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1. 发明授权

KR101417367B1 동결방지단백질의 활성 분석 방법 및 그 응용 有权
标题翻译：分析抗冻蛋白活性的方法及其应用
公开(公告)号：KR101417367B1
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：KR1020120115559
申请日：2012-10-17
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 한국해양과학기술원
发明人： 김영필 , 진언선 , 박지인 , 곽윤호 , 김학준 , 이준혁
IPC分类号： C12Q1/37 , G01N33/52 , B82Y15/00
摘要： 본 발명은 동결방지단백질의 활성 분석 방법에 관한 것으로, 일 말단에 카르복실기를 포함하는 개질부를 금속 나노입자의 표면에 도입하여, 상기 금속 나노입자의 표면을 카르복시기로 개질하는 단계; 실험군으로서, 분석 대상 동결방지단백질을 상기 표면이 개질된 금속 나노입자와 함께 물에 첨가하는 단계; 상기 금속 나노입자와 동결방지단백질이 첨가된 물을 0 ℃ 이하로 냉동시켜 상기 금속 나노입자를 응집시킨 후, 해동시키는 단계; 상기 해동된 물 내에 포함된 상기 금속 나노입자의 응집 정도를 측정하는 단계; 및 상기 측정된 응집 정도를, 분석 대상 동결방지단백질이 포함되지 않은 물을 0 ℃ 이하로 냉동시켜 상기 금속 나노입자를 응집시킨 후 해동시킨 대조군의 금속 나노입자 응집 정도와 비교하는 단계를 포함하는 동결방지단백질의 활성 분석 방법을 제공한다. 본 발명의 동결방지단백질 활성 분석 방법은 종래의 기술에 비하여 보다 간단하고 저렴하면서도 빠르게 동결방지단백질의 활성을 정량 또는 정성적으로 분석할 수 있을 뿐만 아니라, 상기 동결방지단백질의 안정성도 분석할 수 있는 효과가 있다.

2. 发明公开

KR1020140049634A 동결방지단백질의 활성 분석 방법 및 그 응용 有权
标题翻译：分析抗冻蛋白活性的方法及其应用
公开(公告)号：KR1020140049634A
公开(公告)日：2014-04-28
申请号：KR1020120115559
申请日：2012-10-17
申请人： 한양대학교 산학협력단 , 한국해양과학기술원
发明人： 김영필 , 진언선 , 박지인 , 곽윤호 , 김학준 , 이준혁
IPC分类号： C12Q1/37 , G01N33/52 , B82Y15/00
CPC分类号： G01N33/68 , C01G5/00 , C01P2004/64 , C07C323/52 , G01N33/52
摘要： The present invention relates to a method for analyzing activity of anti-freezing protein, the method comprising the steps of: introducing a reformer containing a carboxyl group at one end thereof to surfaces of metal nanoparticles to reform the surfaces of the metal nanoparticles with the carboxyl group; adding antifreezing protein to be analyzed and the surface-reformed metal nanoparticles to water; freezing the water added with the metal nanoparticles and the antifreezing protein to 0°C or lower to agglomerate the metal nanoparticles, followed by thawing; measuring the degree of agglomeration of the metal nanoparticles contained in the thawed water; and comparing the measured degree of agglomeration with the degree of agglomeration of metal nanoparticles of a control group, which are obtained by freezing water not containing antifreezing protein to be analyzed to 0°C or lower to agglomerate the metal nanoparticles, followed by thawing. The method for analyzing activity of anti-freezing protein according to the present invention cannot only quantitatively or qualitatively analyze activity of the antifreezing protein more simply and cheaply as compared with the conventional technology, but can also analyze stability of the antifreezing protein. [Reference numerals] (AA) In the presence of antifreezing protein; (BB) Freezing/thawing; (CC) In the absence of antifreezing protein; (DD) Absorbance; (EE) + antifreezing protein; (FF) - antifreezing protein; (GG) Wavelength / (nm)
摘要翻译：本发明涉及一种分析抗冻蛋白活性的方法，该方法包括以下步骤：将含有羧基的重整单元在其一端引入金属纳米粒子的表面，使金属纳米粒子的表面与羧基组; 加入待分析的抗冻蛋白，将表面改性金属纳米粒子加入水中; 将加入金属纳米粒子和防冻蛋白的水冻结至0℃以下，使金属纳米粒子凝聚，然后解冻; 测量解冻的水中包含的金属纳米颗粒的聚集度; 将测定的凝聚度与对照组的金属纳米粒子的凝集度进行比较，将通过将不含防冻蛋白质的水冻结至0℃以下，使金属纳米粒子凝集，然后解冻而获得。根据本发明的分解抗冻蛋白活性的方法不仅能够比常规技术更简单且更便宜地定量或定性分析抗冻蛋白的活性，还可以分析抗冻蛋白的稳定性。（AA）在存在防冻蛋白的情况下，（BB）冷冻/解冻; （CC）在没有防冻蛋白的情况下; （DD）吸光度; （EE）+防冻蛋白; （FF） - 防冻蛋白; （GG）波长/（nm）

3. 发明公开

KR1020130006090A 비휘발성 메모리 장치 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件
公开(公告)号：KR1020130006090A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：KR1020110067923
申请日：2011-07-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김석구 , 이승백 , 이준혁 , 오슬기
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L21/67069 , H01L21/67075
摘要： PURPOSE: A nonvolatile memory device is provided to improve a device property by uniformly reducing interface illumination of an active layer and a memory layer through an additional process like a chemical-physical polishing of an insulation layer and the active layer. CONSTITUTION: An insulation layer(21,23) is formed on the upper side and the lower side of an active layer(22) and includes a low dielectric layer. A memory layer(24) surrounds the active layer while interposing the insulation layer. The memory layer is composed of a tunneling insulation layer, an electron trapping layer, and a blocking insulation layer. A gate electrode(25) surrounds the active layer on the memory layer. An oxide layer is formed on both ends of the active layer.
摘要翻译：目的：提供非易失性存储器件以通过通过诸如绝缘层和有源层的化学物理抛光的附加工艺均匀地减少有源层和存储层的界面照明来改善器件特性。构成：绝缘层（21,23）形成在有源层（22）的上侧和下侧，并且包括低介电层。存储层（24）围绕有源层，同时插入绝缘层。存储层由隧道绝缘层，电子俘获层和阻挡绝缘层组成。栅电极（25）围绕存储层上的有源层。在有源层的两端形成氧化物层。

4. 发明授权

KR101055587B1 3차원 구조를 가지는 메모리의 제조방법 失效
标题翻译：制造具有三维结构的记忆的方法
公开(公告)号：KR101055587B1
公开(公告)日：2011-08-08
申请号：KR1020100054301
申请日：2010-06-09
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이승백 , 오슬기 , 이준혁
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/0688 , H01L21/28282 , H01L27/11578 , H01L27/11582
摘要： PURPOSE: A method for manufacturing memory with a three dimensional structure is provided to make a non-volatile memory device with the high degree of integration by making a three dimensional structure and forming a plurality of cell transistors in a multil active layer. CONSTITUTION: A pre-etching film and an insulating film are alternately formed. A selection insulating layer(316), a selection etching film, and a sacrificial insulating film(318) are successively formed in the upper part of the pre-etch film which is a top layer. Multi active layers(330), which are arranged into a first direction, are formed passing through the pre-etching film, the insulating layer, the selection insulating layer, the selection etching film, and the sacrificial insulating film. A cell area, in which a contact area and the multi active layers are formed, is defined. The level difference of a second direction which is vertical to the first direction is formed by the imprint of a pattern in a contact area. A plurality of string areas, which is extended toward the first direction, is formed by selectively etching the cell area after the imprint of the pattern. The selection etching film and the pre-etch film are eliminated. An ONO(Oxide-Nitride-Oxide) layer and a conductive film are formed on the side of the multi active layers.
摘要翻译：目的：提供一种用于制造具有三维结构的存储器的方法，以通过制作三维结构并在多有源层中形成多个单元晶体管来制造具有高集成度的非易失性存储器件。构成：交替形成预蚀刻膜和绝缘膜。在作为顶层的预蚀刻膜的上部依次形成选择绝缘层（316），选择蚀刻膜和牺牲绝缘膜（318）。通过预蚀刻膜，绝缘层，选择绝缘层，选择蚀刻膜和牺牲绝缘膜形成布置成第一方向的多有源层（330）。定义了形成接触区域和多有源层的单元区域。通过在接触区域中印刷图案来形成与第一方向垂直的第二方向的电平差。通过在图案的印记之后选择性地蚀刻单元区域来形成朝向第一方向延伸的多个串区域。消除了选择蚀刻膜和预蚀刻膜。在多有源层的一侧形成ONO（氧化物 - 氮化物 - 氧化物）层和导电膜。

5. 发明授权

KR101820851B1 비휘발성 메모리 장치 有权
公开(公告)号：KR101820851B1
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：KR1020110067923
申请日：2011-07-08
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김석구 , 이승백 , 이준혁 , 오슬기
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 본발명은집적도및 장치특성을향상시킬수 있는 3차원집적된비휘발성메모리장치를제공하기위한것으로, 본발명의비휘발성메모리장치는, 평판형의활성층; 상기활성층의상부와하부에형성된절연층; 상기절연층을사이에두고상기활성층을에워싸는메모리층; 및상기메모리층상에서상기활성층을에워싸는게이트전극을포함하며, 상술한본 발명은활성층의측면보다더 넓은비중을차지하는활성층의윗면과아랫면의대부분을채널로사용함으로써, 채널너비가넓어지는효과를얻을수 있다. 이로써소자크기가동일한경우에는온-전류를증가시킬수 있다. 또한, 동일한채널너비로제작할경우에는, 가로-세로식각비가허용하는한도내에서소자의크기를줄일수 있다.

6. 发明公开

KR1020110121332A 비휘발성 메모리장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110121332A
公开(公告)日：2011-11-07
申请号：KR1020100040884
申请日：2010-04-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김석구 , 이승백 , 이준혁 , 오슬기
IPC分类号： G11C16/24 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11578 , G11C5/02 , G11C16/0466 , H01L27/11568
摘要： PURPOSE: A non volatile memory device and a method for manufacturing the same are provided to reduce an area required for a drain selection line by simplifying an electrode wiring process. CONSTITUTION: In a non volatile memory device and a method for manufacturing the same, a bit line(112) is connected to each active layer of the bit line connection. The bit line is connected to each active layer through a bit line plug(111). The bit line vertically is crossed with the word line(11). The bit line is formed in upper part of a string layer(103). One bit line is connected to all strings(103A) which are identical. The drain select line is connected to a plug(109) which is arranged in vertical direction.
摘要翻译：目的：提供一种非易失性存储器件及其制造方法，通过简化电极布线处理来减少漏极选择线所需的面积。构成：在非易失性存储器件及其制造方法中，位线（112）连接到位线连接的每个有源层。位线通过位线插头（111）连接到每个有源层。垂直方向的位线与字线（11）交叉。位线形成在串层（103）的上部。一个位线连接到所有相同的串（103A）。漏极选择线连接到沿垂直方向布置的插头（109）。

7. 发明授权

KR101102548B1 비휘발성 메모리장치 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101102548B1
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020100040884
申请日：2010-04-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사 , 한양대학교 산학협력단
发明人： 김석구 , 이승백 , 이준혁 , 오슬기
IPC分类号： G11C16/24 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11578
摘要： 본 발명은 전극 배선 공정을 단순화할 수 있고, 드레인선택라인이 차지하는 면적을 감소시킬 수 있는 비휘발성메모리장치 및 그 제조 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명의 비휘발성 메모리 장치 제조 방법은 복수의 활성층과 복수의 절연층이 교대로 적층된 다층막을 형성하는 단계; 상기 다층막의 일측 끝단을 식각하여 계단형 비트라인연결부를 형성하는 단계; 상기 다층막을 식각하여 복수의 스트링을 형성하는 단계; 및 상기 비트라인연결부에 연결되는 복수의 비트라인을 형성하는 단계를 포함하며, 상술한 본 발명은 동일 스트링층의 모든 스트링들과 이어져 있는 비트 라인과 다층의 스트링을 동시에 선택하는 하나의 드레인선택라인을 이용하여 다층의 스트링을 선택 가능하게 하므로, 적층되는 활성층의 수가 증가하더라도 드레인선택라인이 소비하는 면적 증가는 없으므로, 집적도를 향상시킬 수 있다.
摘要翻译：本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，其能够简化电极布线工艺并减小漏极选择线所占据的面积。本发明的非易失性存储器件制造方法包括：形成多个绝缘层和多个绝缘层交替层叠而成的多层膜的工序; 通过蚀刻多层膜的一端来形成阶梯式位线连接; 蚀刻多层膜以形成多个串; 并且形成连接到位线连接的多个位线。本发明的特征在于，相同串层的所有串连接到位线，并且一个漏极选择线因此，即使要堆叠的有源层的数量增加，漏极选择线消耗的面积也不会增加，从而可以提高集成度。

8. 发明公开

KR1020110078490A 3차원 구조를 가지는 플래시 메모리 및 이의 제조방법 无效
标题翻译：具有三维结构的闪存及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110078490A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020090135316
申请日：2009-12-31
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 이승백 , 오슬기 , 이준혁
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/11578 , H01L21/28273 , H01L21/76877 , H01L27/0688 , H01L27/11582
摘要： PURPOSE: A flash memory of having a 3-dimensional structure and a method of manufacturing the same are provided to implement high integration of a device by forming a plurality of stepped groups and efficiently performing a complex contact. CONSTITUTION: In a flash memory of having a 3-dimensional structure and a method of manufacturing the same, a cell region(300) comprises insulating layers(310,312,314,316) and electrode layers(321,323,325,327). The cell region comprises a multilayer plug(330) passing through the insulating layers and the electrode layers. A contact domain(400) comprises a plurality of stepped parts(430,440,450,460). A bit line wiring region(500) is included on the top of a cell region. The bit line wiring region is composed of a string select domain(510) and a bit line(530).
摘要翻译：目的：提供具有三维结构的闪速存储器及其制造方法，以通过形成多个阶梯组来实现装置的高度集成并有效地执行复杂的接触。构成：在具有3维结构的闪速存储器及其制造方法中，单元区域（300）包括绝缘层（310,312,314,316）和电极层（321,323,325,327）。电池区域包括穿过绝缘层和电极层的多层插塞（330）。接触区域（400）包括多个阶梯部分（430,440,450,460）。位线布线区域（500）包括在单元区域的顶部。位线布线区域由串选择域（510）和位线（530）构成。

9. 发明授权

KR101974979B1 얼음결합단백질 자동 정제 장치 有权
公开(公告)号：KR101974979B1
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：KR1020190004529
申请日：2019-01-14
申请人： 부경대학교 산학협력단 , 한국해양과학기술원
发明人： 김학준 , 우상욱 , 강성호 , 이준혁
IPC分类号： C12M1/00 , C12M1/34 , C12M1/12

10. 发明授权

KR102017021B1 PaDHDPR 효소 단백질, 그의 결정화 방법 및 그의 용도 有权
公开(公告)号：KR102017021B1
公开(公告)日：2019-09-02
申请号：KR1020180040395
申请日：2018-04-06
申请人： 한국해양과학기술원
发明人： 이준혁 , 박현 , 박선하 , 이창우
IPC分类号： C12N9/02

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