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1. 发明授权

KR101603032B1 합성 단결정 다이아몬드 물질의 제조 방법 有权
标题翻译：制造合成单晶金刚石材料的工艺
公开(公告)号：KR101603032B1
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：KR1020147028767
申请日：2013-03-13
申请人： 엘리먼트 씩스 테크놀로지스 리미티드
发明人： 보르세디트리히 , 구라유겐 , 닷지칼튼나이겔 , 스피츠레이몬드안소니
IPC分类号： B01J3/06 , C01B31/06 , C30B29/04
CPC分类号： C30B9/00 , B01J3/067 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/8892 , B01J2203/0625 , B01J2203/068 , C30B29/04
摘要： 본발명은다수의합성단결정다이아몬드의제조방법에관한것으로서, 상기방법은, 각각의시드패드가불활성홀더에고정되거나상기홀더중에매몰된다수의단결정다이아몬드시드를포함하는다수의시드패드를형성시키는단계; 탄소원, 금속촉매, 및상기다수의시드패드를캡슐에로딩하는단계; 상기캡슐을고압고온(HPHT) 프레스에로딩하는단계; 상기캡슐에 HPHT 성장주기를가하여상기다수의단결정다이아몬드시드상에단결정다이아몬드물질을성장시키는단계를포함하고, 상기 HPHT 성장주기는압력및 온도를증가시킴으로써상기다수의단결정다이아몬드시드상에단결정다이아몬드물질의 HPHT 성장을개시시키는단계; 압력및 온도를조절하고유지시킴으로써압력구동된성장공정을통해상기다수의단결정다이아몬드시드상에단결정다이아몬드물질의 HPHT 성장을유지시키는단계; 압력및 온도를감소시킴으로써상기다수의단결정다이아몬드시드상에단결정다이아몬드물질의 HPHT 성장을종결시키는단계를포함하고, 상기다수의단결정다이아몬드시드는상기 HPHT 성장주기동안상기불활성홀더에고정되거나상기홀더중에매몰된채로남아있는다.

2. 发明授权

KR100575905B1 결정 성장물 有权
标题翻译：水晶成长
公开(公告)号：KR100575905B1
公开(公告)日：2006-05-02
申请号：KR1020007006374
申请日：1998-12-10
申请人： 드 비어스 인더스트리얼 다이아몬즈 (프로프라이어터리) 리미티드
发明人： 다비스지오프레이죤 , 채프만레이몬드알버트 , 스테워트아울레테 , 헤드게스레슬레이케이
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068
摘要： 본 발명은 결정 집괴, 특히 결정 크기가 100μ 미만이고 상기 결정 집괴의 대부분이 마면 단결정인 다이아몬드 결정 집괴를 제공한다. 또한 본 발명은 승온 및 승압 조건, 상기 결정중 밀러 지수가 낮은 표면 및 밀러 지수가 높은 표면 사이의 표면 자유 에너지 차이에 적어도 부분적으로 의존하는 결정 성장을 위해 필요한 과포화 원동력을 이용하는 결정 집괴의 제조 방법을 제공한다. 바람직하게는, 상기 방법은 울프 효과가 우세한 조건하에서 실행된다.

3. 发明公开

KR1020030036614A ＭｇＢ2 단결정체와 그 제조방법 및 ＭｇＢ2 단결정체를포함하는 초전도재료 失效
标题翻译： MgB2단결정및법및MgB2단결榛함를함초초초도도재재재
公开(公告)号：KR1020030036614A
公开(公告)日：2003-05-09
申请号：KR1020037000725
申请日：2002-05-21
申请人： 자이단 호진 고쿠사이 초덴도 산교 기쥬츠 겐큐 센타
发明人： 리세르게이로마노비치 , 야마모토아야코 , 다지마세쓰코
IPC分类号： C30B29/10
CPC分类号： C01B35/04 , B01J3/062 , B01J2203/0605 , B01J2203/0645 , B01J2203/068 , Y10T29/49014 , Y10T29/49117
摘要： 본 발명은 MgB
2 단결정체의 제조수단을 확립하고, 그 이방성초전도특성을 이용한 유용한 초전도재료(선재 등)의 제공을 목적으로 하는 것이다. Mg과 B의 혼합원료 또는 이들을 반응시켜 얻은 MgB
2 미결정을 포함하는 전구체를 육방정 BN과 접촉시킨 상태에서 고온고압하(1300∼1700℃, 3∼6 GPa)에 유지하여 반응시켜, 중간생성물을 거쳐 이방성이 있는 초전도특성을 갖는 MgB
2 단결정체를 육성한다. 이 단결정체는 자장(磁場)을 거는 방향에 따라서는 불가역자계가 제 2 임계(臨界)자계의 95% 이상으로 되는 특징을 갖기 때문에, 결정방향의 조정에 의해 우수한 특성을 갖는 초전도재료가 된다. 또, 상기 반응시에, Mg 등의 환원제를 공존시켜 두거나, 반응 중에 생기는 융액(融液)에 온도구배를 발생하게 하거나 하는 것이 단결정성장에 유리하다.
摘要翻译：本发明旨在建立用于制造MB2单晶的手段并且提供利用其各向异性超导特性的有用的超导材料（线材等）。通过使Mg和B的混合原料与六方晶氮化硼（hBN）保持接触而获得的Mg和B的混合原料或包含MgB 2微晶的前体在高温下保持在 1300〜1700℃，3〜6GPa的高压下进行反应，生成中间生成物的反应，经由中间生成物生长具有各向异性超导特性的MB2单晶。单晶具有这样的特征，即，根据施加磁场的方向，不可逆磁场强度等于第二磁场强度的不小于95％，从而导致其晶体取向的调整生产性能优异的超导材料。此外，在实现单晶的生长以使反应时引起诸如Mg等的还原剂共存或者在反应过程中提供熔融物的温度梯度方面是有用的。＆lt;图像＆GT;

4. 发明公开

KR1020010006017A 연마공구, 연마공구 보디 형성방법, 다이아몬드 그릿층 형성방법, 촉매층 형성방법 및 다이아몬드 원소재 형성방법 失效
标题翻译：研磨工具，抛光工具体形成方法，金刚石磨粒层形成方法，催化剂层形成方法和金刚石原材料形成方法
公开(公告)号：KR1020010006017A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019997009095
申请日：1998-03-26
申请人： 성 치엔 민
发明人： 성치엔민
IPC分类号： B24D11/00
CPC分类号： E21B10/5676 , B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0645 , B01J2203/0655 , B01J2203/066 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B22F2005/001 , B22F2999/00 , B23P15/28 , B24D7/066 , B24D99/005 , C22C1/051 , C22C26/00 , C22C2204/00 , B22F2207/03 , B22F3/004 , B22F2003/1046 , B22F1/0011
摘要： 본발명은소정의패턴으로분산된연마재입자를포함하는신규의연마공구에관한것이다. 이러한패턴은평면슬라이스를조립한다음, 이들을입체공구로조립및 경화시켜제조된다. 연마재입자는이들평면슬라이스를제조하는공정중에결합하거나, 또는매트릭스분말을함유하는이들슬라이스내에차후에이식할수 있다. 차후에이식하는경우, 이식은특정의패턴으로위치된개구를가진템플레이트에의해안내될수 있다.

5. 发明授权

KR1019960008933B1 다이아몬드 입자의 제조방법 失效
标题翻译：金刚石颗粒的制造方法
公开(公告)号：KR1019960008933B1
公开(公告)日：1996-07-10
申请号：KR1019880004643
申请日：1988-04-23
申请人： 드비어스 인더스트리얼 다이어몬드 디비젼프로 프리어터리리미티드
发明人： 마이클레스터피쉬
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068

6. 发明公开

KR1020150040871A 입방정 질화 붕소의 기능화 및 이들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译： CUBIC BORON NITRIDE的功能化及其制备方法
公开(公告)号：KR1020150040871A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：KR1020157002038
申请日：2013-07-26
申请人： 다이아몬드 이노베이션즈, 인크.
发明人： 장카이 , 롱크리스토퍼
IPC分类号： B24D3/06 , B24D5/00 , B24D18/00 , B01J3/06
CPC分类号： B24D3/06 , B01J3/062 , B01J2203/062 , B01J2203/063 , B01J2203/0635 , B01J2203/0645 , B01J2203/0655 , B01J2203/066 , B01J2203/068 , B24D5/00 , B24D18/0009
摘要： 초연삭재료및 이초연삭재료를제조하는방법이제안된다. 상기초연삭재료는초연삭결정 (12) 및다수의입자들 (14) 을포함할수 있다. 상기다수의입자들은초연삭결정 (12) 내에포함될수 있다. 상기다수의입자들은비촉매재료를포함할수 있다. 상기초연삭재료는입방정질화붕소 (cBN) 의단결정구조를포함할수 있다.

7. 发明授权

KR101196089B1 다이아몬드 다결정체 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101196089B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020127018148
申请日：2011-08-10
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 스미야히토시 , 야마모토가츠코 , 사토다케시 , 아리모토게이코
IPC分类号： C01B31/06 , B23B27/14 , B23B51/00
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B23B2226/315 , B23C2226/315 , B24B53/12 , B24D3/00 , C01B32/25 , Y10T83/0215 , Y10T83/0333 , Y10T83/0385 , Y10T83/929 , Y10T83/9372 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要： 다이아몬드 다결정체는, 입방정 다이아몬드와, 육방정 다이아몬드를 포함하고, 입방정 다이아몬드의 (111)면에 관한 X선 회절 피크 강도에 대한 육방정 다이아몬드의 (100)면의 X선 회절 피크 강도의 비율이 0.01% 이상이다. 또한, 본 다이아몬드 다결정체의 제조 방법은, 그래파이트화도가 0.58 이하인 비다이아몬드형 탄소 재료를 준비하는 공정과, 비다이아몬드형 탄소 재료를, 다이아몬드가 열역학적으로 안정된 압력 및 온도의 조건 하에서, 소결 조제 및 결합제 모두를 첨가하지 않고 직접적으로 입방정 다이아몬드 및 육방정 다이아몬드로 변환시키고 소결시키는 공정을 포함한다.

8. 发明公开

KR1020120088882A 다이아몬드 다결정체 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：金刚石多晶及其生产工艺
公开(公告)号：KR1020120088882A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：KR1020127018148
申请日：2011-08-10
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 스미야히토시 , 야마모토가츠코 , 사토다케시 , 아리모토게이코
IPC分类号： C01B31/06 , B23B27/14 , B23B51/00
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , B01J2203/0685 , B23B2226/315 , B23C2226/315 , B24B53/12 , B24D3/00 , C01B32/25 , Y10T83/0215 , Y10T83/0333 , Y10T83/0385 , Y10T83/929 , Y10T83/9372 , Y10T428/24975 , Y10T428/265 , B23B27/14 , B23B51/00
摘要： 다이아몬드 다결정체는, 입방정 다이아몬드와, 육방정 다이아몬드를 포함하고, 입방정 다이아몬드의 (111)면에 관한 X선 회절 피크 강도에 대한 육방정 다이아몬드의 (100)면의 X선 회절 피크 강도의 비율이 0.01% 이상이다. 또한, 본 다이아몬드 다결정체의 제조 방법은, 그래파이트화도가 0.58 이하인 비다이아몬드형 탄소 재료를 준비하는 공정과, 비다이아몬드형 탄소 재료를, 다이아몬드가 열역학적으로 안정된 압력 및 온도의 조건 하에서, 소결 조제 및 결합제 모두를 첨가하지 않고 직접적으로 입방정 다이아몬드 및 육방정 다이아몬드로 변환시키고 소결시키는 공정을 포함한다.

9. 发明授权

KR100863619B1 ＭｇＢ2 단결정체와 그 제조방법 및 ＭｇＢ2 단결정체를포함하는 초전도재료 失效
标题翻译： MGB2单晶及其生产方法，含有MGB2单晶的超导材料
公开(公告)号：KR100863619B1
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：KR1020037000725
申请日：2002-05-21
申请人： 자이단 호진 고쿠사이 초덴도 산교 기쥬츠 겐큐 센타
发明人： 리세르게이로마노비치 , 야마모토아야코 , 다지마세쓰코
IPC分类号： C30B29/10
CPC分类号： C01B35/04 , B01J3/062 , B01J2203/0605 , B01J2203/0645 , B01J2203/068 , Y10T29/49014 , Y10T29/49117
摘要： 본 발명은 MgB
2 단결정체의 제조수단을 확립하고, 그 이방성초전도특성을 이용한 유용한 초전도재료(선재 등)의 제공을 목적으로 하는 것이다. Mg과 B의 혼합원료 또는 이들을 반응시켜 얻은 MgB
2 미결정을 포함하는 전구체를 육방정 BN과 접촉시킨 상태에서 고온고압하(1300∼1700℃, 3∼6 GPa)에 유지하여 반응시켜, 중간생성물을 거쳐 이방성이 있는 초전도특성을 갖는 MgB
2 단결정체를 육성한다. 이 단결정체는 자장(磁場)을 거는 방향에 따라서는 불가역자계가 제 2 임계(臨界)자계의 95% 이상으로 되는 특징을 갖기 때문에, 결정방향의 조정에 의해 우수한 특성을 갖는 초전도재료가 된다. 또, 상기 반응시에, Mg 등의 환원제를 공존시켜 두거나, 반응 중에 생기는 융액(融液)에 온도구배를 발생하게 하거나 하는 것이 단결정성장에 유리하다.

10. 发明授权

KR100269924B1 합성 다이아몬와 그 제조방법 失效
标题翻译：合成金刚石及其制造方法
公开(公告)号：KR100269924B1
公开(公告)日：2000-11-01
申请号：KR1019940025640
申请日：1994-10-07
申请人： 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤
发明人： 히토시수미야 , 쉬이찌사토 , 요시키니시바야시
IPC分类号： B01J3/06
CPC分类号： B01J3/062 , B01J2203/061 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/068 , C01B32/25 , C01B33/06
摘要： 질소 함량이 10ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 이하이며 붕소 함량이 1ppm 이하, 바람직하게는 0.1ppm 이하 또는 결정중에 질소원자 및 붕소원자가 함유되고, 질소원자수 및 붕소원자수의 차이가 1×10
17 원자/㎤ 이하인, 불순물, 결정결함, 스트레인 등이 적은 고순도의 합성 다이아몬드가 제공될 수 있다. 스트레인이 적은 합성 다이아몬드는 온도차법에 의한 스트레인이 적은 합성 다이아몬드의 제조방법에 의하여 제조될 수 있는데, 이 방법은, 붕소 함량이 10ppm 이하인 탄소원 및 붕소함량이 1ppm 이하인 용매금속을 사용하고, 용매금속에 질소 제거제를 첨가함으로써 다이아몬드를 합성하는 방법을 포함한다.

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