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1. 发明授权

KR100491049B1 정보기록매체와 그 제조방법 有权
标题翻译：信息记录介质及其制造方法
公开(公告)号：KR100491049B1
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020037017242
申请日：2000-03-10
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마다노보루 , 고지마리에 , 마츠나가도시유키 , 가와하라가츠미
IPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/26
CPC分类号： G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
摘要： 본 발명은 기판상에 전기 에너지 또는 전자파 에너지에 의해 전기적 또는 광학적으로 검출 가능한 상태간에 가역적 상전이를 일으키는 것이 가능한 기록 재료층을 구비한 정보기록매체로서, 상기 기록층을 형성하는 기록재료가 상기 가역적 상변화의 하나의 상에서 격자 결손을 포함하는 결정구조를 가지는 재료, 또는 상기 가역적 상변화의 하나의 상에서 격자 결손을 포함하는 결정부분과 비정질 부분으로 구성되는 복합상을 가지고, 상기 결정부분과 비정질 부분이 공통의 원소를 포함하는 재료이고, 또한 상기 격자 결손의 적어도 일부가 상기 결정구조를 구성하는 원소 이외의 원소로 메워져 있는 정보기록매체로 함으로써, 기록재생의 반복에 의한 기록특성이나 재생특성의 변동이 작고, 내후성에도 뛰어나 조성 변동에 강하고, 또한 특성의 제어� �� 용이한 기록 박막을 구비한 기록매체를 제공하는 것이다.

2. 发明公开

KR1020040042387A 탐침형 정보 저장 장치용 기록매체의 제조방법 无效
标题翻译：用于制作探头类型信息记录介质的方法
公开(公告)号：KR1020040042387A
公开(公告)日：2004-05-20
申请号：KR1020020070672
申请日：2002-11-14
申请人： 엘지전자 주식회사
发明人： 남효진
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B9/1472 , G11B9/04 , G11B9/149
摘要： PURPOSE: A method for making an information recording medium for a probe type is provided to prevent the oxidation and the abrasion of a recording/playback process by forming a protecting film on a phase transition recording medium, and increase a recording/playback speed and prevent the abrasion by flattening the recording medium. CONSTITUTION: An electrode(101), the phase transition recording medium, and a conductive protecting film are sequentially deposited on a silicon wafer(100). A photo-resist film is formed on the conductive protecting film and a photo-resist pattern is patterned by a photo-lithography process. A conductive protecting film pattern(103a) and the phase transition recording medium pattern(102a) are formed by etching the conductive protecting film and the phase transition recording medium, and the photo-resist pattern is removed. The phase transition recording medium pattern is electrically insulated and an insulation film preventing the oxidation of the phase transition recording medium is deposited. The flattened insulation film(105a) is obtained by polishing/flattening the insulation file.
摘要翻译：目的：提供一种用于制作用于探针类型的信息记录介质的方法，以通过在相变记录介质上形成保护膜来防止记录/重放过程的氧化和磨损，并且提高记录/重放速度并防止通过使记录介质变平的磨损。构成：在硅晶片（100）上依次沉积电极（101），相变记录介质和导电保护膜。在导电保护膜上形成光致抗蚀剂膜，通过光刻工艺对光致抗蚀剂图案进行图案化。通过蚀刻导电保护膜和相变记录介质形成导电保护膜图案（103a）和相变记录介质图案（102a），并除去光刻胶图案。相变记录介质图案是电绝缘的，并且沉积防止相变记录介质的氧化的绝缘膜。平坦化的绝缘膜（105a）通过抛光/压平绝缘锉来获得。

3. 发明公开

KR1020090027208A 시크-스캔 프로브(ＳＳＰ) 메모리 저장 장치용 비트 소거 아키텍처 有权
标题翻译： SEEK-SCAN PROBE（SSP）存储器的BIT-ERASING ARCHITECTURE
公开(公告)号：KR1020090027208A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：KR1020087030503
申请日：2007-06-26
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 마,칭 , 라오,발루리,알. , 주,종관,알렌
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1436 , G11B9/1472 , H01L45/06
摘要： An apparatus comprising a substrate, a heater formed on the substrate, and a phase-change layer formed on the heater. The heater comprises a heater layer and first and second electrodes electrically coupled to the heater layer. A process comprising forming a heater on a substrate and forming a phase-change layer on the heater. The heater comprises a heater layer and first and second electrodes electrically coupled to the heater layer.
摘要翻译：一种包括基板，形成在基板上的加热器和形成在加热器上的相变层的装置。加热器包括加热器层和电耦合到加热器层的第一和第二电极。一种方法，包括在基底上形成加热器并在加热器上形成相变层。加热器包括加热器层和电耦合到加热器层的第一和第二电极。

4. 发明公开

KR1020070038026A 정보 기록 매체 有权
标题翻译：信息记录介质
公开(公告)号：KR1020070038026A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020067009544
申请日：2005-05-19
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 고지마리에 , 야마다노보루
IPC分类号： G11B7/241 , B41M5/26
CPC分类号： G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B9/04 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10T428/21
摘要： 광을 조사(照射)함으로써, 또는 전기적 에너지를 인가함으로써 정보를 기록 재생하는 정보 기록 매체에 있어서, 가역적 상변화(相變化)를 일으키는 기록층을, Ge, Bi, Te 및 원소 M을 함유하고, (GeTe)
x [(M
2 Te
3 )
y (Bi
2 Te
3 )
1-y ]
100-x (mol％)(식에서, M은 Al, Ga 및 In으로부터 선택되는 최소한 하나의 원소를 나타내고, x 및 y는, 80≤x＜100, 0＜y≤0.9를 만족시킨다)로 표시되는 재료를 포함하도록 형성함으로써, 높은 선속도 또한 넓은 선속도 범위에서, 높은 소거 성능과 우수한 기록 보존성이 확보된 정보 기록 매체를 얻을 수 있다.
摘要翻译：用于通过照射光或通过施加电能来记录和再现信息的信息记录介质的特征在于，引起可逆相变的记录层包括Ge，Bi，Te和元素M，（的GeTe）

5. 发明公开

KR1020060132640A 메모리 디바이스, 정보 저장 방법, 방법 및 구조화된 재료 无效
标题翻译：存储器件，信息存储过程，过程和结构化材料
公开(公告)号：KR1020060132640A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020067013780
申请日：2004-12-09
申请人： 리오타 피티와이 엘티디
发明人： 윌리암스,제임스,스타니슬라브 , 브래드비,조디,엘리자베스 , 스와인,마이클,빈센트
IPC分类号： G11C11/00 , B82Y10/00
CPC分类号： G11C13/0004 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1418 , G11B9/1427 , G11B9/1436 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B2005/0021 , G11C11/5678
摘要： A memory device, including a plurality of nanoscale memory cells (1510, 1512) created by applying pressure to and removing pressure from one or more regions (1510, 1512) of a substance (1502) to change the electrical conductivity of those regions (1510, 1512). An electrically conductive read probe (1514) determines the conductivities of the regions and thereby the information stored in the cells. A write probe (1508) applies pressure to and removes pressure from selected cells to change the electrical conductivity of those cells and thereby store or erase information.
摘要翻译：一种存储器件，包括通过向物质（1502）的一个或多个区域（1510,1512）施加压力并去除压力而产生的多个纳米级存储器单元（1510,1512），以改变这些区域（1510,1512）的电导率，1512）。导电读取探针（1514）确定区域的电导率，从而确定存储在单元中的信息。写入探针（1508）向所选择的单元施加压力并去除压力，以改变这些单元的电导率，从而存储或擦除信息。

6. 发明公开

KR1020020043119A 접촉 저항 측정을 이용한 정보 저장 장치 및 그 기록과재생 방법 失效
标题翻译：使用接触电阻测量和书写/读取方法的数据存储设备
公开(公告)号：KR1020020043119A
公开(公告)日：2002-06-08
申请号：KR1020000072596
申请日：2000-12-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 최재준 , 전종업 , 신정규
IPC分类号： G11B9/14
CPC分类号： G11B9/1463 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/14
摘要： PURPOSE: A data storage device is provided to make the size of a bit smaller as increasing a data reading speed, and to obtain a bigger signal to noise ratio, thereby solving a retention problem and problems of the data reading speed and an S/N ratio. CONSTITUTION: A data writing process is as follows. A conductor layer(34) is formed on top of a silicone substrate(35). An insulation layer(33) is formed on the conductor layer. When a current is applied to a metal electrode of a cantilever(32), a silicone tip(31) emits heat. If a demanded part of a polymer is heated by the heat, the polymer melts. A hole(38) pierced through the surface of the conductor layer is formed on a position where the polymer melts. The hole is used as one data bit. A data reading process is as follows. If the silicone tip scans the top of the polymer, the silicone tip falls into the hole, generating a short between the silicone tip and the conductor layer. An output voltage value is changed. An external voltage meter reads the changed value, to read a data bit.
摘要翻译：目的：提供一种数据存储装置，使数据读取速度随着数据读取速度的增加而减小一点，并获得更大的信噪比，从而解决了保留问题以及数据读取速度和S / N问题比。规定：数据写入过程如下。导体层（34）形成在硅基底（35）的顶部上。绝缘层（33）形成在导体层上。当将电流施加到悬臂（32）的金属电极时，硅胶尖端（31）发热。如果聚合物的要求部分被热量加热，则聚合物熔化。穿过导体层表面的孔（38）形成在聚合物熔融的位置上。该孔用作一个数据位。数据读取过程如下。如果硅胶尖端扫描聚合物的顶部，则硅胶尖端落入孔中，在硅胶尖端和导体层之间产生短路。输出电压值变化。外部电压表读取更改的值，读取数据位。

7. 发明公开

KR1020160131097A Al-Te-Cu-Zr 합금으로 이루어지는 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：包含Al-Te-Cu-Zr合金的Al-Te-Cu-Zr溅射靶及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160131097A
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：KR1020167028078
申请日：2015-02-06
申请人： 제이엑스금속주식회사
发明人： 고이도요시마사
IPC分类号： C23C14/34 , C22C21/00 , C22C30/02 , H01L45/00
CPC分类号： C23C14/3414 , B22D7/005 , B22F3/14 , B22F9/04 , B22F9/22 , B22F2201/013 , B22F2201/10 , B22F2201/20 , B22F2301/052 , B22F2301/10 , B22F2301/205 , B22F2304/058 , B22F2304/10 , B22F2998/10 , C22C1/02 , C22C1/04 , C22C21/00 , C22C28/00 , C22C30/02 , C23C14/14 , G11B9/04 , H01L45/04 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： Te 를 20 at% ∼ 40 at% 함유하고, Cu 를 5 at% ∼ 20 at% 함유하고, Zr 을 5 at% ∼ 15 at% 함유하고, 잔부가 Al 로이루어지고, 타깃조직중에, Te 상, Cu 상및 CuTe 상이존재하지않는것을특징으로하는 Al-Te-Cu-Zr 합금스퍼터링타깃. 본발명은, 스퍼터링시의, 파티클의발생, 노듈의발생등을효과적으로억제하고, 또한타깃중에함유되는산소를감소시킬수 있는 Al-Te-Cu-Zr 합금스퍼터링타깃및 그제조방법을제공하는것을과제로한다.
摘要翻译：一种Al-Te-Cu-Zr合金溅射靶，其特征在于，Te为20〜40at％，Cu为5〜20at％，Zr为5〜15at％，Al为余量，Te相，目标结构中不存在Cu相和CuTe相。本发明的目的在于提供一种Al-Te-Cu-Zr合金溅射靶，其能够有效地防止溅射时形成颗粒，形成结节等，并且含有减少量的氧; 以及Al-Te-Cu-Zr合金溅射靶的制造方法。

8. 发明公开

KR1020100000688A 기록재생헤드, 이를 채용한 기록재생장치 및기록재생헤드의 제조방법 无效
标题翻译：读/写头，采用其的存储设备，读/写头的制造方法
公开(公告)号：KR1020100000688A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：KR1020080060280
申请日：2008-06-25
申请人： 시게이트 테크놀로지 인터내셔날
发明人： 고형수 , 정주환 , 김용관 , 박철민
IPC分类号： G11B5/127 , G11B9/04 , G11B9/02
CPC分类号： G11B5/1274 , G11B5/6082 , G11B9/02 , G11B9/04
摘要： PURPOSE: A read/write head, a storage device adopting the same, and a manufacturing method of the same are provided to increase a yield in the manufacturing process. CONSTITUTION: A sensing part sensing part(30) is formed on the upper side of a semiconductor substrate. The sensing part is located to be spaced from the upper side which is crossed with the semiconductor substrate. The sensing part reproduces the information in a recording medium. A pad for HGA(head gimbal assembly) is electrically connected to the sensing part. A part of the pad for HGA exposes to the cross section. An air bearing pattern(20) is formed on the upper side of the semiconductor substrate.
摘要翻译：目的：提供读/写头，采用其的存储装置及其制造方法，以提高制造过程中的产量。构成：在半导体衬底的上侧形成感测部件检测部（30）。传感部分位于与半导体衬底交叉的上侧隔开。感测部分再现记录介质中的信息。用于HGA（头万向节组件）的焊盘电连接到感测部件。 HGA焊盘的一部分露出横截面。在半导体基板的上侧形成有空气轴承图案（20）。

9. 发明公开

KR1020090129758A 정보기록매체 및 그의 제조방법 无效
标题翻译：信息记录介质及其制造方法
公开(公告)号：KR1020090129758A
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：KR1020080055839
申请日：2008-06-13
申请人： 시게이트 테크놀로지 인터내셔날
发明人： 김용관 , 김주호 , 정주환 , 고형수
IPC分类号： G11B9/02
CPC分类号： G11B9/02 , G11B9/04
摘要： PURPOSE: An information recording medium and a manufacturing method thereof are provided to heat locally an amorphous source material layer, thereby forming a plurality of crystallized ferroelectricity recording areas. CONSTITUTION: An information recording medium(100) comprises a recording layer(30). The recording layer has a plurality of recording areas(30a) which are separated by the inactive area(30b) of the recording layer. The recording area is the crystalline ferroelectricity area. The inactive area is the amorphous ferroelectricity area containing the source material of ferroelectricity. The source material comprises one among PbTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)TiO3, PbZrO3, KNbO3, LiTaO3, LiNbO3, and BiFeO3. The recording area comprises one among PbTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, (Pb,La)TiO3, PbZrO3, KNbO3, LiTaO3, LiNbO3, and BiFeO3.
摘要翻译：目的：提供信息记录介质及其制造方法以局部加热非晶质材料层，从而形成多个结晶铁电记录区域。构成：信息记录介质（100）包括记录层（30）。记录层具有由记录层的无效区域（30b）分开的多个记录区域（30a）。记录区是结晶铁电区。非活性区域是含有铁电源的非晶铁电区域。源材料包括PbTiO3，Pb（Zr，Ti）O3，（Pb，La）TiO3，PbZrO3，KNbO3，LiTaO3，LiNbO3和BiFeO3中的一种。记录区包括PbTiO3，Pb（Zr，Ti）O3，（Pb，La）TiO3，PbZrO3，KNbO3，LiTaO3，LiNbO3和BiFeO3中的一种。

10. 发明授权

KR100908957B1 데이터 판독/기입 디바이스 失效
标题翻译： 데이터판독/기입디바이스
公开(公告)号：KR100908957B1
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020060127038
申请日：2006-12-13
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구보고이찌 , 히라이다까히로 , 아오끼신야 , 카터로빈 , 가마따지까요시
IPC分类号： G11C13/02 , G11C5/14
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11C13/0007 , G11C13/0009 , G11C13/003 , G11C2213/12 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147
摘要： A data read/write device according to an example of the present invention includes a recording layer, and means for applying a voltage to the recording layer, generating a resistance change in the recording layer, and recording data. The recording layer is composed of a composite compound having at least two types of cation elements, at least one type of the cation element is a transition element having a “d” orbit in which electrons have been incompletely filled, and the shortest distance between the adjacent cation elements is 0.32 nm or less.
摘要翻译：根据本发明的一个示例的数据读/写设备包括记录层和用于向记录层施加电压，在记录层中产生电阻变化以及记录数据的装置。记录层由具有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，至少一种阳离子元素是具有“d”和“d”的过渡元素，其中电子不完全填充的轨道，并且相邻阳离子元素之间的最短距离为0.32nm或更小。

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