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1. 发明公开

KR1020000003839A 다중층양자점을이용한메모리소자및제조방법 失效
标题翻译：使用多个量子的存储器件及其方法
公开(公告)号：KR1020000003839A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025131
申请日：1998-06-29
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김기범 , 윤태식 , 권장연
IPC分类号： H01L27/112
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C2216/08 , H01L21/28273 , H01L29/7887 , H01L29/7888
摘要： PURPOSE: A memory device using multiple quantum dots having multi-digit storage function and method thereof are provided to improve a reliability of the device by using multiple floating dots. CONSTITUTION: The memory device using multiple quantum dots comprises: a semiconductor substrate(11); a plurality of quantum dots(13) formed on the semiconductor substrate(11); a plurality of insulating layers(12,18) formed on the semiconductor substrate(11) and between the multiple quantum dots(13); a control gate(14) formed on the top insulating layer(18); and a source and a drain regions(16,17) formed in the semiconductor substrate(11) and at both sides of the control gate(14)
摘要翻译：目的：提供使用多位存储功能的多个量子点的存储器件及其方法，以通过使用多个浮点提高器件的可靠性。构成：使用多个量子点的存储器件包括：半导体衬底（11）; 形成在所述半导体基板（11）上的多个量子点（13）。多个绝缘层（12,18），形成在所述半导体衬底（11）上并且在所述多个量子点（13）之间; 形成在顶部绝缘层（18）上的控制栅极（14）; 以及形成在所述半导体衬底（11）中并且在所述控制栅极（14）的两侧形成的源区和漏区（16,17）

2. 发明公开

KR1019990050209A 반도체 소자의 양자점 형성 방법 失效
标题翻译：形成半导体器件量子点的方法
公开(公告)号：KR1019990050209A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970069281
申请日：1997-12-16
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김기범 , 윤태식 , 권장연
IPC分类号： H01L21/82
摘要： 본 발명은 전도층의 응집을 이용한 양자점 형성 방법에 관한 것으로, 기판상에 제 1 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 절연층 위에 전도층을 형성하는 공정과, 상기 전도층 위에 제 2 절연층을 형성하는 공정과, 그리고 상기 전도층을 응집시키기 위해 열처리를 행하는 공정을 포함하여 이루어진 것으로 수 nm이하의 양자점을 형성할 수 있다.

3. 发明授权

KR100294691B1 다중층양자점을이용한메모리소자및제조방법 失效
标题翻译：使用多层量子点的存储器件和制造方法
公开(公告)号：KR100294691B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980025131
申请日：1998-06-29
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김기범 , 윤태식 , 권장연
IPC分类号： H01L27/112
摘要： 본 발명은 다중층의 양자점을 이용한 다중진법의 메모리 소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 다중층의 양자점을 이용한 메모리 소자의 제조 방법은 기판상에 제 1 절연층을 형성하는 공정과, 상기 제 1 절연층위에 도전층과 제 2 절연층을 적어도 1번 이상 반복적으로 형성하는 공정과, 상기 각 도전층을 응집시켜 양자점을 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 것이다.

4. 发明授权

KR100268936B1 반도체 소자의 양자점 형성 방법 失效
标题翻译：一种形成半导体器件量子的方法
公开(公告)号：KR100268936B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019970069281
申请日：1997-12-16
申请人： 현대반도체 주식회사
发明人： 김기범 , 윤태식 , 권장연
IPC分类号： H01L21/82
CPC分类号： B82Y30/00 , B82Y10/00 , G11C2216/08 , H01L29/0665 , H01L29/127 , H01L29/66439 , H01L29/66469 , H01L29/7613 , Y10S977/774 , Y10S977/89 , Y10S977/895 , Y10S977/937
摘要： PURPOSE: A method for forming a quantum dot of a semiconductor device is provided to apply the device as a SET component as well as light emitting devices in the optical field by forming quantum dots which are small and relatively uniform. CONSTITUTION: The method includes following steps. At the first step, an insulator layer(1,3) is formed on a substrate. At the second step, a conductive layer(2) is formed on the insulator layer. At the last step, heat processing operation is perform to accumulate the conductive layer. The insulator layer is made of a silicon oxide layer, and the conductive layer is formed from one of a group including Si, Ge, Si(1-x)Ge(x), Al, Au, Cu, Pt, Cr, Ru, Ta, or Si alloy(Si(1-x)-metal(x)), or alloy of the preceding materials and Ge(Ge(1-x)-metal(x)), or alloy of the preceding materials(metal(1-x)-metal(x)). The heat processing operation is performed under a vacuum environment of N2 environment.
摘要翻译：目的：提供一种用于形成半导体器件的量子点的方法，通过形成小而相对均匀的量子点，将该器件作为SET组件以及光场中的发光器件。规定：该方法包括以下步骤。在第一步骤中，在衬底上形成绝缘体层（1,3）。在第二步骤中，在绝缘体层上形成导电层（2）。在最后一步，进行热处理操作以积聚导电层。绝缘体层由氧化硅层构成，导电层由Si，Ge，Si（1-x）Ge（x），Al，Au，Cu，Pt，Cr，Ru，（Si（1-x） - 金属（x））或前述材料与Ge（Ge（1-x） - 金属（x））的合金或前述材料（金属（ 1-X） - 金属（X））。热处理操作在N2环境的真空环境下进行。

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