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1. 发明授权

KR100957063B1 촬상 장치 및 촬상 방법 有权
标题翻译：成像装置和成像方法
公开(公告)号：KR100957063B1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：KR1020080051079
申请日：2008-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준
IPC分类号： H04N5/225
CPC分类号： H04N5/361
摘要： 본 발명의 과제는 적은 수의 화소로 안정된 평균값을 얻는 것이다.
본 발명은, 빛을 검출하는 복수의 수광 화소와, 차광된 복수의 기준 화소와, 기준 화소로부터 얻어진 화소값을 누적하는 누적부와, 기준 화소의 화소값으로부터 최대값 및/또는 최소값을 검출하는 검출부와, 최대값 및/또는 최소값을 치환하는 보완 화소값을 작성하는 작성부와, 보완 화소값에 의해 최대값 및/또는 최소값이 치환된 누적 화소값을 기초로 보완 화소값의 블랙 레벨의 기준값을 작성하는 블랙 레벨 기준값 작성부와, 블랙 레벨의 기준값과 함께 수광 화소로부터의 출력값을 보완하는 보완값 작성부를 갖는다.

2. 发明授权

KR100911228B1 ＣＭＯＳ 센서 失效
标题翻译：取消包括其中的半导体器件的偏移电压的图像传感器
公开(公告)号：KR100911228B1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：KR1020060049058
申请日：2006-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 미즈구치도시타카 , 히구치츠요시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374
CPC分类号： H03M1/0607 , H04N5/3575 , H04N5/3742 , H04N5/378
摘要： 본 발명은 간이한 구성이면서 고품질의 화상을 표시할 수 있는 CMOS 센서의 제공을 도시하는 것을 목적으로 한다.
CMOS 센서(100)는 화소부(110) 고유의 오프셋 A와 AMP(121)의 오프셋 B를 상쇄함으로써 화소부(110)로부터의 출력에서 화소 신호 성분(PS)을 취출하고, 이 화소 신호 성분을 증폭함으로써, ADC부(130)로의 출력(P1)을 생성하는 CDS부(120)와 P1에 포함되어 있는 오프셋 C를 상쇄함으로써 얻어지는 출력을 디지털 신호로 변환하는 ADC부(130)를 포함한다.

3. 发明授权

KR100903041B1 화질을 향상시킨 이미지 센서 有权
标题翻译：图像传感器提供改进的图像质量
公开(公告)号：KR100903041B1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020030050013
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 고쿠분마사토시 , 미즈구치도시타카 , 후나코시준 , 고바야시히로시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/3598
摘要： 본 발명은 국소적으로 높은 휘도를 갖는 화상의 화질을 향상시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
화상을 촬상하는 이미지 센서에 있어서, 수광 광량에 따라 전류를 발생하는 광전 변환 소자와, 그 광전 변환 소자의 노드를 리셋 전위로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 가지며, 행렬 방향으로 배치된 복수의 화소와, 그 화소의 상기 노드의 전위에 따른 화소 전위를 샘플 홀드하는 샘플 홀드 회로를 갖는다. 그리고, 샘플 홀드 회로는 화소의 제1 리셋 동작후의 적분 기간 종료시의 제1 화소 전위와, 적분 기간후의 제2 리셋 동작후의 리셋 노이즈 판독 기간 종료시의 제2 화소 전위와의 차(差)전위를 화소 신호로서 출력한다. 또한, 샘플 홀드 회로에서는 리셋 노이즈 판독 기간중의 제2 화소 전위가 소정의 임계치 레벨을 초과할 때에, 제2 화소 전위가 소정의 기준 전위가 된다. 국부적으로 높은 휘도의 화상이 존재하는 경우에는, 리셋 노이즈 판독 기간에서의 노광에 의해, 제2 화소 전위가 리셋 노이즈를 훨씬 초과하는 전위가 되어 제1 화소 전위와 제2 화소 전위의 차전위인 화소 신호 레벨이 지나치게 낮아지는 것이 방지된다. 즉, 제2 화소 전위가 소정의 임계치 레벨을 초과하는 경우에는, 샘플 홀드 회로의 상관 이중 샘플링 기능이 디스에이블이 되어 제1 화소 전위와 제2 화소 전위와의 차전압 대신에 리셋 레벨로부터 제1 화소 전위까지의 차전압이 검출된다. 그 결과, 높은 휘도의 국소 영역에서 화질이 저하하는 것이 방지된다.

4. 发明公开

KR1020040010307A 화상 왜곡을 억제하는 이미지 센서 有权
标题翻译：用于抑制图像失真的图像传感器
公开(公告)号：KR1020040010307A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030050126
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/376
CPC分类号： H04N9/045 , H04N5/353 , H04N5/378
摘要： PURPOSE: An image sensor for suppressing image distortion is provided to improve picture quality by suppressing the distortion in an output image of an image sensor. CONSTITUTION: While a charge storage time is controlled to the first frame period, a vertical scan circuit(12) sequentially selects and scans a plurality of row select lines within the first vertical scan period. Even while the charge storage time is controlled to the second frame period which is longer than the first frame period, the vertical scan circuit(12) sequentially selects and scans the plurality of row select lines within the first vertical scan period. Even when an integration period in a pixel is prolonged by controlling the frame period into the second frame period when the image of an image pickup target becomes dark, a vertical scan speed is equal to a speed during the first frame period, so that the deviation of the integration period does not become large between an upper end and a lower end of the image.
摘要翻译：目的：提供用于抑制图像失真的图像传感器，以通过抑制图像传感器的输出图像中的失真来提高图像质量。构成：当电荷存储时间被控制到第一帧周期时，垂直扫描电路（12）在第一垂直扫描周期内顺序地选择和扫描多个行选择线。即使当电荷存储时间被控制到比第一帧周期长的第二帧周期时，垂直扫描电路（12）在第一垂直扫描周期内依次选择和扫描多个行选择线。即使当图像拾取目标的图像变暗时，通过将帧周期控制到第二帧周期来延长像素中的积分周期，垂直扫描速度等于第一帧周期期间的速度，使得偏差积分期间在图像的上端和下端之间不会变大。

5. 发明授权

KR101139105B1 레벨 시프트 회로, 레벨 시프트 회로의 구동 방법, 및 레벨 시프트 회로를 갖는 반도체 회로 장치 有权
标题翻译：电平移位电路，电平移位电路驱动方法，以及具有电平转换电路的半导体电路装置
公开(公告)号：KR101139105B1
公开(公告)日：2012-04-30
申请号：KR1020097012248
申请日：2006-12-08
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K5/02
CPC分类号： H03K19/018528
摘要： 본 발명은 잉여 전류가 발생하지 않는 레벨 시프트 회로이며, 고전위를 발생하는 고전위 전원과, 저전위를 발생하는 저전위 전원과, 접지 전위를 발생하는 접지 전원에 접속되어 있고, 상기 저전위와 접지 전위 사이에서 진동하는 저전위 신호를 받아, 상기 고전위와 상기 접지 전위 사이에서 진동하는 고전위 신호로 변환하여 출력하는 레벨 시프트부와, 상기 레벨 시프트부로부터의 상기 고전위 신호를 반전 증폭하는 인버터부와, 상기 고전위 전원과 상기 접지 전원 사이에 상기 인버터부와 직렬 접속되고, 게이트 전극에 상기 저전위 전원이 접속되어 있는, 상기 인버터부에 상기 접지 전위를 공급하는 N형 MOS 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기한 레벨 회로를 사용하면, 아날로그 전원과 논리 전원의 투입 순서에 상관없이, 잉여 전류의 발생이 없는 반도체 회로 장치를 제공할 수 있다.

6. 发明公开

KR1020090087063A 레벨 시프트 회로, 레벨 시프트 회로의 구동 방법, 및 레벨 시프트 회로를 갖는 반도체 회로 장치 有权
标题翻译：电平移位电路，电平移位电路驱动方法，以及具有电平转换电路的半导体电路装置
公开(公告)号：KR1020090087063A
公开(公告)日：2009-08-14
申请号：KR1020097012248
申请日：2006-12-08
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준
IPC分类号： H03K19/0185 , H03K5/02
CPC分类号： H03K19/018528
摘要： A level shift circuit wherein no surplus currents occur. The level shift circuit comprises a level shift part that is connected to a high potential power supply for generating a high potential, a low potential power supply for generating a low potential and to a ground power supply for generating a ground potential, receives and converts a low potential signal, the amplitude of which is between the low potential and the ground potential, to a high potential signal the amplitude of which is between the high potential and the ground potential and that outputs the high potential signal; an inverter part that inverts and amplifies the high potential signal from the level shift part; and an N-type MOS transistor that is series connected to the inverter part between the high potential power supply and the ground power supply, has its gate electrode connected to the low potential power supply and that supplies the ground potential to the inverter part. Additionally, this level circuit can be used to provide a semiconductor circuit apparatus wherein no surplus currents occur independently of the order in which the analog and logic power supplies are turned on. ® KIPO & WIPO 2009
摘要翻译：一种电平移位电路，其中不产生剩余电流。电平移位电路包括电平移位部分，其连接到用于产生高电位的高电位电源，用于产生低电位的低电位电源和用于产生地电位的接地电源，接收并转换低电位信号，其幅度在低电位和地电位之间，到高电位信号，其幅度在高电位和地电位之间，并输出高电位信号; 逆变器部，其对来自所述电平移位部的高电位信号进行反转放大; 以及与高电位电源和地电源之间的逆变器部分串联连接的N型MOS晶体管，其栅电极连接到低电位电源，并将地电位提供给逆变器部分。此外，该电平电路可以用于提供半导体电路装置，其中不存在剩余电流而与模拟和逻辑电源接通的顺序无关。 ®KIPO＆WIPO 2009

7. 发明公开

KR1020040010299A 화질을 향상시킨 이미지 센서 有权
标题翻译：用于改善图像质量的图像传感器
公开(公告)号：KR1020040010299A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030050013
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 고쿠분마사토시 , 미즈구치도시타카 , 후나코시준 , 고바야시히로시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/3598
摘要： PURPOSE: An image sensor for improving image quality is provided to improve the quality of an image having locally high luminance. CONSTITUTION: A plurality of pixels are arranged in a matrix direction. Each of the pixels has a photoelectric conversion element and a reset transistor(M1). The photoelectric conversion element generates current according to received light intensity. The reset transistor(M1) resets a node of the photoelectric conversion element to a reset potential. A sample hold circuit(14) sample-holds a pixel potential according to the potential of the node of the pixel. The sample hold circuit outputs differential potential, between the first pixel potential at an end of the integration period after the first reset operation of the pixel and the second pixel potential at an end of a reset noise read period after the second reset operation after the integration period, as a pixel signal. Also in the sample hold circuit(14), when the second pixel potential during the reset noise read period exceeds a predetermined threshold level, the second pixel potential is set to a predetermined reference potential.
摘要翻译：目的：提供用于提高图像质量的图像传感器，以提高具有局部高亮度的图像的质量。构成：沿矩阵方向排列多个像素。每个像素具有光电转换元件和复位晶体管（M1）。光电转换元件根据接收的光强度产生电流。复位晶体管（M1）将光电转换元件的节点复位到复位电位。采样保持电路（14）根据像素的节点的电位采样保持像素电位。采样保持电路在积分后的积分期间结束后的第一像素电位和积分后的第二复位动作后的复位噪声读取期间的第二像素电位之间输出差分电位周期，作为像素信号。另外，在采样保持电路（14）中，当复位噪声读取期间的第二像素电位超过规定的阈值电平时，将第二像素电位设定为规定的基准电位。

8. 发明授权

KR100930008B1 화상 왜곡을 억제하는 이미지 센서 有权
标题翻译： 화상왜곡을억제하는이미지센서
公开(公告)号：KR100930008B1
公开(公告)日：2009-12-07
申请号：KR1020030050126
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/376
CPC分类号： H04N9/045 , H04N5/353 , H04N5/378
摘要： 본 발명은 이미지 센서의 출력 화상의 왜곡을 억제하여 화질을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 광전 변환 소자를 갖는 화소가 행렬로 배치된 화소 어레이를 갖는 이미지 센서에 있어서, 복수의 로우 선택선과, 복수의 컬럼선과, 각 컬럼선에 설치된 샘플 홀드 회로와, 복수의 로우 선택선을 순차 선택하는 수직 주사 신호를 생성하는 수직 주사 회로, 및 샘플 홀드 회로의 출력을 순차 선택하는 수평 주사 신호를 생성하는 수평 주사 회로를 가지며, 제1 프레임 기간에서 제어되어 있을 때 수직 주사 회로는 제1 수직 주사 기간내에 상기 복수의 로우 선택선을 순차 선택하여 주사하고 제1 프레임 기간보다 긴 제2 프레임 기간에서 제어되었을 때도 제1 수직 주사 기간내에 상기 복수의 로우 선택선을 순차 선택하여 주사한다. 촬상 대상의 화상이 어둡게 된 경우 등에는 프레임 기간을 제1 프레임 기간보다 긴 제2 프레임 기간으로 하도록 제어하여 화소에서의 적분 기간을 길게 하더라도 수직 주사 속도가 제1 프레임 기간과 동일한 속도가 되기 때문에 화상의 상단부와 하단부에서 적분 기간의 편차가 커지지 않아 출력 화상의 왜곡을 억제할 수 있다.
摘要翻译：一种图像传感器具有像素阵列，其中具有光电转换元件的像素以矩阵形式排列，多个行选择线在行方向上排列，多个列线在列方向上排列，采样保持电路设置在每条列线中的垂直扫描电路，用于产生垂直扫描信号以顺序地选择多条行选择线的水平扫描电路，以及用于产生水平扫描信号以顺序地选择采样保持电路的输出的水平扫描电路。当图像传感器被控制到第一帧周期时，垂直扫描电路在第一垂直扫描周期内顺序地选择并扫描多个行选择线，并且还在第一垂直扫描周期内顺序地选择和扫描多个行选择线即使当图像传感器被控制到比第一帧周期长的第二帧周期时也是如此。

9. 发明授权

KR100911231B1 공간 해상도의 저하를 억제하여 축소 화상 신호를생성하는 ＣＭＯＳ 이미지 센서 有权
标题翻译：用于抑制空间分辨率降解和产生压缩图像信号的CMOS图像传感器
公开(公告)号：KR100911231B1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：KR1020010063865
申请日：2001-10-17
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/341 , H04N5/376
CPC分类号： H04N5/335 , H04N5/347 , H04N9/045
摘要： 본 발명의 CMOS 회로를 이용한 이미지 센서는 공간 해상도를 저하하지 않고, 화소 신호를 추출하여 독출할 수 있다.
광전 변환 회로를 갖는 화소를 행렬로 배치한 화소 어레이(10)와, 각 화소를 선택하는 화소 선택 회로(12, 14)를 갖는 이미지 센서에 있어서, 화소 선택 회로는, 모든 행의 화소 및/또는 모든 열의 화소를 선택하고, 선택된 화소 신호 중에서 복수 화소마다 화소 신호를 선택하여, 그 화소 신호를 출력하고, 복수 행렬의 화소 블록으로부터 선택되는 화소들 중에서 대표 화소의 화소 신호를 선택하여 대표 화소가 화소 블록 내에서 분산되어 있는 것을 특징으로 한다. 전술한 발명에 따르면, 화소 어레이의 화소를 선택하는 화소 선택 회로가, 추출 처리의 최소 단위인 복수 행렬의 화소 블록 내에서, 선택되는 화소를 분산시킴으로써, 공간 해상도의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 이미 추출된 화소 신호가 AD 변환되어 RGB 동시 신호 생성 회로나 색 처리 회로에 출력되기 때문에, 추출 처리를 위한 하드웨어 회로를 적게 할 수 있다.

10. 发明公开

KR1020080106112A 촬상 장치 및 촬상 방법 有权
标题翻译：成像装置和成像方法
公开(公告)号：KR1020080106112A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020080051079
申请日：2008-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준
IPC分类号： H04N5/225
CPC分类号： H04N5/361
摘要： An imaging apparatus and an imaging method are provided to replace the maximum value and/or the minimum value with a complementary pixel value while determining a reference value, thereby determining a reference value of a stable black level even though the number of reference pixels is small. A plurality of light receiving pixels(2a) detects light. A plurality of reference pixels(2b) is shielded from light. An accumulation unit(3) accumulates pixel values obtained from the reference pixels. A detecting unit(4) detects at least one of the maximum value or the minimum value from pixel values of the reference pixels. A determining unit(5) determines a complementary pixel value which replaces at least one of the maximum value or the minimum value. A black level reference value determining unit(7) determines a reference value of a black level of the complementary pixel value based on the accumulation pixel value in which at least one of the maximum value or the minimum value is replaced with the complementary pixel value. An output complementary value determining unit(6) complements an output value from a light receiving pixel together with the reference value of the black level.
摘要翻译：提供一种成像装置和成像方法，用于在确定参考值的同时用补偿像素值代替最大值和/或最小值，从而即使参考像素的数量小，也可以确定稳定的黑色电平的参考值。多个受光像素（2a）检测光。多个参考像素（2b）被遮光。累积单元（3）累积从参考像素获得的像素值。检测单元（4）根据参考像素的像素值检测最大值或最小值中的至少一个。确定单元（5）确定替换最大值或最小值中的至少一个的互补像素值。黑电平基准值确定单元（7）基于将补偿像素值替换为最大值或最小值中的至少一个的累积像素值，确定补充像素值的黑电平的基准值。输出互补值确定单元（6）将来自光接收像素的输出值与黑色电平的参考值一起补充。

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