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1. 发明授权

KR102054659B1 캐비티를 가진 반도체 장치 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102054659B1
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：KR1020170058544
申请日：2017-05-11
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 하세로버트 , 헨슨팀
IPC分类号： H01L21/768

2. 发明授权

KR102041939B1 다상 파워 인버터용 리드프레임 아일랜드들을 갖는 파워 쿼드 플랫 노-리드 반도체 패키지 有权
公开(公告)号：KR102041939B1
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：KR1020160101369
申请日：2016-08-09
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 페르난도,딘 , 바르보사,로엘
IPC分类号： H01L23/495 , H01L23/00 , H01L23/31

3. 发明授权

KR101905273B1 매립형 버스 및 관련 방법 有权
公开(公告)号：KR101905273B1
公开(公告)日：2018-10-05
申请号：KR1020160161357
申请日：2016-11-30
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 버크휴고 , 마링
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L21/743 , H01L21/76877 , H01L23/535 , H01L29/4238 , H01L29/4941 , H01L29/495 , H01L29/4991 , H01L29/66348 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7827
摘要： 반도체구조체는게이트트렌치내에게이트전극을갖는반도체기판과, 반도체기판내의매립형버스를포함하되, 이매립형버스는버스트렌치내에버스도전성필러(bus conductive filler)를구비하고, 버스도전성필러는게이트전극에전기적으로결합된다. 버스도전성필러는게이트전극에의해둘러싸인다. 게이트트렌치는반도체기판에서버스트렌치와교차한다. 게이트전극은폴리실리콘을포함한다. 버스도전성필러는텅스텐을포함한다. 반도체구조체는또한버스도전성필러와게이트전극사이에배치된접착증진층을포함하되, 이접착증진층은티타늄및 티타늄질화물을포함한다. 반도체구조체는또한반도체기판에걸쳐게이트전극을커버하는유전체층을포함하고, 매립형버스는유전체층과동일평면의상단표면을갖는다.

4. 发明公开

KR1020140110724A 단일 분로 인버터 회로 내의 파워 쿼드 플랫 노-리드 패키지 有权
标题翻译：电源四通平板无铅（PQFN）封装在单路逆变器电路
公开(公告)号：KR1020140110724A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020140008300
申请日：2014-01-23
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 페르난도,딘 , 바르보사,로엘 , 다카하시,토시오
IPC分类号： H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/4952 , H01L23/49548 , H01L23/49582 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/0781 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012
摘要： According to a preferable embodiment, a power quad flat no-lead (PQFN) lead frame includes a driver integrated circuit which is located on a PQFN lead frame. Also, a PQFN package includes a low side U-phase, a low side V-phase, and low side W-phase power switches which are arranged on the lead frame. The logic ground of a lead frame is combined with the support logic circuit of a driver integrated circuit. The power stage ground of the lead frame is combined with the low side U-phase, the low side V-phase, and the low side W-phase power switches. Also, the power stage ground can be combined with the gate drivers of the driver integrated circuit.
摘要翻译：根据优选实施例，功率四边形无引线（PQFN）引线框架包括位于PQFN引线框架上的驱动器集成电路。此外，PQFN封装包括布置在引线框架上的低侧U相，低侧V相和低侧W相电源开关。引线框架的逻辑接地与驱动器集成电路的支持逻辑电路相结合。引线框架的功率级接地与低侧U相，低侧V相和低侧W相功率开关组合。此外，功率级接地可以与驱动器集成电路的栅极驱动器组合。

5. 发明公开

KR1020130071456A 전기적 상호접속을 위해 리드프레임을 이용한 멀티-칩 모듈(ＭＣＭ) 리드없는 전력 쿼드 플랫 반도체 패키지 有权
标题翻译：多芯片模块（MCM）功率四通道平板（PQFN）半导体封装使用电气互连的引线
公开(公告)号：KR1020130071456A
公开(公告)日：2013-06-28
申请号：KR1020130064141
申请日：2013-06-04
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 페르난도,딘 , 바보사,로엘
IPC分类号： H01L25/16 , H01L23/495 , H01L23/52
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/4952 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/20753 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012
摘要： PURPOSE: A multi-chip module power quad flat no-lead semiconductor package is provided to improve heat conduct quality. CONSTITUTION: A driver integrated circuit (130) is coupled with a lead frame (160). Vertical conduction power transistors (140a-140f) are coupled with the above lead frame. The above vertical conduction power transistors include high side power transistors and low side power transistors. The upper surface electrode of the one of the above vertical conduction power transistors is electrically connected to one part of the above lead frame. The above one part of the above lead frame is electrically connected to the other lower surface electrode of the above vertical conduction power transistors.
摘要翻译：目的：提供多芯片模块功率四边形无引线半导体封装，以提高导热质量。构成：驱动器集成电路（130）与引线框架（160）耦合。垂直导通功率晶体管（140a-140f）与上述引线框架耦合。上述垂直导通功率晶体管包括高边功率晶体管和低边功率晶体管。上述垂直导通功率晶体管之一的上表面电极电连接到上述引线框架的一部分。上述引线框架的上述一部分电连接到上述垂直导通功率晶体管的另一个下表面电极。

6. 发明授权

KR101127904B1 프로그래밍이 가능한 게이트를 갖는, 상시 오프의 Ⅲ족 질화물 반도체 소자 有权
标题翻译：正常关闭具有可编程门的III-NITRIDE半导体器件
公开(公告)号：KR101127904B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020087001980
申请日：2006-07-31
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 브리에레마이클에이.
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/8252
CPC分类号： H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/4232 , H01L29/42328 , H01L29/42336 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66431 , H01L29/772 , H01L29/7787 , H01L29/803
摘要： 대전된 게이트 절연체 바디를 포함하는 Ⅲ족 질화물 반도체 소자.
Ⅲ족 질화물, 반도체 소자, 대전된 게이트 절연체 바디

7. 发明授权

KR101045573B1 Ⅲ족 질화물 인헨스먼트 모드 소자 有权
标题翻译：增强模式元素是III族氮化物
公开(公告)号：KR101045573B1
公开(公告)日：2011-07-01
申请号：KR1020087001978
申请日：2006-07-06
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 비치로버트
IPC分类号： H01L31/00 , H01L29/739 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7781 , H01L29/7783 , H01L29/7785
摘要： 게이트 아래에 게이트 장벽(gate barrier)을 포함하는 Ⅲ족 질화물 전력 반도체 소자와 그 소자의 제작 방법이 제공된다.
Ⅲ족 질화물, 인헨스먼트 모드 소자, 전력 반도체 소자, 게이트 장벽, 전력 반도체 소자 제작 방법
摘要翻译：提供了在栅极下方包括栅极阻挡层的III族氮化物功率半导体器件及其制造方法。

8. 发明公开

KR1020090076123A 향상된 펄스 폭 변조 제어 회로 无效
标题翻译：改进的脉宽调制控制电路
公开(公告)号：KR1020090076123A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080001883
申请日：2008-01-07
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 우웬카이 , 슈엘레인조지
IPC分类号： H03K7/08
CPC分类号： H03K7/08 , H03K4/08
摘要： An improved pulse width modulation control circuit is provided to prevent influence of a noise on an error signal without the limit by a clock cycle by using the combination of a leading edge, a trailing edge, and a dual edge control architecture. A pulse width modulation control circuit(100) provides a pulse width modulation signal. The pulse width modulation control circuit includes a comparator(42). The comparator compares a first input with a second input and provides the pulse width modulation signal based on the comparison. The first input is an error signal. The second input is a ramp signal. A first part of the ramp signal is the reduction ramp signal with a first slew rate. A second part of the ramp signal is an increase ramp signal with a second slew rate.
摘要翻译：提供了一种改进的脉宽调制控制电路，以通过使用前沿，后沿和双边缘控制结构的组合来防止噪声对误差信号的影响而不受时钟周期的限制。脉冲宽度调制控制电路（100）提供脉宽调制信号。脉宽调制控制电路包括比较器（42）。比较器将第一输入与第二输入进行比较，并根据比较提供脉宽调制信号。第一个输入是一个错误信号。第二个输入是斜坡信号。斜坡信号的第一部分是具有第一转换速率的减速斜坡信号。斜坡信号的第二部分是具有第二转换速率的增加斜坡信号。

9. 发明授权

KR100899194B1 양방향의 정상적 온 디바이스를 사용한, 돌입 전류 보호를 갖는 자기-구동 동기식 정류 부스트 컨버터 有权
标题翻译：自驱动同步整流式升压转换器，采用双向电流保护功能，在设备上正常使用
公开(公告)号：KR100899194B1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020077003394
申请日：2005-08-12
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 솔다노마르코
IPC分类号： G05F1/613
CPC分类号： H02M3/1588 , H01L27/0251 , Y02B70/1466 , Y10S323/908
摘要： 통상적인 부스트 다이오드가 양방향의 정상적 도통 반도체 스위치에 의해 대체된 부스트 컨버터가 제공된다. 상기 회로는 양방향 스위치가 제 1 게이트-소스 단자 쌍 사이에 저전압 쇼트키 다이오드를 연결함으로써 자기-구동되도록 구현될 수 있다. 돌입 전류 보호 기능은 소정의 과부하 전류 조건들에 응답하여, 자기-구동 동작에 관계없이 스위치를 턴-온 및 턴-오프시키기 위해, 제 2 게이트-소스 단자 쌍을 이용함으로써 제공될 수 있다. 상기 돌입 전류 보호 기능은 부하 전류에 따라 바이어스를 제어하기 위해 RC 회로에 연결된 외부적으로 제어되는 스위치를 갖는 컨버터 파워 출력 트랜지스터용 레일과 제 2 게이트 단자를 연결시키는 RC 회로와, 그리고 제 2 게이트와 소스 단자들 사이에 제 2 쇼트키 다이오드의 사용에 의해 구현된다.
쇼트키 다이오드, 돌입 전류, 동기식 정류 제어, 브리지 정류기.

10. 发明授权

KR100899022B1 냉음극 형광 램프의 복수의 램프 전류 매칭 회로 有权
标题翻译：冷阴极荧光灯多灯电流匹配电路
公开(公告)号：KR100899022B1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070006305
申请日：2007-01-19
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아메리카스 코퍼레이션
发明人： 리바리히토마스제이. , 압도우린에드가
IPC分类号： G02F1/133 , H05B41/38 , H02M3/26 , H02M7/48
CPC分类号： H05B41/2822 , H05B41/3927
摘要： AC 구동 전류에 의해 구동되는 복수개의 램프들의 휘도를 매칭시키는 방법은 다음의 단계를 포함한다. 상기 램프들 중 가장 낮은 휘도를 갖는 제 1 램프를 선택하는 단계; 및 상기 제 1 램프의 휘도와 매치하도록 제 2 램프의 휘도를 감소시키기 위해 제 2 램프의 AC 구동 전류를 주기적으로 감소시키는 단계를 포함하여 이루어진다. 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 기준 휘도가 선택될 수도 있으며 또는 임의적으로 기준 AC 전류 레벨이 선택될 수도 있다. 그리고 상기 방법은 구동 전류를 주기적으로 감소시켜 상기 램프의 휘도를 기준 휘도에 관하여 또는 설정하거나 또는 임의적으로 기준 AC 전류 레벨에 관하여 상기 램프의 휘도가 설정될 수도 있다. 제어가능한 휘도를 갖는 램프를 구동하는 회로는 램프에 AC 구동 전류를 공급하는 구동 회로; 및 바람직하게는 하나의 IC내에 포함되며, 기준과 매치하기 위해 램프내의 AC 구동 전류를 설정할 수 있도록 램프내의 AC 구동 전류를 주기적으로 감소시키기 위한 감소 회로를 포함하여 이루어진다. 상기 기준은 상기 AC 구동 회로에 의해 구동되는 또 다른 램프의 휘도에 대응할 수 있으며, 또는 기준 AC 전류 레벨에 대응할 수도 있다. 상기 감소 회로는 상기 램프와 직렬인 스위치를 포함하여 이루어지거나 또는 상기 램프와 접지를 연결하는 저항 및 스위칭 디바이스의 병렬 연결을 포함하여 이루어질 수도 있다. AC 구동 전류는 소정 갯수의 반 주기들(바람직하게는 상기 AC 구동 전류의 1/2)에 의해 감소될 수 있다. 주기적인 OFF 펄스들을 감소 회로에 공급함으로써 AC 구동 전류가 감소될 수 있으며, 상기 주기적 인 OFF 펄스들은 선택된 갯수의 AC 구동 전류의 반 주기들에 의해 이격될 수도 있다. 예를 들면, AC 구동 전류의 주파수를 수신하여 분할하는 주파수-분할 회로에 의해 이격될 수 있다.
냉음극 형광램프, 휘도, 균일성, AC 구동전류

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