘要： 시료에의 손상이 작고, 장기간에 걸쳐 안정되고 또한 효율적으로 마스크 등의 미세 개소의 수정을 행한다. 수정 장치(10)는, 첨예화된 팁을 가지는 가스 전계 전리 이온원과, 팁을 냉각하는 냉각 수단과, 가스 전계 전리 이온원에서 발생한 가스의 이온을 집속시켜 집속 이온 빔을 형성하는 이온 빔 경통(11)과, 이온 빔 경통(11)에 의해 형성된 집속 이온 빔이 조사되는 시료를 설치하여 이동 가능한 시료 스테이지(15)와, 시료 스테이지(15)를 내장하는 시료실(13)과, 집속 이온 빔에 의해서 시료로서의 마스크(14) 또는 나노 임프린트 리소그래피의 몰드를 수정하는 제어부(20)를 적어도 구비한다. 가스 전계 전리 이온원은, 이온을 질소로 하고, 이온을 발생 가능한 단일 정점을 가지는 이리듐 단결정에 의해 구성된 팁을 구비한다.
摘要翻译：本发明涉及一种能够在掩模的微细部件上长时间稳定且有效地进行修复修改的装置以及对样品的损伤较少的装置。装置（10）至少包括：包括尖锐尖端的气田电离离子源; 一个冷却装置冷却尖端; 离子束体管（11），其浓缩在所述气体电离离子源中产生的气体的离子，形成聚焦离子束; 可动样品台（15），其中用离子束体管（11）形成的聚焦离子束照射样品; 其中嵌入有所述样品台（15）的样品室（13）以及通过浓缩离子束修复样品掩模（14）或纳米压印光刻的模具的控制部件（20）。气田电离离子源具有氮作为离子，并且包括由具有产生离子的单峰的铱单晶组成的尖端。

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