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1. 发明授权

KR100610942B1 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： Varactor为电视调谐器的移动终端和制造方法一样
公开(公告)号：KR100610942B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020040103393
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 나가세히로유끼 , 최정규 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드를 포함하여 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여 본 발명에 의한 바렉터는, 종래 이동 전화 또는 PDA와 같은 휴대 단말기에서는 텔레비젼 방송을 수신하기 위해 DMB IC와 5V의 전압을 30V까지 승압하는 DC-DC 컨버터(승압회로), 그리고 30V용 바렉터 등으로 구성되는데 비하여, 간단한 구성으로 저전압 범위 즉, 0.5~5.0V 범위에서 텔레비젼 튜너의 동조 주파수를 제어할 수 있게 되고, 더불어 선형성이 우수한 CV
R 특성을 구현할 수 있어 방송 수신 효율도 향상된다.
휴대 단말기, 텔레비젼 튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드

2. 发明公开

KR1020060064757A 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：移动终端电视调谐器的变频器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060064757A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103393
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 나가세히로유끼 , 최정규 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드를 포함하여 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여 본 발명에 의한 바렉터는, 종래 이동 전화 또는 PDA와 같은 휴대 단말기에서는 텔레비젼 방송을 수신하기 위해 DMB IC와 5V의 전압을 30V까지 승압하는 DC-DC 컨버터(승압회로), 그리고 30V용 바렉터 등으로 구성되는데 비하여, 간단한 구성으로 저전압 범위 즉, 0.5~5.0V 범위에서 텔레비젼 튜너의 동조 주파수를 제어할 수 있게 되고, 더불어 선형성이 우수한 CV
R 특성을 구현할 수 있어 방송 수신 효율도 향상된다.
휴대 단말기, 텔레비젼 튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드

3. 发明公开

KR1020060064756A 바렉터 无效
标题翻译：变压器和制造方法相同
公开(公告)号：KR1020060064756A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103392
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최정규 , 김준식 , 나가세히로유끼 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드로 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여, 본 발명은 역바이어스 전압과 용량 상호간의 선형성이 높아짐으로써, 바렉터의 신뢰성이 향상된다.
튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드, 용량-역바이어스 전압 특성, 선형성

4. 发明公开

KR1020060019053A 압력 센서 失效
标题翻译：用于测量多压力的压力传感器
公开(公告)号：KR1020060019053A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040067506
申请日：2004-08-26
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 오동환
IPC分类号： G01L9/04 , G01L9/06
CPC分类号： G01L9/06 , B81C1/00158 , G01L9/0042 , G01L9/0092
摘要： 본 발명은 압력 센서에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 다이아프레임에 다수의 압저항 및 메탈 라인을 형성하고, 트리밍을 통하여 압력 범위를 조절할 수 있는 압력 센서를 제공하는데 있다.
이를 해결하기 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 하면에 이방성 에칭에 의해 요홈이 형성된 반도체 기판과, 반도체 기판의 상면에 일정 두께로 형성된 다이아프레임과, 다이아프레임의 네방향에 각각 일렬로 배열되어 형성된 다수의 압저항과, 각 압저항의 양단에 연결되어 외측 방향으로 일정길이 연장된 제1배선 라인과, 다수의 제1배선 라인에 공통으로 연결되어 외측 방향으로 일정 길이 연장된 제2배선 라인으로 이루어진 압력센서가 개시된다.
압력센서, 다이아프레임, 압저항, 메탈 라인, 반도체 기판

5. 发明公开

KR1020060010665A 종방향 트랜지스터 无效
标题翻译：垂直晶体管
公开(公告)号：KR1020060010665A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059436
申请日：2004-07-28
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 전본근
IPC分类号： H01L29/732
CPC分类号： H01L29/732 , H01L29/0646 , H01L29/66666 , H01L29/7392
摘要： 본 발명은 종방향 트랜지스터에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기생 트랜지스터로 인한 누설 전류를 억제하여 소자 성능을 향상시키는데 있다.
이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는, 다수개가 어레이되어 이루어진 종방향 트랜지스터의 최외측 또는 종방향 트랜지스터의 사이사이(종방향 파워 트랜지스터의 테두리와 중앙)에 N- 매입층과 연결되도록 딥 N+ 영역을 형성하고, 이러한 딥 N+ 영역을 P+ 콜렉터와 도전체를 이용하여 상호 전기적으로 연결한 구조를 특징으로 한다.
이와 같이 함으로써, 종방향 트랜지스터의 구조에 의해 파생된 NPN 기생 트랜지스터의 베이스 및 PNP 기생 트랜지스터의 베이스를 상호 전기적으로 연결시킴으로써, 그 기생 트랜지스터의 작동을 억제하고, 따라서 누설 전류를 감소시켜 소자의 성능을 향상시킬 수 있게 된다.
종방향 트랜지스터, 기생 트랜지스터, 딥 N+, 도전체, P+ 콜렉터

6. 发明公开

KR1020060010664A 압력 센서 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060010664A
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：KR1020040059435
申请日：2004-07-28
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이곤재
IPC分类号： G01L9/02 , G01L9/04
CPC分类号： G01L9/0042 , B81C1/00158 , G01L9/0051 , G01L9/02
摘要： 본 발명은 압력 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 고압 영역과 저압 영역에서 모두 사용할 수 있고, 부피를 줄일 수 있으며, 또한 원가도 절감할 수 있도록, 이방성 에칭에 의해 하부에 제1공간부 및 이것과 일정 거리 이격된 제2공간부가 형성된 반도체 기판과, 반도체 기판의 상부로서 상기 제1공간부와 대응되는 영역에 일정 두께로 형성된 제1다이아프레임과, 반도체 기판의 상부로서 제2공간부와 대응되는 영역에 형성되며, 제1다이아프레임의 두께보다 얇은 두께로 형성된 제2다이아프레임과, 제2다이아프레임의 하부에 형성되어 제2공간부 내측으로 일정 길이 연장된 보스와, 제1다이아프레임의 표면에 형성된 다수의 제1압저항 및 제2다이아프레임의 표면에 형성된 다수의 제2압저항을 포함한다.
저압, 중압, 고압, 압력 센서, 스토퍼

7. 发明公开

KR1020050112621A 배터리 보호 회로 无效
标题翻译：电池保护电路
公开(公告)号：KR1020050112621A
公开(公告)日：2005-12-01
申请号：KR1020040037736
申请日：2004-05-27
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 성준엽 , 이장혁
IPC分类号： H01M10/44
CPC分类号： H01M10/4257 , G01R31/3624 , G01R31/3658 , H01M10/48 , H02J7/0031 , Y02E60/12
摘要： 본 발명은 배터리 보호 회로에 관한 것으로서, 충전 스위치 또는 방전 스위치가 오프되었을 경우 시간 지연부도 동작하지 않도록 함으로써, 전류 소비를 줄일 수 있도록, 배터리의 과충전 전압, 과방전 전압, 과방전 전류, 과충전 전류 및 부하의 쇼트 상태를 검출하는 검출부와, 검출부의 출력 신호를 입력받아 소정 신호를 출력하는 시간 지연 인에이블부와, 시간 지연 인에이블부의 출력 신호를 입력받아 소정 신호를 출력하는 시간 지연부와, 검출부 및 시간 지연부의 신호를 입력받아 소정 제어 신호를 출력하는 제어부와, 제어부의 출력 신호에 의해 과충전 전압 또는 과충전 전류를 차단하는 충전 스위치와, 제어부의 출력 신호에 의해 과방전 전압, 과방전 전류 또는 쇼트 상태를 차단하는 방전 스위치로 이루어진 것을 특징으로 함.

8. 发明授权

KR100518052B1 과도 전압 억제 소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：瞬态电压抑制器及其制造方法
公开(公告)号：KR100518052B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020030041902
申请日：2003-06-26
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 이광진
IPC分类号： H01L29/861
摘要： 본 발명은 과도 전압 억제 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 과도 전압을 억제하는 동시에, 고주파수대의 시그널 손실을 억제할 수 있도록, 중앙에 일정 깊이로 트렌치가 형성되고, 상기 트렌치에는 절연물이 증착된 대략 판상의 p++형 기판과, 상기 트렌치 및 절연물을 중심으로 일측의 p++형 기판 상부에 p+형 영역이 형성되고, 상기 p+형 영역의 상부에는 n++형 영역이 형성된 제 1 pn 접합영역과, 상기 트렌치 및 절연물을 중심으로 타측의 p++형 기판 상부에 p-형 영역이 형성되고, 상기 p-형 영역의 상부에는 n++형 영역이 형성된 제 2 pn 접합영역으로 이루어진 것을 특징으로 함.

9. 发明授权

KR100517289B1 바렉터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：变容二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100517289B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020030058085
申请日：2003-08-21
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 나가세히로유끼
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 역바이어스 상태에서 공핍층의 폭이 더욱 넓어지도록 함으로써, 바렉터의 튜닝 전압에 따른 주파수 변화량 또는 캐패시턴스 변화량을 최소화할 수 있도록, N++형 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 N-형 에피텍셜층과, 상기 에피텍셜층에 일정 깊이로 형성된 P+형 영역과, 상기 에피텍셜층에 상기 P+형 영역의 폭보다 넓은 폭을 가지며 형성된 P++형 애노드 영역과, 상기 P+형 영역에 형성된 N+형 캐소드 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

10. 发明授权

KR100517250B1 맥스 듀티 안정화 회로 有权
标题翻译：最大的稳定电路
公开(公告)号：KR100517250B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020020055626
申请日：2002-09-13
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김태진 , 이경탁
IPC分类号： H03B5/00
摘要： 본 발명은 비교기 출력 맥스 듀티를 100% 미만으로 안정되게 유지할 수 있도록 한 맥스 듀티 안정화 회로에 관한 것이다.
본 발명의 맥스 듀티 안정화 회로는 콘덴서에 전압을 충/방전 함과 아울러 상기 콘덴서에 인가되는 전압값을 설정하기 위한 적어도 하나 이상의 저항을 구비하는 발진기와; 콘덴서로부터 전압을 공급받는 제 1출력 스위칭소자와, 외부로부터 입력되는 외부 입력전압을 공급받는 제 2출력 스위칭소자와, 제 1 및 제 2출력 스위칭소자로 공급된 전압값을 비교하여 출력전압을 생성하는 비교기를 구비하며; 2출력 스위칭소자의 최고 전압값은 저항에 인가되는 전압값에 의하여 결정된다.

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