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1. 发明授权

KR101285948B1 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：多选择抛光浆料组合物及其制造方法
公开(公告)号：KR101285948B1
公开(公告)日：2013-07-12
申请号：KR1020090066541
申请日：2009-07-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31056 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 제1 영역 및 제2 영역을 갖는 기판 상에 최상부에 실리콘막을 구비하는 소자 패턴들을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제1 영역 상의 소자 패턴 밀도는 상기 제2 영역 상의 소자 패턴 밀도에 비해 높다. 상기 소자 패턴들 상에 제1 실리콘 산화막을 형성한다. 상기 실리콘 산화막 상에 실리콘 질화막을 형성한다. 상기 실리콘 질화막 상에 제2 실리콘 산화막을 형성한다. 연마제, 실리콘 질화막 패시베이션제, 및 실리콘막 패시베이션제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 실리콘막이 노출될 때까지 상기 기판을 화학기계적 연마한다. 상기 연마 슬러리 조성물은 연마제가 함유된 연마제 서스펜션 100 중량부와 첨가제 용액 40 내지120 중량부의 혼합물이되, 상기 첨가제 용액은 용매 100 중량부, 실리콘 질화막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부, 및 실리콘막 패시베이션제 0.01 내지 5 중량부를 함유할 수 있다.

2. 发明公开

KR1020110038901A 폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：具有改善氧化硅对聚硅的选择性的抛光浆料组合物和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110038901A
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020090096092
申请日：2009-10-09
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 백운규 , 박재근 , 김예환 , 박진형 , 임재형 , 최윤순
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/76819 , C09K3/1409 , H01L21/31051
摘要： PURPOSE: A polishing slurry composition having improved etch selectivity of silicon oxide to poly silicon and a semiconductor device manufacturing method using the same are provided to prevent the polishing of the poly silicon layer by forming a passivation layer on the poly silicon layer. CONSTITUTION: A substrate(100) equipped with a cell area and a peri area is prepared. A tunneling insulating layer(110) is formed on the top of the substrate. A cell trench(100a) and a peri trench(100b) are formed on the substrate by sequentially etching the tunneling insulation layer and the substrate. A polysilicon pattern(120) which is a floating gate self-aligned is formed on the trenches.
摘要翻译：目的：提供具有改善的氧化硅对多晶硅的蚀刻选择性的研磨浆料组合物和使用其的半导体器件制造方法，以通过在多晶硅层上形成钝化层来防止多晶硅层的抛光。构成：配备有电池区域和周边区域的基板（100）。隧道绝缘层（110）形成在衬底的顶部。通过依次蚀刻隧道绝缘层和衬底，在衬底上形成电池沟槽（100a）和周围沟槽（100b）。在沟槽上形成作为浮置栅极自对准的多晶硅图案（120）。

3. 发明公开

KR1020110008968A 멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：多选择性抛光浆料组合物和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020110008968A
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：KR1020090066541
申请日：2009-07-21
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31056 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A multi-selective polishing slurry composition and a method for fabricating semiconductor device using the same are provided to form a plane by preventing a first area having the high pattern density of a device from being over etched. CONSTITUTION: A silicon nitride film(17) is formed on a silicon oxide film(15) and is formed on only top of a device pattern(13) excluding sides. The silicon nitride film is formed on a second part(B) in the side of the device pattern. A second silicon oxide film(19) is formed with a material such as the silicon oxide film.
摘要翻译：目的：提供多选择抛光浆料组合物和使用其的制造半导体器件的方法，以通过防止器件的高图案密度的第一区域过蚀刻来形成平面。构成：氮化硅膜（17）形成在氧化硅膜（15）上，并且仅形成在除侧面之外的器件图案（13）的顶部。氮化硅膜形成在器件图案侧的第二部分（B）上。第二氧化硅膜（19）由诸如氧化硅膜的材料形成。

4. 发明授权

KR101161482B1 폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 有权
标题翻译：具有改善氧化硅对多晶硅的蚀刻选择性的抛光浆料组合物以及使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：KR101161482B1
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020090096092
申请日：2009-10-09
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 백운규 , 박재근 , 김예환 , 박진형 , 임재형 , 최윤순
IPC分类号： H01L21/304 , C09K3/14
摘要： 폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 폴리 실리콘 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 폴리 실리콘 패턴들의 상부 및 상기 폴리 실리콘 패턴들 사이에 제1 매립 산화막을 형성한다. 연마제 및 음이온성 불소계 계면활성제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리 실리콘막이 노출될 때까지 상기 제1 매립 산화막을 화학기계적 연마한다. 상기 연마 슬러리 조성물은 0.5 내지 10wt%의 연마제, 0.0001 내지 ~ 10.0 wt%의 분산제, 0.0001 내지 10wt%의 음이온성 불소계 계면활성제, 및 잔량의 용매를 함유할 수 있다.

5. 发明公开

KR1020110091351A 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变材料的浆料和使用其改变抛光相变材料的方法
公开(公告)号：KR1020110091351A
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020100011142
申请日：2010-02-05
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： PURPOSE: Slurry for polishing a phase change material is provided to polish the phase change material in which the state of the phase change material before the polishing is crystalline and to improve the polishing selectivity of the phase change material and insulating layer. CONSTITUTION: Slurry for polishing a phase change material comprises abrasives, oxidant with the reference reduction potential larger than perchlorates, and ultrapure water. The phase change material is crystalline chalcogen binary alloy or chalcogen complex alloy. A method for manufacturing a phase change device comprises the steps of: preparing a substrate(110); forming a phase change material layer(130) with a crystalline phase on the substrate; and removing a part of the phase change material layer through a chemical mechanical polishing process using the slurry for polishing a phase change material.
摘要翻译：目的：提供用于抛光相变材料的浆料，用于抛光研磨前的相变材料的结晶状态下的相变材料，并提高相变材料和绝缘层的抛光选择性。构成：用于抛光相变材料的浆料包括研磨剂，参考还原电位大于高氯酸盐的氧化剂和超纯水。相变材料是结晶硫属元素二元合金或硫族元素复合合金。一种制造相变装置的方法包括以下步骤：制备基片（110）; 在所述衬底上形成具有结晶相的相变材料层（130）; 以及通过使用用于抛光相变材料的浆料的化学机械抛光工艺除去一部分相变材料层。

6. 发明授权

KR101396232B1 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 有权
标题翻译：用于抛光相变材料的浆料以及使用其进行图案化抛光相变材料的方法
公开(公告)号：KR101396232B1
公开(公告)日：2014-05-19
申请号：KR1020100011142
申请日：2010-02-05
申请人： 한양대학교 산학협력단
发明人： 박재근 , 백운규 , 박진형 , 최호 , 조종영 , 황희섭 , 임재형 , 김예환
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463
摘要： 본 발명은 결정질 상의 상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법에 관한 것으로,
본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 물질 연마용 슬러리는, 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 소자 제조 방법은, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 결정질 상의 상변화 물질막을 형성하는 단계; 연마제와, 알칼리성 연마 향상제와, 표준 환원 전위가 과염소산염(Perchlorates) 보다 큰 산화제와, 초순수를 포함하는 상변화 물질 연마용 슬러리를 이용하여 화학기계적 연마 공정으로 상기 상변화 물질막을 제거하는 단계를 포함한다.

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