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1. 发明授权

KR101231497B1 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자를 사용한 신호 처리방법 有权
标题翻译：固态图像拾取装置和使用固态图像拾取装置的信号处理方法
公开(公告)号：KR101231497B1
公开(公告)日：2013-02-07
申请号：KR1020080050224
申请日：2008-05-29
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 미즈구치도시타카 , 히구치츠요시
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/347 , H04N5/361 , H04N5/3765
摘要： 본 발명은 신호의 전송 시간을 단축하는 것을 과제로 한다.
픽셀 어레이(2)는 복수의 수광 픽셀 소자(2a, 2a, …)와 복수의 차광 픽셀 소자(2b, 2b, …)를 갖고 있다. 독출부(3)는 차광 픽셀 소자(2b)의 출력 신호를 독출한다. AD 변환 처리부(4)는 인접하는 차광 픽셀 소자(2b, 2b, …)의 출력 신호의 합을 행하여 차광 픽셀 소자(2b, 2b, …) 각각의 신호 전송을 보다 짧은 시간에 전송 처리하는 회로를 구비하고 있다.

2. 发明公开

KR1020040010299A 화질을 향상시킨 이미지 센서 有权
标题翻译：用于改善图像质量的图像传感器
公开(公告)号：KR1020040010299A
公开(公告)日：2004-01-31
申请号：KR1020030050013
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 고쿠분마사토시 , 미즈구치도시타카 , 후나코시준 , 고바야시히로시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/3598
摘要： PURPOSE: An image sensor for improving image quality is provided to improve the quality of an image having locally high luminance. CONSTITUTION: A plurality of pixels are arranged in a matrix direction. Each of the pixels has a photoelectric conversion element and a reset transistor(M1). The photoelectric conversion element generates current according to received light intensity. The reset transistor(M1) resets a node of the photoelectric conversion element to a reset potential. A sample hold circuit(14) sample-holds a pixel potential according to the potential of the node of the pixel. The sample hold circuit outputs differential potential, between the first pixel potential at an end of the integration period after the first reset operation of the pixel and the second pixel potential at an end of a reset noise read period after the second reset operation after the integration period, as a pixel signal. Also in the sample hold circuit(14), when the second pixel potential during the reset noise read period exceeds a predetermined threshold level, the second pixel potential is set to a predetermined reference potential.
摘要翻译：目的：提供用于提高图像质量的图像传感器，以提高具有局部高亮度的图像的质量。构成：沿矩阵方向排列多个像素。每个像素具有光电转换元件和复位晶体管（M1）。光电转换元件根据接收的光强度产生电流。复位晶体管（M1）将光电转换元件的节点复位到复位电位。采样保持电路（14）根据像素的节点的电位采样保持像素电位。采样保持电路在积分后的积分期间结束后的第一像素电位和积分后的第二复位动作后的复位噪声读取期间的第二像素电位之间输出差分电位周期，作为像素信号。另外，在采样保持电路（14）中，当复位噪声读取期间的第二像素电位超过规定的阈值电平时，将第二像素电位设定为规定的基准电位。

3. 发明授权

KR100911228B1 ＣＭＯＳ 센서 失效
标题翻译：取消包括其中的半导体器件的偏移电压的图像传感器
公开(公告)号：KR100911228B1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：KR1020060049058
申请日：2006-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 미즈구치도시타카 , 히구치츠요시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374
CPC分类号： H03M1/0607 , H04N5/3575 , H04N5/3742 , H04N5/378
摘要： 본 발명은 간이한 구성이면서 고품질의 화상을 표시할 수 있는 CMOS 센서의 제공을 도시하는 것을 목적으로 한다.
CMOS 센서(100)는 화소부(110) 고유의 오프셋 A와 AMP(121)의 오프셋 B를 상쇄함으로써 화소부(110)로부터의 출력에서 화소 신호 성분(PS)을 취출하고, 이 화소 신호 성분을 증폭함으로써, ADC부(130)로의 출력(P1)을 생성하는 CDS부(120)와 P1에 포함되어 있는 오프셋 C를 상쇄함으로써 얻어지는 출력을 디지털 신호로 변환하는 ADC부(130)를 포함한다.

4. 发明授权

KR100903041B1 화질을 향상시킨 이미지 센서 有权
标题翻译：图像传感器提供改进的图像质量
公开(公告)号：KR100903041B1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：KR1020030050013
申请日：2003-07-22
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 고쿠분마사토시 , 미즈구치도시타카 , 후나코시준 , 고바야시히로시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/363 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/3598
摘要： 본 발명은 국소적으로 높은 휘도를 갖는 화상의 화질을 향상시킬 수 있는 이미지 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
화상을 촬상하는 이미지 센서에 있어서, 수광 광량에 따라 전류를 발생하는 광전 변환 소자와, 그 광전 변환 소자의 노드를 리셋 전위로 리셋하는 리셋 트랜지스터를 가지며, 행렬 방향으로 배치된 복수의 화소와, 그 화소의 상기 노드의 전위에 따른 화소 전위를 샘플 홀드하는 샘플 홀드 회로를 갖는다. 그리고, 샘플 홀드 회로는 화소의 제1 리셋 동작후의 적분 기간 종료시의 제1 화소 전위와, 적분 기간후의 제2 리셋 동작후의 리셋 노이즈 판독 기간 종료시의 제2 화소 전위와의 차(差)전위를 화소 신호로서 출력한다. 또한, 샘플 홀드 회로에서는 리셋 노이즈 판독 기간중의 제2 화소 전위가 소정의 임계치 레벨을 초과할 때에, 제2 화소 전위가 소정의 기준 전위가 된다. 국부적으로 높은 휘도의 화상이 존재하는 경우에는, 리셋 노이즈 판독 기간에서의 노광에 의해, 제2 화소 전위가 리셋 노이즈를 훨씬 초과하는 전위가 되어 제1 화소 전위와 제2 화소 전위의 차전위인 화소 신호 레벨이 지나치게 낮아지는 것이 방지된다. 즉, 제2 화소 전위가 소정의 임계치 레벨을 초과하는 경우에는, 샘플 홀드 회로의 상관 이중 샘플링 기능이 디스에이블이 되어 제1 화소 전위와 제2 화소 전위와의 차전압 대신에 리셋 레벨로부터 제1 화소 전위까지의 차전압이 검출된다. 그 결과, 높은 휘도의 국소 영역에서 화질이 저하하는 것이 방지된다.

5. 发明公开

KR1020080106057A 고체 촬상 소자 및 고체 촬상 소자를 사용한 신호 처리방법 有权
标题翻译：固态图像拾取装置和使用固态图像拾取装置的信号处理方法
公开(公告)号：KR1020080106057A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020080050224
申请日：2008-05-29
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 미즈구치도시타카 , 히구치츠요시
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/347 , H04N5/361 , H04N5/3765
摘要： A solid imaging device and a signal processing method using the solid imaging device are provided to reduce the transmission time of signal due to generating transmission signal by summing output signals of antiglare pixel elements. The array of pixel(2) includes a plurality of light accepting pixel elements and plurality of antiglare pixel elements and process signal by a row and a column. A reading part(3) reads out the output signal of the antiglare pixel element and light accepting pixel element. An AD conversion unit converts the output signal from the reading part. The AD conversion unit(4) transmits the sum of the output signal of adjacent plurality of antiglare pixel elements.
摘要翻译：提供了一种使用该固体成像装置的固体成像装置和信号处理方法，以通过对防眩光像素元件的输出信号相加来产生发送信号来减少信号的传输时间。像素（2）的阵列包括多个受光像素元件和多个防眩光像素元件以及通过行和列的处理信号。读取部（3）读出防眩光像素元件和受光像素元件的输出信号。 AD转换单元转换来自读取部分的输出信号。 AD转换单元（4）发送相邻的多个防眩光像素元件的输出信号之和。

6. 发明公开

KR1020070028210A ＣＭＯＳ 센서 失效
标题翻译：取消包括其中的半导体器件的偏移电压的图像传感器
公开(公告)号：KR1020070028210A
公开(公告)日：2007-03-12
申请号：KR1020060049058
申请日：2006-05-30
申请人： 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤
发明人： 후나코시준 , 미즈구치도시타카 , 히구치츠요시 , 야마모토가츠요시
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374
CPC分类号： H03M1/0607 , H04N5/3575 , H04N5/3742 , H04N5/378
摘要： A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor is provided to acquire a high quality image in spite of a simple structure. A CMOS sensor includes a CDS(Correlated Double Sampling) circuit and an ADC(Analog Digital Converter) circuit. The CDS circuit(120) is used for extracting a pixel signal component from a first analog signal by offsetting a first offset of pixel and generating a second analog signal by amplifying the pixel signal component. The ADC circuit(130) is used for converting a third analog signal into a digital signal, wherein the third analog signal is obtained by offsetting a second offset of the second analog signal.
摘要翻译：提供CMOS（互补金属氧化物半导体）传感器以获得高质量的图像，尽管结构简单。 CMOS传感器包括CDS（相关双采样）电路和ADC（模拟数字转换器）电路。 CDS电路（120）用于通过偏移像素的第一偏移并通过放大像素信号分量产生第二模拟信号来从第一模拟信号中提取像素信号分量。 ADC电路（130）用于将第三模拟信号转换为数字信号，其中通过偏移第二模拟信号的第二偏移来获得第三模拟信号。

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