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1. 发明授权

KR101833817B1 패턴 형성 방법, 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트막 有权
公开(公告)号：KR101833817B1
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：KR1020177021644
申请日：2011-06-24
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이와토카오루 , 카타오카쇼헤이
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10S430/108
摘要： 본발명의패턴형성방법은 (i) (A) 산의작용에의해극성이증가하여유기용매를함유하는현상액에대한용해성이감소할수 있는수지, (B) 활성광선또는방사선의조사시에산을발생할수 있는화합물, 및 (C) 용매를함유하는화학증폭형레지스트조성물로형성된막을형성하는공정; (ii) 상기막을노광하는공정; 및 (iii) 유기용매를함유하는현상액을사용하여현상하는공정을포함하고, 여기서상기수지(A)는극성기가산의작용에의해분해되어이탈할수 있는탈리기로보호된구조를갖고, 상기탈리기는불소원자를함유한다.

2. 发明公开

KR1020170093991A 패턴 형성 방법, 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트막 审中-实审
标题翻译：图案形成方法，化学放大型抗蚀剂组合物和抗蚀剂膜
公开(公告)号：KR1020170093991A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020177021644
申请日：2011-06-24
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 이와토카오루 , 카타오카쇼헤이
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10S430/108 , G03F7/0382 , G03F7/322 , H01L21/0274
摘要： 본발명의패턴형성방법은 (i) (A) 산의작용에의해극성이증가하여유기용매를함유하는현상액에대한용해성이감소할수 있는수지, (B) 활성광선또는방사선의조사시에산을발생할수 있는화합물, 및 (C) 용매를함유하는화학증폭형레지스트조성물로형성된막을형성하는공정; (ii) 상기막을노광하는공정; 및 (iii) 유기용매를함유하는현상액을사용하여현상하는공정을포함하고, 여기서상기수지(A)는극성기가산의작용에의해분해되어이탈할수 있는탈리기로보호된구조를갖고, 상기탈리기는불소원자를함유한다.
摘要翻译：本发明的图案形成方法是在（ⅰ）（A）树脂的酸可以由极性通过酸的作用增加减少在含有有机溶剂的显影溶液中的溶解度，光化射线或辐射的（B）照射能够产生，和（C）成形而形成的膜的步骤的化合物的化学放大型抗蚀剂含有溶剂的组合物; （ii）暴露胶片; 和（iii）通过使用含有有机溶剂，其中，所述树脂（A）具有被保护基团结构相符，可以逃避由极性基团的作用而分解的加入的显影剂显影的步骤中，所述离去基团是氟它包含的原子。

3. 发明授权

KR101742117B1 패턴 형성 방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트 필름 有权
标题翻译：图案形成方法，活性射线敏感或辐射敏感树脂组合物和抗蚀剂膜
公开(公告)号：KR101742117B1
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020137022819
申请日：2012-02-24
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 타카하시히데노리 , 야마구치슈헤이 , 카타오카쇼헤이 , 시라카와미치히로 , 요시노후미히로 , 사이토쇼이치
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/004 , H01L21/027 , G03F7/32 , C08F20/16
CPC分类号： G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/40
摘要： 패턴형성방법은 (i) (P) 특정일반식으로나타내어지는 (a) 반복단위를갖는수지, 및 (B) 활성광선또는방사선의조사에의해유기산을발생할수 있는화합물을함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물에의해필름을형성하는공정; (ii) 상기필름을노광하는공정, 및 (iii) 유기용제함유현상액을사용하여필름을현상해서네가티브형패턴을형성하는공정을포함한다.
摘要翻译：图案形成方法（i）（P）的活性射线的含有树脂的化合物感，和光化射线或辐射的（B）照射具有（a）由特定式表示的重复单元可以使有机酸城堡或者辐射敏感树脂组合物; （ii）使膜曝光，和（iii）使用含有机溶剂的显影剂使膜显影以形成负图案。

4. 发明公开

KR1020170010845A 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 审中-实审
标题翻译：主动感光或辐射敏感性树脂组合物活性光敏或辐射敏感膜形成方法制造电子器件和电子器件的方法
公开(公告)号：KR1020170010845A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020167036250
申请日：2015-06-01
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 시부야아키노리 , 오우케이유
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/32 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40
摘要： 감활성광선성또는감방사선성수지조성물은, 하기염기성화합물 (A1) 및 (A2) 중적어도어느하나에해당하는염기성화합물 (A)를포함한다. (A1) 1분자중에, 지환구조 (a1), 및상기지환구조와는다른부위에, 염기성부위 (b2)를갖는, 비이온성화합물 (A2) 1분자중에, 염기성을갖지않는복소환구조 (a2), 및상기복소환구조와는다른부위에, 염기성부위 (b2)를갖는비이온성화합물
摘要翻译：该活性的光敏性或辐射敏感性树脂组合物含有由下述碱性化合物（A1）和（A2）中的至少一种组成的碱性化合物（A）。（A1）分子中具有脂环结构（a1）的非离子化合物，同时具有与脂环结构不同的碱性部分（b2）。（A2）在分子中具有非碱性杂环结构（a2）的非离子化合物，同时具有与所述杂环结构不同的碱性部分（b2）。

5. 发明授权

KR101657983B1 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 有权
标题翻译：活性敏感性或辐射敏感性树脂组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：KR101657983B1
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020100084345
申请日：2010-08-30
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 코시지마코우스케 , 시부야아키노리 , 야마구치슈헤이 , 카타오카쇼헤이
IPC分类号： G03F7/004 , H01L21/027
摘要： [과제] 선폭조도(line width roughness;LWR) 성능이양호하고, 또한도포결함이억제된패턴을형성하는것이가능한감활성광선성또는감방사선성수지조성물, 및그것을사용한패턴형성방법을제공하는것. [해결수단] 하기 (A)∼(D)를함유하는것을특징으로하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물. (A) 산의작용에의해알칼리현상액에대한용해도가증대하는수지, (B) 하기일반식 (1-1) 또는 (1-2)로나타내어지는활성광선또는방사선의조사에의해산을발생시키는화합물, (C) 불소원자및 규소원자중 적어도어느하나와, 알칼리현상액의작용에의해분해되어알칼리현상액에대한용해성이증대하는극성변환기를갖는수지, 및 (D) 2종이상의용제로이루어지는혼합용제이며, 하기일반식(S1)∼(S4)으로나타내어지는군으로부터선택되는적어도 1종의용제를함유하고, 상기용제의합계함유율이전체용제중의 1∼20질량%인혼합용제.(식중의각 부호는본 명세서및 특허청구범위에기재된의미를갖는다.)

6. 发明公开

KR1020150013845A 패턴 형성 방법 및 그 방법에 사용하기 위한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 无效
标题翻译：图案形成方法和用于方法的丙酰敏感或辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：KR1020150013845A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：KR1020147035609
申请日：2013-06-26
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 시부야아키노리 , 고토아키요시 , 마츠다토모키 , 후쿠하라토시아키
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , G03F7/039 , G03F7/32
摘要： 본 발명의 패턴 형성 방법은 (i) 하기 일반식(I)으로 나타내어지는 화합물(A)과, 산의 작용에 의해 유기용제를 포함하는 현상액에 대한 용해도가 감소하는 수지(P)와, 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물(B)을 함유하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물을 포함하는 막을 형성하는 공정; (ii) 상기 막에 활성광선 또는 방사선을 조사하는 공정; (iii) 유기용제를 포함하는 현상액을 사용하여 상기 활성광선 또는 방사선을 조사한 막을 현상하는 공정을 포함한다.

7. 发明公开

KR1020130018251A 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 有权
标题翻译：丙酰胺或辐射敏感性树脂组合物及其形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020130018251A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020127025157
申请日：2011-03-25
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 이와토카오루 , 카미무라소우 , 츠치하시토루 , 에노모토유이치로 , 후지이카나 , 미즈타니카즈요시 , 타루타니신지 , 카토케이타
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , C08F220/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/30 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/0758 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10T428/24802 , C08F220/26 , G03F7/004 , H01L21/0271
摘要： 에칭 내성 및 후노광 지연(PED) 시간 시 안정성이 우수한 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 그것을 사용한 패턴형성방법을 제공한다. 상기 조성물은 산의 작용시 분해되어 알콜성 히드록실기를 생성하는 기를 포함하는 반복단위를 포함하는 수지와, 활성광선 또는 방사선에 노광시 pKa≥-1.5의 산을 발생하는 화합물을 포함한다.
摘要翻译：提供了一种光化射线或辐射敏感性树脂组合物和使用其形成图案的方法，确保了在曝光后延迟（PED）期间的蚀刻电阻率和稳定性优异。该组合物含有含有重复单元的树脂，该重复单元含有当被酸作用时分解的基团，从而产生醇羟基，以及当暴露于光化射线或辐射时产生pKa≥1.5的酸的化合物。

8. 发明公开

KR1020120098416A 패턴형성방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트막 审中-实审
标题翻译：图案形成方法，丙烯酸敏感或辐射敏感性树脂组合物和耐腐蚀膜
公开(公告)号：KR1020120098416A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020120011570
申请日：2012-02-06
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 타카하시히데노리 , 야마구치슈헤이 , 사이토쇼이치 , 시라카와미치히로 , 요시노후미히로
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/00 , G03F7/32 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0002 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/322
摘要： PURPOSE: A pattern forming method, an active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition for the method, and a resist film formed by the same are provided to improve exposure latitude and line width roughness. CONSTITUTION: A pattern forming method includes the following: a film is formed by using an active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition; the film is exposed; and a developer containing an organic solvent develops the exposed film. The active ray-sensitive or radiation ray-sensitive resin composition contains a resin. The resin includes a repeating unit with a group generating a polar group by the action of acid and a repeating unit represented by chemical formula I or II. In chemical formula I and II, R11 and R21 are respectively hydrogen atoms or alkyl groups; R12 and R22 are respectively alkyl groups, cycloalkyl groups, alkoxy groups, alkoxy carbonyl groups, carboxyl groups, halogen atoms, hydroxyl groups, or cyano groups. R13 and R23 are respectively alkylene groups, cycloalkylene groups, or the combination of the same; Y1 and Y2 are respectively single bonds, ether bonds, ester bonds, amide bonds, urethane bonds, or ureylene bonds; and X1 and X2 are respectively methylene groups, methyl methylene groups, dimethyl methylene groups, ethylene groups, oxygen atoms, or sulfur atoms.
摘要翻译：目的：提供用于该方法的图案形成方法，主动射线敏感或辐射敏感性树脂组合物以及由其形成的抗蚀剂膜以改善曝光宽容度和线宽粗糙度。构成：图案形成方法包括：通过使用活性射线敏感或辐射敏感树脂组合物形成膜; 电影曝光; 并且含有有机溶剂的显影剂显影曝光的膜。活性射线敏感或辐射敏感性树脂组合物含有树脂。树脂包括具有通过酸作用产生极性基团的基团的重复单元和由化学式I或II表示的重复单元。在化学式I和II中，R 11和R 21分别是氢原子或烷基; R 12和R 22分别是烷基，环烷基，烷氧基，烷氧基羰基，羧基，卤素原子，羟基或氰基。 R13和R23分别是亚烷基，亚环烷基或它们的组合; Y1和Y2分别是单键，醚键，酯键，酰胺键，氨基甲酸酯键或脲基键; X1和X2分别是亚甲基，甲基亚甲基，二甲基亚甲基，亚乙基，氧原子或硫原子。

9. 发明公开

KR1020120022735A 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법 有权
标题翻译：活性辐射敏感或辐射敏感树脂组合物，以及使用其的图案形成方法
公开(公告)号：KR1020120022735A
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020117022333
申请日：2010-03-26
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 탄고나오히로 , 시라카와미치히로 , 후지타미츠히로 , 야마구치슈헤이 , 시부야아키노리 , 카타오카쇼헤이
IPC分类号： G03F7/004 , C07C381/12 , C07D217/08 , G03F7/039
CPC分类号： G03F7/0045 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/42 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C07C381/12 , C08F220/22 , G03F7/0047 , G03F7/0392
摘要： (A) 산의 작용에 의해 알칼리 현상액 중에서 용해도가 증가할 수 있는 수지; 및 (B) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물을 포함하고, (B) 활성광선 또는 방사선의 조사에 의해 산을 발생할 수 있는 화합물을 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물의 전체 고형분에 대해서 10~30질량% 함유량 포함하는 것을 특징으로 하는 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 및 그것을 사용한 패턴 형성 방법.
摘要翻译：（A）能够通过酸的作用提高在碱显影液中的溶解度的树脂; 和（B）用光化射线或包括能够通过用射线照射产生酸的化合物，和，（B）使用光化射线或该化合物的可与光化射线或最后辐射敏感树脂组合物照射时产生酸的感基于组合物总固体的重量，以及使用其的图案形成方法。

10. 发明授权

KR101850305B1 패턴형성방법, 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물 및 레지스트막 有权
公开(公告)号：KR101850305B1
公开(公告)日：2018-04-19
申请号：KR1020120011570
申请日：2012-02-06
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 카타오카쇼헤이 , 타카하시히데노리 , 야마구치슈헤이 , 사이토쇼이치 , 시라카와미치히로 , 요시노후미히로
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/00 , G03F7/32 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0397
摘要： 라인위드스러프니스등의러프니스성능, 노광래티튜드가우수한패턴형성방법, 그것에사용되는감활성광선성또는감방사선성수지조성물및 레지스트막을제공한다. (i) 산의작용에의해분해되어극성기를발생시키는기를갖는반복단위를수지중의전체반복단위에대하여 65몰%이상갖고또한하기일반식(I) 또는 (II)으로나타내어지는반복단위의적어도 1종을갖는수지를함유하는감활성광선성또는감방사선성수지조성물을이용하여막을형성하는공정, (ii) 상기막을노광하는공정, 및 (iii) 유기용제를포함하는현상액을이용하여현상하는공정을포함하는것을특징으로하는패턴형성방법.

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