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1. 发明授权

KR100610942B1 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： Varactor为电视调谐器的移动终端和制造方法一样
公开(公告)号：KR100610942B1
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：KR1020040103393
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 나가세히로유끼 , 최정규 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드를 포함하여 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여 본 발명에 의한 바렉터는, 종래 이동 전화 또는 PDA와 같은 휴대 단말기에서는 텔레비젼 방송을 수신하기 위해 DMB IC와 5V의 전압을 30V까지 승압하는 DC-DC 컨버터(승압회로), 그리고 30V용 바렉터 등으로 구성되는데 비하여, 간단한 구성으로 저전압 범위 즉, 0.5~5.0V 범위에서 텔레비젼 튜너의 동조 주파수를 제어할 수 있게 되고, 더불어 선형성이 우수한 CV
R 특성을 구현할 수 있어 방송 수신 효율도 향상된다.
휴대 단말기, 텔레비젼 튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드

2. 发明公开

KR1020060064757A 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：移动终端电视调谐器的变频器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060064757A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103393
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 나가세히로유끼 , 최정규 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 휴대 단말기의 텔레비젼 튜너용 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드를 포함하여 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여 본 발명에 의한 바렉터는, 종래 이동 전화 또는 PDA와 같은 휴대 단말기에서는 텔레비젼 방송을 수신하기 위해 DMB IC와 5V의 전압을 30V까지 승압하는 DC-DC 컨버터(승압회로), 그리고 30V용 바렉터 등으로 구성되는데 비하여, 간단한 구성으로 저전압 범위 즉, 0.5~5.0V 범위에서 텔레비젼 튜너의 동조 주파수를 제어할 수 있게 되고, 더불어 선형성이 우수한 CV
R 특성을 구현할 수 있어 방송 수신 효율도 향상된다.
휴대 단말기, 텔레비젼 튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드

3. 发明公开

KR1020060064756A 바렉터 无效
标题翻译：变压器和制造方法相同
公开(公告)号：KR1020060064756A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：KR1020040103392
申请日：2004-12-09
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 최정규 , 김준식 , 나가세히로유끼 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 바렉터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 일례로 본 발명에는 반도체 기판과, 반도체 기판 위에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 에피텍셜층의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 형성된 제1캐소드와, 제1캐소드의 표면으로부터 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제1캐소드의 깊이보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 제2캐소드와, 제2캐소드 및 그 주변의 에피텍셜층의 표면으로부너 일정 깊이로 이온 주입 및 확산되어 있되, 제2캐소드보다 작은 깊이를 갖는 동시에 상대적으로 더 큰 농도를 가지며 형성된 애노드로 이루어진 바렉터가 개시된다.
이와 같이 하여, 본 발명은 역바이어스 전압과 용량 상호간의 선형성이 높아짐으로써, 바렉터의 신뢰성이 향상된다.
튜너, 바렉터, 애노드, 캐소드, 용량-역바이어스 전압 특성, 선형성

4. 发明公开

KR1020060037062A 저항과 캐패시터가 내장된 바렉터 다이오드 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：内置电阻电容变压器二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020060037062A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040086194
申请日：2004-10-27
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김현식 , 김준식 , 강기태
IPC分类号： H01L29/93
摘要： 본 발명은 바렉터 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 해결하고자 하는 기술적 과제는 기존 바렉터를 이용하여 칩싸이즈 변화없이 저항과 캐패시터를 하나의 바렉터 다이오드에 형성시키는데 있다.
이를 위해 본 발명에 의한 해결 방법의 요지는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판의 하면에 일정 두께로 성장된 에피텍셜층과, 상기 에피텍셜층의 하부에서 상부로 일정 깊이로 형성된 제1전도 영역과, 상기 에피텍셜층의 하부에서 상부로 일정 깊이로 이온주입되어 상기 제1전도 영역 하부에 형성된 제2전도 영역과, 상기 제2전도 영역에 증착된 메탈층과, 상기 에피텍셜층의 반대면인 반도체 기판의 타면에 형성된 적어도 하나 이상의 캐패시터와, 상기 에피텍셜층의 반대면인 반도체 기판의 상면에 형성된 적어도 하나 이상의 저항을 포함하여 이루어진 바렉터 다이오드가 개시된다.
바렉터 다이오드, 캐패시터, 저항, 원칩, PN 접합

5. 发明公开

KR1020050020297A 스위칭 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：通过一种芯片类型的增强开关速度切换二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050020297A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030058086
申请日：2003-08-21
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 김현식
IPC分类号： H01L29/861
摘要： PURPOSE: A switching diode and a manufacturing method thereof are provided to improve switching speed by embodying a PNPN structure in one chip without wire-bonding. CONSTITUTION: A switching diode(100) includes a semiconductor substrate(110), an N- type epitaxial layer(120) on the substrate, a plurality of isolation regions(130) in the epitaxial layer, a P+ type anode region(140) between the isolation regions in the epitaxial layer, and an N+ type cathode region(150) at one side of the isolation region in the epitaxial layer. The substrate is a P+ type structure. The isolation region is a P type structure.
摘要翻译：目的：提供一种开关二极管及其制造方法，以通过在一个芯片中实现PNPN结构而不引线接合来提高开关速度。构成：开关二极管（100）包括半导体衬底（110），衬底上的N-型外延层（120），外延层中的多个隔离区（130），P +型阳极区（140）在外延层中的隔离区之间和在外延层中隔离区一侧的N +型阴极区（150）之间。基板是P +型结构。隔离区域是P型结构。

6. 发明公开

KR1020020013181A 배랙터 다이오드 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：变压器二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020020013181A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：KR1020000046652
申请日：2000-08-11
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： PURPOSE: A varactor diode is to provide three different capacitance values of 0.6, 2.4 and 3.6 picofarad at a reverse bias voltage of 25 voltage, by using the area of an electrode to control the capacitance. CONSTITUTION: An n layer(2) is deposited on an n+ substrate(1). A silicon oxide(3) is grown on the n layer. Impurities are doped to form a p layer(5) on the n layer. A metal layer(6) is deposited on the p layer. The area of the metal layer has 9000-11000 micro square meter to form capacitance of 0.6 picofarad at the reverse bias voltage of 25 voltage.
摘要翻译：目的：变容二极管通过使用电极的面积来控制电容，在25电压的反向偏置电压下提供0.6,4.4和3.6皮秒的三种不同的电容值。构成：n层（2）沉积在n +衬底（1）上。在n层上生长氧化硅（3）。掺杂杂质以在n层上形成p层（5）。金属层（6）沉积在p层上。金属层的面积为9000〜11000微米，在25电压的反向偏置电压下形成0.6皮秒的电容。

7. 发明授权

KR100518059B1 스위칭 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：开关二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100518059B1
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：KR1020030058086
申请日：2003-08-21
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 김현식
IPC分类号： H01L29/861
摘要： 본 발명은 스위칭 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 스위칭 속도를 더욱 빠르게 향상시킬 수 있도록, 반도체 기판과, 상기 반도체 기판에 일정 두께로 성장된 N-형 에피텍셜층과, 상기 N-형 에피텍셜층의 상면으로부터 반도체 기판까지 형성된 소자분리영역과, 상기 소자분리영역의 내측인 N-형 에피텍셜층에 일정 깊이로 형성된 P+형 애노드 영역과, 상기 소자분리영역의 외측인 N-형 에피텍셜층에 일정 깊이로 형성된 N+형 캐소드 영역을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

8. 发明授权

KR100332301B1 배랙터 다이오드 및 그의 제조방법 失效
标题翻译：变容二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100332301B1
公开(公告)日：2002-04-12
申请号：KR1020000046652
申请日：2000-08-11
申请人： 주식회사 한국전자홀딩스
发明人： 김준식 , 김현식
IPC分类号： H01L29/93
摘要： n+ 기판(1)과, 상기한 n+ 기판(1)의 위에 기상증착되어 있는 n 레이어(2)와, 상기한 n 레이어(2)의 위에 성장되어 있는 실리콘산화물(3)과, 상기한 n 레이어(2)상에 불순물을 도핑함으로써 형성되어 있는 p 레이어(5)와, 상기한 p 레이어(5)상에 증착되어 있는 금속층(6)으로 이루어지는 구조에 있어서, 상기한 금속층(6)의 평면적이 9,000~11,000 ㎛
2 또는 40,000~45,000 ㎛
2 또는 60,000~70,000㎛
2 으로 형성되는 구조로 이루어지며, 동일한 제조공법과 제조환경속에서 전극의 면적을 이용하여 정전용량을 제어함으로써 서로 비슷한 기울기를 가지면서 역바이오스 전압 25V에서 0.6pF, 2.4pF, 3.6pF의 3개의 서로 다른 정전용량을 가지는 배랙터 다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다.

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