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1. 发明授权

KR101103790B1 X-ray radiography system and the manufacture method thereof 有权
标题翻译： X射线辐射系统及其制造方法
公开(公告)号：KR101103790B1
公开(公告)日：2012-01-10
申请号：KR20100062649
申请日：2010-06-30
申请人： KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY
发明人： OH MIN SUK , LEE JEONG NO , KIM WON KEUN , KIM YONG HOON , HAN CHUL JONG
IPC分类号： H01L31/115
摘要： PURPOSE: A radiography system and a manufacturing method thereof are provided to use a uniformly deposited large-area panel, thereby enabling a user to photograph a subject in a one-to-one ratio. CONSTITUTION: An optical conductor(502) comprises an upper electrode and a lower electrode. The optical conductor includes at least one element among amorphous Se, HgI2, and PbI2, and CdZnTe. A capacitor(202) stores an electrical charge flowed into the lower electrode(203). An oxide thin film transistor outputs an image signal according to the number of the electrical charges stored in the capacitor. A semiconducting channel layer of the oxide thin film transistor comprises a ZnO based oxide semiconductor.
摘要翻译：目的：提供一种放射摄影系统及其制造方法，以使用均匀沉积的大面积面板，从而使得用户能够以一对一的比例拍摄对象。构成：光导体（502）包括上电极和下电极。光导体包括非晶Se，HgI2和PbI2中的至少一种元素和CdZnTe。电容器（202）存储流入下电极（203）的电荷。氧化物薄膜晶体管根据存储在电容器中的电荷的数量输出图像信号。氧化物薄膜晶体管的半导体沟道层包括ZnO基氧化物半导体。

2. 发明公开

KR20120001991A X-RAY RADIOGRAPHY SYSTEM AND THE MANUFACTURE METHOD THEREOF 有权
标题翻译： X射线辐射系统及其制造方法
公开(公告)号：KR20120001991A
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：KR20100062649
申请日：2010-06-30
申请人： KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY
发明人： OH MIN SUK , LEE JEONG NO , KIM WON KEUN , KIM YONG HOON , HAN CHUL JONG
CPC分类号： H01L31/115 , H01L27/14676 , H01L31/022466 , H01L31/02366 , H01L31/02966 , H01L31/0376 , H01L31/0392 , H01L31/085 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 방사선 촬영 시스템 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일면에 따른 방사선 촬영 시스템의 백플레인 패널은, 피사체를 통과한 엑스선(X-ray)이 입사되면, 전하를 발생시키는 광전도체(Photoconductor); 각 픽셀당 구비되며, 발생된 상기 전하를 저장하는 커패시터; 및 상기 각 픽셀당 구비되며, 게이트에 신호가 인가되면, 저장된 상기 전하를 출력하는 산화물 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 한다.

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