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1. 发明授权

KR100954164B1 금속 스트립의 연속적 열처리 과정 중 분위기 조절 방법 有权
标题翻译：金属条连续热处理过程中的气氛控制
公开(公告)号：KR100954164B1
公开(公告)日：2010-04-20
申请号：KR1020057004387
申请日：2003-09-11
申请人： 드르베르 엥떼르나씨오날 에스.아.
发明人： 라이끄,쟝-마르끄 , 크뤼트장,쟝-삐에르 , 도조뉴,에드가르 , 르나르,미쉘
IPC分类号： C21D9/56 , C21D1/76
CPC分类号： G11B33/0483 , C21D1/76 , C21D9/561 , C21D9/573 , C21D2241/01 , G11B33/0411
摘要： 본 발명은 스트립을 챔버내의 가열구역과 냉각구역에 통과시키는 단계, 질소와 제1 보호가스 분위기보다 더 많은 제2 함유량을 가지는 수소를 포함하는 조정된 제2 보호가스 분위기가 있는 냉각구역을 제외한 챔버 내에 질소와 제1 함유량을 가지는 수소를 포함하는 제1 보호가스 분위기를 형성하는 단계, 질소를 챔버 내로 도입시키는 단계, 상기 냉각구역으로 제2 보호가스 분위기보다 더 많은 제3 함유량을 가지는 수소를 함유하고 있는 보호가스를 도입시키는 단계, 상기 제1 보호가스 분위기를 가지고 있는 챔버의 한 구역과 상기 냉각구역 사이의 가스 교환을 형성하는 단계 그리고 상기 질소의 도입 유량과 상기 보호가스의 도입 유량을 조절하는 단계를 포함하는 금속 스트립을 열처리를 하는 방법에 관한 것이다.

2. 发明授权

KR100953818B1 가압된 냉각 기체를 사용한 금속 부품의 급속 냉각 방법 및 급속 냉각 장치 有权
标题翻译：使用加压冷却气体快速冷却金属零件的方法和安装
公开(公告)号：KR100953818B1
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：KR1020057004677
申请日：2003-01-09
申请人： 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 , 에뛰드 에 꽁스트뤽시옹 메까니끄
发明人： 도므흐귀,디디으 , 샤포뜨,플로항 , 골드스떼나,아이므히 , 쁠리시으,로항 , 르페브르린다
IPC分类号： C21D1/613
CPC分类号： C21D1/613 , C21D1/767 , C21D2241/01
摘要： 본 발명은, 대류 전달 계수를 최적화하기 위해, 복사 열전달 현상과 대류 열전달 현상을 조합함으로써 부품으로의 열전달을 개선하는 방식으로 선택된, 적외선을 흡수하는 하나(또는 다수)의 주요 기체를 포함하는 냉각 기체를 사용함을 특징으로 하는, 가압된 냉각 기체를 사용한 금속 부품의 급속 냉각 방법에 관한 것이다.
기체 담금질 경화, 대류 열전달, 복사 열전달, 적외선 흡수 기체, 냉각 기체

3. 发明公开

KR1020060066735A 재생 이용 시설을 사용한 가스 담금질 방법 无效
标题翻译：使用循环设施的气体猝灭方法
公开(公告)号：KR1020060066735A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020067003410
申请日：2004-08-10
申请人： 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레뜌드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드
发明人： 샤포뜨플로랑 , 블랑샤니꼴라스 , 드로벨올리비에 , 르페브르렝다
IPC分类号： C21D1/56 , C21D1/613 , C21D1/62
CPC分类号： C21D1/62 , C21D1/613 , C21D2241/01 , Y02P10/212
摘要： The invention relates to a gas quenching method of the type that makes use of (i) a quenching cell (V1) which is intended to receive objects to be quenched with a quenching gas and (ii) a buffer capacity (V2) which is designed to contain the quenching gas. The invention is characterised in that following a quenching operation, all or part of the gas contained in the cell (V1) is recycled in the following manner consisting in: obtaining a first intermediate storage balloon (V3) which can receive the quenching gas from the cell; after a quenching operation, performing one or more operations comprising the partial emptying of the contents of the cell (V1) into the first intermediate storage balloon (V3), by means of partial or total pressure balancing between the two volumes of the cell (V1) and the first intermediate storage balloon; transferring the gas stored in the first intermediate storage balloon (V3) to the buffer capacity (V2); and, if necessary, releasing part of the contents of the cell (V1) into the atmosphere.
摘要翻译：本发明涉及一种使用（i）淬火池（V1）的气体淬火方法，该淬火槽旨在接收用骤冷气体淬火的物体和（ii）设计的缓冲能力（V2）以容纳淬火气体。本发明的特征在于，在淬火操作之后，以下述方式循环包含在电池（V1）中的全部或部分气体，其特征在于：获得第一中间存储气球（V3），其可从细胞; 在淬火操作之后，通过在两个体积的电池（V1）之间的部分或全部压力平衡来执行包括将电池（V1）的内容物部分排空到第一中间存储气球（V3）中的一个或多个操作）和第一中间储存气囊; 将存储在第一中间存储气囊（V3）中的气体转移到缓冲容量（V2）; 并且如果需要，将单元（V1）的内容物的一部分释放到大气中。

4. 发明公开

KR1020070073826A 고압 가스 제트 충돌식 열처리 시스템 失效
标题翻译：高压气喷射喷射热处理系统
公开(公告)号：KR1020070073826A
公开(公告)日：2007-07-10
申请号：KR1020077009584
申请日：2005-10-31
申请人： 콘솔리데이티드 엔지니어링 캄파니, 인크.
发明人： 크래프톤스콧피. , 크래프톤폴엠. , 프렌치이안 , 서브라마니안쉥커
IPC分类号： C21D5/00 , F27B9/30 , C21D9/00 , F27B9/10
CPC分类号： C21D9/67 , B22D29/006 , C21D1/34 , C21D1/53 , C21D1/767 , C21D9/00 , C21D9/0037 , C21D9/0062 , C21D9/673 , C21D2241/01 , F27B9/024 , F27B9/025 , F27B9/10 , F27B9/16 , F27B9/20 , F27B9/3005 , F27B9/36
摘要： A furnace for heat treating a metal workpiece is provided. A method and system for processing a workpiece also are provided.
摘要翻译：提供了一种用于热处理金属工件的炉子。还提供了一种用于处理工件的方法和系统。

5. 发明公开

KR1020070046080A 스냅 디스크의 제조방법 有权
标题翻译：生产SNAP盘的方法
公开(公告)号：KR1020070046080A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：KR1020077001752
申请日：2005-07-05
申请人： 일렉트로닉 베르크스타테 잉그 웜 게엠베하
发明人： 웜,알프레드
IPC分类号： C21D9/00 , H01H37/54
CPC分类号： H01H37/54 , C21D9/0068 , C21D2241/01 , C21D2251/00 , H01H11/00
摘要： 본 발명은 서모스타트 바이메탈로 이루어진 스냅요소의 두 개의 스냅온도를 안정화하는 방법에 관한 것이다. 본 방법에 따르면, 필요한 열처리에 의해 기계적 단계들이 중단되지 않으므로 엠보싱된 스냅요소가 높은 시효온도에서 다수회 편평하게 가압된다. 스냅요소들은 상기 과정중에 자동생산장치 내에 유지된 후 상기 자동장치 내에서 더욱 처리될 수 있다.
서모스타트, 바이메탈, 스냅요소, 디스크

6. 发明公开

KR1020130076376A 가압 공정을 위한 압력셀 구조 및 이를 이용한 철강 조직의 제어 방법 有权
标题翻译：用于压制工艺的压力单元结构及其使用的钢微结构的控制方法
公开(公告)号：KR1020130076376A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：KR1020110144940
申请日：2011-12-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 강전연
IPC分类号： C21D1/00
CPC分类号： C21D1/773 , C21D2211/006 , C21D2241/01 , C22C23/00
摘要： PURPOSE: A pressure cell structure for a pressing process and a control method of a steel microstructure using thereof are provided to control to a desired micro-structure and a physical property in a case of having a low hardenability such as a low-carbon steel. CONSTITUTION: A pressure cell comprises a pressure transmission layer (110), a melting layer (120), and an impurity barrier layer (130). An outer shape is comprised of the pressure transmission layer. The melting layer corresponds to an outer shape of the pressure transmission layer, and is positioned inside the pressure transmission layer. The impurity barrier layer corresponds to an outer shape of the melting layer, and is positioned inside the melting layer. An object material is accommodated inside the impurity barrier layer. The pressure transmission layer comprises graphite, pyrophyllite, and a magnesium oxide, or a ziconium oxide.
摘要翻译：目的：提供一种用于压制方法的压力单元结构及其使用的钢微结构的控制方法，以在具有低淬硬性的低淬硬性的低淬透性的情况下控制所需的微结构和物理性能。构成：压力传感器包括压力传递层（110），熔化层（120）和杂质阻挡层（130）。外形由压力传递层构成。熔融层对应于压力传递层的外形，位于压力传递层内。杂质阻挡层对应于熔融层的外形，位于熔融层的内部。物体材料容纳在杂质阻挡层内。压力传递层包括石墨，叶蜡石和氧化镁，或氧化锆。

7. 发明授权

KR100591355B1 핫가스 담금질 장치 및 핫가스 열처리방법 有权
标题翻译：热气淬火装置和热气加热方法
公开(公告)号：KR100591355B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020047015146
申请日：2002-10-23
申请人： 타니구치 히로히사
发明人： 타니구치히로히사
IPC分类号： C21D1/19 , C21D1/18 , C21D1/74 , C21D1/76
CPC分类号： C21D1/767 , C21D1/20 , C21D1/22 , C21D1/613 , C21D2241/01
摘要： 오스템퍼링, 승온 오스템퍼링, 마르템퍼링, 마르켄칭 시에, 각종의 고품질 열처리를 염욕과 상이한 100~400℃의 불활성가스로 이루어지는 핫가스를 이용하여 효율적으로 행할 수 있는 핫가스 담금질장치 및 핫가스 열처리시스템을 제공한다. 순환로를 제1(고온용) 및 제2(저온용)의 2개의 유로로 분기하고, 양 유로에 구비된 제어창의 개방도를 조절하면서 상기 제1 및 제2 유로의 종단 위치에 구비한 믹서 출력온도를 중간온도로 제어하는 기본형의 핫가스 담금질장치. 진공로의 경우에는 도입 불활성 가스를 중간온도로 예열하는 것으로 한 가스예열형 핫가스 담금질장치. 제1 유로에 소요량의 접촉재를 배치한 핫가스 담금질장치. 유로를 분기시키지 않은 순환로 내에 대량의 접촉재를 배치한 도가니형 핫가스 담금질장치. 이들 예열로 등과의 조합시스템.
담금질, 핫가스, 가공물, 불활성가스, 급랭, 상온, 등온, 제어

8. 发明公开

KR1020050042201A 금속 스트립의 연속적 열처리 과정 중 분위기 조절 방법 有权
标题翻译：金属连续加热处理过程中的大气控制
公开(公告)号：KR1020050042201A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：KR1020057004387
申请日：2003-09-11
申请人： 드르베르 엥떼르나씨오날 에스.아.
发明人： 라이끄,쟝-마르끄 , 크뤼트장,쟝-삐에르 , 도조뉴,에드가르 , 르나르,미쉘
IPC分类号： C21D9/56 , C21D1/76
CPC分类号： G11B33/0483 , C21D1/76 , C21D9/561 , C21D9/573 , C21D2241/01 , G11B33/0411
摘要： The invention concerns a method for metal strip heat treatment comprising: passing the strip inside a chamber through a heating zone, and a cooling zone, and establishing a first protective gas atmosphere containing nitrogen and a first hydrogen content in the chamber, except for the cooling zone, wherein is adjusted a second protective gas atmosphere containing nitrogen and a second hydrogen content higher than the first, introducing nitrogen into the chamber, injecting protective gas containing a third hydrogen content higher than said second content in said cooling zone, producing a gas exchange between one zone of the chamber having said first protective gas atmosphere and said cooling zone, and controlling the flow of said introduction and said injection.
摘要翻译：本发明涉及一种用于金属带热处理的方法，包括：将条带在室内通过加热区和冷却区，并且在室内建立包含氮和第一氢含量的第一保护气体气氛，除了冷却其中调节含有氮和第二氢含量高于第一保护气体的第二保护气体气氛，将氮气引入室中，在所述冷却区中注入含有高于所述第二含量的第三氢含量的保护气体，产生气体交换在具有所述第一保护气体气氛的室的一个区域和所述冷却区之间，并且控制所述引入和所述注入的流动。

9. 发明授权

KR101230785B1 고압 가스 제트 충돌식 열처리 시스템 失效
标题翻译：高压气喷射喷射热处理系统
公开(公告)号：KR101230785B1
公开(公告)日：2013-02-08
申请号：KR1020077009584
申请日：2005-10-31
申请人： 콘솔리데이티드 엔지니어링 캄파니, 인크.
发明人： 크래프톤스콧피. , 크래프톤폴엠. , 프렌치이안 , 서브라마니안쉥커
IPC分类号： C21D5/00 , F27B9/30 , C21D9/00 , F27B9/10
CPC分类号： C21D9/67 , B22D29/006 , C21D1/34 , C21D1/53 , C21D1/767 , C21D9/00 , C21D9/0037 , C21D9/0062 , C21D9/673 , C21D2241/01 , F27B9/024 , F27B9/025 , F27B9/10 , F27B9/16 , F27B9/20 , F27B9/3005 , F27B9/36
摘要： 금속 작업편을 열처리하기 위한 노가 제공된다. 작업편을 가공하기 위한 방법 및 시스템이 또한 제공된다.
금속 작업편, 열처리, 노, 유체 충돌 장치, 고압 가열 구역

10. 发明授权

KR101193491B1 스냅 디스크의 제조방법 有权
标题翻译：生产SNAP盘的方法
公开(公告)号：KR101193491B1
公开(公告)日：2012-10-22
申请号：KR1020077001752
申请日：2005-07-05
申请人： 일렉트로닉 베르크스타테 잉그 웜 게엠베하
发明人： 웜,알프레드
IPC分类号： C21D9/00 , H01H37/54
CPC分类号： H01H37/54 , C21D9/0068 , C21D2241/01 , C21D2251/00 , H01H11/00
摘要： 본 발명은 서모스타트 바이메탈로 이루어진 스냅요소의 두 개의 스냅온도를 안정화하는 방법에 관한 것이다. 본 방법에 따르면, 필요한 열처리에 의해 기계적 단계들이 중단되지 않으므로 엠보싱된 스냅요소가 높은 시효온도에서 다수회 편평하게 가압된다. 스냅요소들은 상기 과정중에 자동생산장치 내에 유지된 후 상기 자동장치 내에서 더욱 처리될 수 있다.
서모스타트, 바이메탈, 스냅요소, 디스크

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