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1. 发明授权

KR101396232B1 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变材料的浆料以及使用其进行图案化抛光相变材料的方法
公开(公告)号：KR101396232B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020100011142
申请日：2010-02-05
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： 본 발명은 결정질 상의 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법에 관한 것으로,
본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 물질 연마용 슬러리는, 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 소자 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 결정질 상의 상변화 물질막을 형성하는 단계; 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함하는 상변화 물질 연마용 슬러리를 이용하여 화학기계적 연마 공정으로 상기 상변화 물질막을 제거하는 단계를 포함한다.

2. 发明公开

KR1020110091351A 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变材料的浆料和使用其改变抛光相变材料的方法
公开(公告)号：KR1020110091351A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100011142
申请日：2010-02-05
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： PURPOSE: Slurry for polishing a phase change material is provided to polish the phase change material in which the state of the phase change material before the polishing is crystalline and to improve the polishing selectivity of the phase change material and insulating layer. CONSTITUTION: Slurry for polishing a phase change material comprises abrasives, oxidant with the reference reduction potential larger than perchlorates, and ultrapure water. The phase change material is crystalline chalcogen binary alloy or chalcogen complex alloy. A method for manufacturing a phase change device comprises the steps of: preparing a substrate(110); forming a phase change material layer(130) with a crystalline phase on the substrate; and removing a part of the phase change material layer through a chemical mechanical polishing process using the slurry for polishing a phase change material.
摘要翻译：目的：提供用于抛光相变材料的浆料，用于抛光研磨前的相变材料的结晶状态下的相变材料，并提高相变材料和绝缘层的抛光选择性。构成：用于抛光相变材料的浆料包括研磨剂，参考还原电位大于高氯酸盐的氧化剂和超纯水。相变材料是结晶硫属元素二元合金或硫族元素复合合金。一种制造相变装置的方法包括以下步骤：制备基片（110）; 在所述衬底上形成具有结晶相的相变材料层（130）; 以及通过使用用于抛光相变材料的浆料的化学机械抛光工艺除去一部分相变材料层。

3. 发明授权

KR101285948B1 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：多选择抛光浆料组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101285948B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020090066541
申请日：2009-07-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31056 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판 상에 최상부에 실리콘막을 구비하는 소자 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 영역 상의 소자 패턴 밀도는 상기 제2 영역 상의 소자 패턴 밀도에 비해 높다. 상기 소자 패턴들 상에 제1 실리콘 산화막을 형성한다. 상기 실리콘 산화막 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 실리콘 질화막 상에 제2 실리콘 산화막을 형성한다. 연마제, 실리콘 질화막 패시베이션제, 및 실리콘막 패시베이션제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 실리콘막이 노출될 때까지 상기 기판을 화학기계적 연마한다. 상기 연마 슬러리 조성물은 연마제가 함유된 연마제 서스펜션 100 중량부와 첨가제 용액 40 내지120 중량부의 혼합물이되, 상기 첨가제 용액은 용매 100 중량부, 실리콘 질화막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부, 및 실리콘막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부를 함유할 수 있다.

4. 发明授权

KR101341875B1 상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变浆料的浆料以及使用其进行图案化抛光相变的方法
公开(公告)号：KR101341875B1
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：KR1020080040889
申请日：2008-04-30
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 황희섭 , 최호 , 조종영 , 황웅준 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L45/1683 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
摘要： 이와같이연마재, 알칼리성연마향상재를사용하여슬러리의 pH를조절할수 있고, 상변환물질의연마율을향상시키고, 상변환물질과절연층간의연마선택비를증대시킬수 있다.

5. 发明公开

KR1020110008968A 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：多选择性抛光浆料组合物和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110008968A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：KR1020090066541
申请日：2009-07-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31056 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A multi-selective polishing slurry composition and a method for fabricating semiconductor device using the same are provided to form a plane by preventing a first area having the high pattern density of a device from being over etched. CONSTITUTION: A silicon nitride film(17) is formed on a silicon oxide film(15) and is formed on only top of a device pattern(13) excluding sides. The silicon nitride film is formed on a second part(B) in the side of the device pattern. A second silicon oxide film(19) is formed with a material such as the silicon oxide film.
摘要翻译：目的：提供多选择抛光浆料组合物和使用其的制造半导体器件的方法，以通过防止器件的高图案密度的第一区域过蚀刻来形成平面。构成：氮化硅膜（17）形成在氧化硅膜（15）上，并且仅形成在除侧面之外的器件图案（13）的顶部。氮化硅膜形成在器件图案侧的第二部分（B）上。第二氧化硅膜（19）由诸如氧化硅膜的材料形成。

6. 发明公开

KR1020090114982A 상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变材料的浆料和使用该方法绘制抛光相变材料的方法
公开(公告)号：KR1020090114982A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：KR1020080040889
申请日：2008-04-30
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 황희섭 , 최호 , 조종영 , 황웅준 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L45/1683 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1616
摘要： PURPOSE: Slurry for polishing a phase changeable material is provided to ensure high polishing selectivity to a lower structure, to selectively polish the phase change material, and to improve surface roughness of abrasive surface. CONSTITUTION: Slurry for polishing a phase changeable material comprises an abrasive material, alkali abrasion improver, and ultra pure water. A method for patterning the phase changeable material comprises the steps of: forming an insulating layer(120) on a lower structure layer containing a substrate(110) and metal pattern formed on the substrate; forming a hole exposing a part of the metal pattern by removing a part of the insulating layer; depositing the phase changeable material layer(130) on an overall structure of the insulating layer including a hole; and removing the phase changeable material layer on the insulating layer through a chemical mechanical polishing process using slurry for polishing the phase changeable material.
摘要翻译：目的：提供用于抛光相变材料的浆料，以确保对较低结构的高抛光选择性，选择性地抛光相变材料，并改善磨料表面的表面粗糙度。构成：用于抛光相变材料的浆料包括研磨材料，碱磨损改进剂和超纯水。用于图案化相变材料的方法包括以下步骤：在包含衬底的下结构层上形成绝缘层（120）和形成在衬底上的金属图案; 通过去除所述绝缘层的一部分而形成暴露所述金属图案的一部分的孔; 将相变材料层（130）沉积在包括孔的绝缘层的整体结构上; 以及通过使用用于抛光相变材料的浆料的化学机械抛光工艺去除绝缘层上的相变材料层。

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