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    • 3. 发明公开
    • 반도체 메모리 장치 및 그의 동작 방법
    • 半导体存储器装置及其操作方法
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    • SK HYNIX INC
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    • G11C29/00G11C17/16
    • G11C29/787G11C17/16G11C17/18
    • 본발명의일 실시예에따르면, 반도체메모리장치는페일셀의로우어드레스를프로그램하는다수개의로우퓨즈셋이구비된로우퓨즈영역과상기페일셀의컬럼어드레스를프로그램하는다수개의컬럼퓨즈셋이구비된컬럼퓨즈영역을포함하고, 부트업동작시 상기로우퓨즈셋및 상기컬럼퓨즈셋의퓨즈셋정보를출력하고, 상기프로그램된로우어드레스및 컬럼어드레스를로우페일데이터및 컬럼페일데이터로출력하는퓨즈어레이부; 리페어모드시 페일셀 정보를토대로페일어드레스를저장하고, 상기부트업동작시 상기퓨즈어레이부로부터출력되는상기퓨즈셋정보를토대로상기로우퓨즈영역및 상기컬럼퓨즈영역의미사용퓨즈셋을검색하고, 럽처동작시 상기페일어드레스가상기미사용퓨즈셋에프로그램되도록제어하는퓨즈어레이제어부; 및상기퓨즈어레이부로부터출력되는상기로우페일데이터및 컬럼페일데이터에대응하여로우리던던시또는컬럼리던던시동작을수행하는로우/컬럼리던던시부를포함할수 있다.
    • 一种半导体存储器件包括:熔丝阵列电路,其包括行熔丝区域和列熔丝区域,并且适合于从行熔丝组和熔丝列输出熔丝信息,并输出编程的行地址和列地址作为行和列下降数据; 启动操作; 熔丝阵列控制电路,适用于在修复操作期间基于故障单元信息存储故障地址,在引导操作期间基于熔丝信息从行熔丝区域和列熔丝区域中搜索未使用的熔丝组,并且控制 在破裂操作期间在未使用的熔丝组中编程的失效地址; 以及适合于对应于行和列失效数据执行行或列冗余操作的行和列冗余电路。