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1. 实用新型

KR2019990041244U 반도체 고체촬상소자 패키지와 글라스의 부착장치 失效
标题翻译：半导体固体摄像器件封装和玻璃附属器件
公开(公告)号：KR2019990041244U
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR2019980008027
申请日：1998-05-15
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L23/02
摘要： 본 고안은 반도체 고체촬상소자 패키지와 글라스의 부착장치에 관한 것으로, 종래에는 패키지를 글라스에 밀착시키는 역할을 하는 패키지 가압핀의 형태가 원통형으로 이루어져 있으므로 패키지를 가압하는 영역이 협소하고 제한됨에 따라 패키지 전체에 압력이 고르게 전달되지 못하므로 패키지와 글라스간의 완전한 접합이 이루어지지 않는 바, 이에 본 고안은 다수개의 글라스가 일정 간격으로 부착되는 글라스 고정판과, 이 글라스 고정판의 상측에 설치되며 상기 글라스에 고체촬상소자 패키지를 압착하기 위한 다수개의 패키지 가압핀이 삽입 고정되는 핀 고정판과, 이 핀 고정판에 삽입된 각각의 패키지 가압핀 하단부에 결합 설치되어 글라스에 부착되는 패키지에 균일하게 압력을 가하는 균일 가압판으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 고체촬상소자 패키지와 글라스의 부착장치를 제공함으로써, 패키지와 글라스간의 접착력을 전체적으로 균일하게 이룰 수 있으며, 균일 가압판의 양단부 저면에 형성된 유동방지턱에 의해 고체촬상소자 패키지의 가압시 고체촬상소자 패키지 및 글라스의 유동을 방지하여 정확한 위치 유지가 이루어지도록 함으로써 균일한 품질 확보에 기여할 수 있다.

2. 实用新型

KR2019990018790U 웨이퍼세정장치 失效
公开(公告)号：KR2019990018790U
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR2019970032083
申请日：1997-11-14
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 고안은 반도체 제조공정중 웨이퍼의 불순물을 제거하기 위하여 사용하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로, 제 1 세정액을 공급하는 제 1 세정액 유입관과, 상기 유입되는 제 1 세정액의 공급을 조절하는 제 1 조절밸브와, 제 2 세정액을 공급하는 제 2 세정액 유입관과, 상기 유입되는 제 2 세정액의 공급을 조절하는 제 2 조절밸브와, 세정수를 공급하는 세정수 유입구와, 상기 유입되는 세정수의 공급을 조절하는 세정수 조절밸브과, 상기 공급되는 제 1 및 제 2 세정액과 세정수가 일정비율로 혼합된 혼합 세정액이 담겨져 웨이퍼가 세정되는 세정액통과 상기 세정액통의 하부에 위치하여 웨이퍼 세정후의 혼합 세정액이 배수되는 배수관과, 웨이퍼 세정공정중 넘쳐나는 혼합 세정액의 외부유출을 방지하기 위하여 상기 세정액통의 외부에 형성된 넘침 방 지통을 가지며 상기 세정액통 일측면에 형성하는 산성도 조절액 유입구와, 상기 공급되는 산성도 조절액의 양을 조절하는 산성도 조절밸브와, 상기 세정액통내의 혼합 세정액 산성도를 측정하는 산성도 측정기와, 상기 산성도 측정기의 측정결과를 분석한후 상기 산성도 조절밸브를 조정하여 혼합 세정액이 항상 일정한 산성도를 유지하도록하는 제어부를 추가하여 웨이퍼 세정공정중의 세정액통내의 혼합 세정액을 항상 일정한 산성도를 유지 하도록하여 포토 애칭작업후 웨이퍼 표면에 남은 불순물 입자와 폴리머를 효과적으로 제거하고 반응 침전물이 웨이퍼에 재부착되는 것을 방지 할수 있는 있점을 가진다.

3. 实用新型

KR2019970064211U 반도체 제조장비의 스택 매거진 失效
标题翻译：在半导体制造设备中堆叠杂志
公开(公告)号：KR2019970064211U
公开(公告)日：1997-12-11
申请号：KR2019960013494
申请日：1996-05-29
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/68

4. 发明公开

KR1019970053349A 반도체 패키지의 로딩 튜브 失效
公开(公告)号：KR1019970053349A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950069661
申请日：1995-12-30
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 발명은 일단의 입구가 개방되고, 또 다른 단의 출구는 차단된 반도체 패키지의 로딩 튜브에 있어서, 입구의 하단에 개구부를 형성하고, 개구부에 삽입되도록 형성되고, 상면에 입구를 차단시킬 수 있는 돌기가 형성되는 안전블럭과, 안전블럭을 개구부의 일측에 고정시키면서, 돌기에 의해 입구가 개폐될 수 있도록 안전블럭에 탄성을 주는 탄성장치를 포함하여 이루어진다.

5. 实用新型

KR2019960025348U 반도체 에칭장치의 로우어 일렉트로드 失效
标题翻译：半导体蚀刻设备的低电极
公开(公告)号：KR2019960025348U
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR2019940039580
申请日：1994-12-31
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/306

6. 发明公开

KR1019960008427A 반도체 소자의 사진 식각 공정 无效
标题翻译：半导体器件的光刻工艺
公开(公告)号：KR1019960008427A
公开(公告)日：1996-03-22
申请号：KR1019940019679
申请日：1994-08-10
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： G03F7/00

7. 实用新型

KR200234232Y1 웨이퍼세정장치 失效
标题翻译：清洗系统
公开(公告)号：KR200234232Y1
公开(公告)日：2001-11-30
申请号：KR2019970032083
申请日：1997-11-14
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본고안은반도체제조공정중웨이퍼의불순물을제거하기위하여사용하는웨이퍼세정장치에관한것으로, 제 1 세정액을공급하는제 1 세정액유입관과, 상기유입되는제 1 세정액의공급을조절하는제 1 조절밸브와, 제 2 세정액을공급하는제 2 세정액유입관과, 상기유입되는제 2 세정액의공급을조절하는제 2 조절밸브와, 세정수를공급하는세정수유입구와, 상기유입되는세정수의공급을조절하는세정수조절밸브과, 상기공급되는제 1 및제 2 세정액과세정수가일정비율로혼합된혼합세정액이담겨져웨이퍼가세정되는세정액통과상기세정액통의하부에위치하여웨이퍼세정후의혼합세정액이배수되는배수관과, 웨이퍼세정공정중넘쳐나는혼합세정액의외부유출을방지하기위하여상기세정액통의외부에형성된넘침방지통을가지며상기세정액통일측면에형성하는산성도조절액유입구와, 상기공급되는산성도조절액의양을조절하는산성도조절밸브와, 상기세정액통내의혼합세정액산성도를측정하는산성도측정기와, 상기산성도측정기의측정결과를분석한후상기산성도조절밸브를조정하여혼합세정액이항상일정한산성도를유지하도록하는제어부를추가하여웨이퍼세정공정중의세정액통내의혼합세정액을항상일정한산성도를유지하도록하여포토애칭작업후웨이퍼표면에남은불순물입자와폴리머를효과적으로제거하고반응침전물이웨이퍼에재부착되는것을방지할수있는있점을가진다.
摘要翻译：内部的纸，第一清洗液入口管，用于控制其中对晶片清洁器供给清洗液入口用于去除在半导体制造过程中的杂质的第一清洗液的供给的第一控制阀，该晶片和第二清洗液入口管和第二控制阀，和控制洗涤入口进料和流入洗涤数供给的被用于供给洗涤水，以控制第2清洗液的供给，其中，用于供给第二清洗液入口洗涤控制baelbeugwa，排水管是第一mitje混合清洗溶剂中的第二清洗液和洗涤水的洗涤液通过位于清洗液桶的下部分中的清洗晶片之后，在在该晶片，其中供给漏极和清洁的恒定速率包含在混合清洗液混合物中，形成具有酸性，以防止所述混合清洗液从晶片清洗处理槽溢出的泄漏设置在洗涤液桶统一侧的清洗液的外部的溢流管预防 Jeolaek入口和作为酸度调节阀，以控制为电源，酸度测量，用于测量混合清洗液酸性的清洗液容器内，分析该酸度测量的调节酸度调节阀的测量结果的装置后的酸度调节液体量由清洗液混合总是被添加到以始终保持恒定的酸度在晶片清洗过程画面昵称的洗涤液桶中的清洗液混合除去晶片表面上的任何残留的杂质，颗粒和聚合物工作之后有效地控制保持一定酸度和反应的沉淀物它有一个itjeom，可以防止晶片上的再附着。

8. 实用新型

KR200183533Y1 반도체 에칭장치의 로우어 일렉트로드 失效
标题翻译：用于半导体蚀刻设备的下电极
公开(公告)号：KR200183533Y1
公开(公告)日：2000-08-01
申请号：KR2019940039580
申请日：1994-12-31
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 본 고안은 반도체 에칭장치의 로우어 일렉트로드(1)에 관한 것으로, 종래의 로우어 일렉트로드(1)는 웨이퍼(7)를 로딩(Loading)시킨 후 밴트(Bent)된 상태에서 냉각시에 냉각수와 He가스를 이용하여 냉각하게 되는데, 웨이퍼(7)의 중앙부는 로우어 일렉트로드(1) 상부와의 갭(Gap) 때문에 균일한 냉각효과를 얻을 수 없었던 바, 본 고안에서는 로우어 일렉트로드(11) 상ㅂ에 경사진 홈부를 형성하여 He가스가 와류를 형성하면서 냉각이 진행하기 때문에 냉각효과를 증대시켜 웨이퍼(17)의 에지(Edge)부와 중앙부가 균일하게 냉각되므로 에치 레이트(Etch Rate)를 균일하게 하고, 하이 에스펙트 라티오(High Aspect Ratio)를 갖는 패턴 (Pattern) 형성이 가능하며, 포토 레지스트(Photo Resist)에 대한 번(Burn) 현상 및 포토 레지스트(Photo Resist)에 대한 선택비를 높일 수 있다.

9. 实用新型

KR200145600Y1 반도체 제조장비의 스택 매거진 失效
标题翻译：半导体设备的堆叠杂志
公开(公告)号：KR200145600Y1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR2019960013494
申请日：1996-05-29
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： H01L21/68
摘要： 본 고안은 몰딩된 리드 프레임이 적재되는 매거진 본체와, 매거진 본체의 양측에 설치되어, 매거진 본체가 지지되도록 하는 지지대와, 매거진 본체에 지지대를 연결시키는 연결부와, 매거진 본체가 안정되는 각도로 조절되도록 하는 각도 조절부를 포함하여 이루어지는 반도체 제도장비의 스택 매거진에 관한 것이다.

10. 发明授权

KR100124780B1 포토레지스트패턴 형성방법 失效
公开(公告)号：KR100124780B1
公开(公告)日：1997-09-29
申请号：KR1019930016127
申请日：1993-08-19
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 박성환
IPC分类号： G03F7/26

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