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1. 发明授权

KR100895064B1 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법 失效
标题翻译：图像传感器及其驱动方式转移晶体管
公开(公告)号：KR100895064B1
公开(公告)日：2009-05-04
申请号：KR1020080065038
申请日：2008-07-04
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H04N5/361 , H04N5/365 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
摘要： 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서에 있어서 기존의 방법과는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 리셋 및 트랜스퍼 동작시 핀치오프 조건에서 동작하도록 구동조건 또는 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기트랜스퍼 트랜지스터가 유사 핀치-오프 모드로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 가해지는 턴온 전위를 상기 플로팅 확산 노드 전위와 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 문턱전위를 더한 값보다 낮게 제어하는 센싱 전위차 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프, 트랜스퍼 트랜지스터

2. 发明授权

KR100877691B1 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼 트랜지스터 구동방법 有权
标题翻译：驱动图像传感器和图像传感器的传输晶体管的方法
公开(公告)号：KR100877691B1
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020060098889
申请日：2006-10-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H04N5/3597 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/357 , H04N5/361 , H04N5/3745
摘要： 본 발명은 일반적인 4-트랜지스터 씨모스 이미지센서에 있어서 기존의 방법과는 달리 픽셀내의 트랜스퍼 트랜지스터가 리셋 및 트랜스퍼 동작시 핀치오프 조건에서 동작하도록 구동조건 또는 픽셀구조를 변경함으로써 트랜스퍼 트랜지스터의 동작조건 변화 및 픽셀간 특성의 불일치에 의해 발생하는 암전류 및 고정 패턴(fixed pattern) 잡음을 감소시키는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 이미지 센서는, 포토다이오드에서 생성된 광 유발 전하를 전달하기 위한 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기트랜스퍼 트랜지스터가 유사 핀치-오프 모드로 동작하도록, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴온 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 게이트에 가해지는 턴온 전위를 상기 플로팅 확산 노드 전위와 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 문턱전위를 더한 값보다 낮게 제어하는 센싱 전위차 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 핀치-오프, 트랜스퍼 트랜지스터
摘要翻译：本发明通过改变驱动条件或传输晶体管与常规方法的像素结构中的复位或传输操作来操作时根据一般四晶体管的CMOS图像传感器的夹断条件改变转移晶体管的操作条件的像素，并且并且减少由像素特性不匹配引起的暗电流和固定模式噪声。

3. 发明授权

KR100871714B1 트랜스퍼 트랜지스터 및 이를 구비한 저잡음 이미지 센서 失效
标题翻译：传输晶体管和低噪声图像传感器
公开(公告)号：KR100871714B1
公开(公告)日：2008-12-05
申请号：KR1020060087439
申请日：2006-09-11
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
摘要： 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 이미지 센서는, 게이트 옥사이드 아래의 일부 또는 전부에 홀 축적을 일으킬 수 있는 구조를 가진 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴오프 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 게이트에 음(-)의 옵셋 전위를 가하는 센싱 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 트랜스퍼 트랜지스터가 오프 상태일 때는 충분한 배리어를 형성하여 포토다이오드에 전자를 잘 모을 수 있고, 온 상태일 때는 배리어를 충분히 낮추어 트랜스퍼 트랜지스터가 문턱 전압에 도달하기 전에 포토다이오드를 충분히 공핍(fully depleted)하는 효과가 있으며, 더불어, 일정한 영역의 트랩을 일정한 시간 동안 불활성화시킴에 따라, 결과적으로 암전류를 줄일 수 있는 효과가 있다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터

4. 发明授权

KR100834540B1 저잡음 이미지 센서 失效
标题翻译：低噪声图像传感器拥有它
公开(公告)号：KR100834540B1
公开(公告)日：2008-06-02
申请号：KR1020070104652
申请日：2007-10-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
摘要： 본 발명은 포토다이오드에서 확산 노드 영역으로의 전하 전송 효율을 증대시킴과 동시에 암전류 발생을 효과적으로 억제할 수 있는 CMOS 이미지 센서에 관한 것이다.
본 발명의 이미지 센서는, 게이트 옥사이드 아래의 일부 또는 전부에 홀 축적을 일으킬 수 있는 구조를 가진 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하는 감광 픽셀; 및 상기 트랜스퍼 트랜지스터의 턴오프 구간의 일부 또는 전부의 구간 동안, 상기 게이트에 음(-)의 옵셋 전위를 가하는 센싱 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 트랜스퍼 트랜지스터가 오프 상태일 때는 충분한 배리어를 형성하여 포토다이오드에 전자를 잘 모을 수 있고, 온 상태일 때는 배리어를 충분히 낮추어 트랜스퍼 트랜지스터가 문턱 전압에 도달하기 전에 포토다이오드를 충분히 공핍(fully depleted)하는 효과가 있으며, 더불어, 일정한 영역의 트랩을 일정한 시간 동안 불활성화시킴에 따라, 결과적으로 암전류를 줄일 수 있는 효과가 있다.
CMOS, CIS, 이미지 센서, 웰 커패시티, 트랜스퍼 트랜지스터

5. 发明公开

KR1020080035947A 저전압 동작 특성 향상을 위한 이미지 센서 失效
标题翻译：用于低噪声电压运算的图像传感器
公开(公告)号：KR1020080035947A
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020070064194
申请日：2007-06-28
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 조민형 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/3745 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N5/361
摘要： An image sensor for improving a low voltage operation is provided to restrain a dark current and noises at a low operation voltage without forming a pinned photo diode of a complete deep depletion structure. A photosensitive pixel(2000) has a photo diode, a transfer transistor, and a reset transistor. The photodiode generates photons. The transfer transistor transmits photons to a diffusion node. The reset transistor resets the diffusion node. A driving circuit(3000) generates drive switching signals for the transfer transistor and the reset transistor. An intermediate circuit(1000) changes characteristic of the drive switching signals to drive the photosensitive pixel in a pseudo pinch-off mode. The intermediate circuit includes a rising limit circuit. The rising limit circuit converts the drive switching signal of the driving circuit and supplies the converted signal to the photosensitive pixel. The rising limit circuit limits the rising of the drive switching signal for the transfer transistor.
摘要翻译：提供用于改善低电压操作的图像传感器，以在没有形成完全深度耗尽结构的钉扎光电二极管的情况下，在低操作电压下抑制暗电流和噪声。光敏像素（2000）具有光电二极管，转移晶体管和复位晶体管。光电二极管产生光子。传输晶体管将光子传输到扩散节点。复位晶体管复位扩散节点。驱动电路（3000）产生用于传输晶体管和复位晶体管的驱动切换信号。中间电路（1000）改变驱动切换信号的特性以以伪夹断模式驱动光敏像素。中间电路包括上限电路。上升极限电路转换驱动电路的驱动切换信号，并将转换的信号提供给感光像素。上升极限电路限制了传输晶体管的驱动开关信号的上升。

6. 发明公开

KR1020080035941A 저전압용 이미지 센서 및 이미지 센서의 트랜스퍼트랜지스터 구동 방법 失效
标题翻译：低运行电压图像传感器及其驱动方法传输晶体管
公开(公告)号：KR1020080035941A
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：KR1020070022980
申请日：2007-03-08
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김미진 , 민봉기 , 송영주 , 박성수
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/361 , H04N5/365 , H04N5/355
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14609 , H04N3/1568 , H04N5/361 , H04N5/365
摘要： A low voltage image sensor and a transfer transistor driving method for the image sensor are provided to maintain a transfer gate electrode adjacent to a diffusion node in a turn-off state when photocharge moves to a channel in the lower part of a gate electrode closest to a photodiode to remove the influence of the diffusion node on the discharge of the photocharge when the photocharge is discharged from the photodiode, thereby discharging the photocharge within the photodiode effectively and easily moving the photocharge to the diffusion node. A transfer transistor includes a light receiving device and at least two gate electrodes(306,307,308). The light receiving device generates photocharge generated by light. The at least two gate electrodes are formed in different positions between the light receiving device and a diffusion node(304). In a method of driving the transfer transistor of an image sensor, the turn-on voltage of a gate electrode(Tx1) close to the light receiving device is applied to the transfer transistor earlier than at least one of other gate electrodes.
摘要翻译：提供一种用于图像传感器的低电压图像传感器和传输晶体管驱动方法，用于当光电荷移动到最接近于...的栅电极的下部的沟道时，将传输栅电极保持在关闭状态的扩散节点附近当光电荷从光电二极管放电时，消除扩散节点对光电荷放电的影响，从而使光电二极管内的光电荷有效地放电并容易地将光电荷移动到扩散节点。传输晶体管包括光接收装置和至少两个栅电极（306,307,308）。光接收装置产生光产生的光电荷。至少两个栅电极形成在光接收装置和扩散节点（304）之间的不同位置。在驱动图像传感器的传输晶体管的方法中，靠近光接收装置的栅电极（Tx1）的导通电压比其他栅电极中的至少一个更早地施加到转移晶体管。

7. 发明公开

KR1020070110817A 저잡음 이미지 센서 失效
标题翻译：低噪声图像传感器
公开(公告)号：KR1020070110817A
公开(公告)日：2007-11-20
申请号：KR1020070104652
申请日：2007-10-17
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 김미진 , 송영주
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14614 , H01L27/14601 , H01L27/14603
摘要： A low-noise image sensor is provided to use a maximum characteristic of an image sensor by restraining generation of a dark current of a photodiode and by suppressing influence of dark electrons in a transient section of a transfer transistor of a CMOS image sensor. Photosensitive pixels include a photodiode and a transfer transistor(Tx) for transferring the photo-generated charges of the photodiode. A sensing control part applies a negative offset potential to a gate of the transfer transistor during a partial or entire part of a turn-off section of the transfer transistor. A partial region of the gate electrode of the transfer transistor overlaps a partial region of a p-type layer constituting the photodiode.
摘要翻译：提供低噪声图像传感器以通过抑制光电二极管的暗电流的产生并且通过抑制CMOS图像传感器的传输晶体管的瞬态部分中的暗电子的影响来使用图像传感器的最大特性。感光像素包括用于传输光电二极管的光电荷的光电二极管和传输晶体管（Tx）。感测控制部分在传输晶体管的截止部分的部分或全部部分期间向传输晶体管的栅极施加负偏移电位。转移晶体管的栅电极的局部区域与构成光电二极管的p型层的部分区域重叠。

8. 发明授权

KR100644811B1 전계 효과 트랜지스터 失效
标题翻译： 전계효과트랜터스터
公开(公告)号：KR100644811B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050116825
申请日：2005-12-02
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김미진 , 송영주 , 한기평 , 이상흥
IPC分类号： H01L21/335
摘要： An FET(Field Effect Transistor) is provided to increase an on-current of the FET itself and to improve a threshold voltage by using a germanium material as a channel forming material. A semiconductor layer(120) is formed on an insulating layer(110). The semiconductor layer is composed of a source region(130), a drain region(140) and a channel region(150) between the source and the drain region. A potential barrier is formed at a predetermined portion between the source region and the channel region to be changed according to an operation state. A gate(170) is formed on the channel region via a gate insulating layer(160). The channel region is made of one selected from a group consisting of germanium, germanium silicon and silicon.
摘要翻译：提供FET（场效应晶体管）以增加FET本身的导通电流并通过使用锗材料作为沟道形成材料来提高阈值电压。半导体层（120）形成在绝缘层（110）上。半导体层由在源极和漏极区域之间的源极区域（130），漏极区域（140）和沟道区域（150）组成。根据操作状态，在源区和沟道区之间的预定部分处形成势垒以改变。栅极（170）经由栅极绝缘层（160）形成在沟道区域上。沟道区由从锗，锗硅和硅组成的组中选择的一种制成。

9. 发明授权

KR100577079B1 이종체 정렬, 적층 및 절단에 의한 집적 모듈 및 제작 방법 失效
标题翻译：集成模块和制造方法采用对准，堆叠和切割不同种类的基板
公开(公告)号：KR100577079B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：KR1020030097052
申请日：2003-12-26
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 민봉기 , 송영주 , 심규환 , 강진영 , 조경익
IPC分类号： H01L25/065
摘要： 본 발명은 패키지 기술에 관한 발명이다. 특히 이종체 정렬, 적층 및 절단에 의한 집적 모듈 및 제작 방법에 관한 발명이다.
본 발명은 실리콘 기판과 같은 집적회로 원판(집적회로층)과 세라믹 기판과 같은 수동소자 적층판(수동소자층)을 정렬하여 쌓은 후 절단하는 방법으로 집적화 모듈을 얻는 방법으로, 집적형 프론트-앤드 송수신기 제작 등에 이용될 수 있다. 수동소자층에서는 안테나, 분배기, 결합기, 듀플렉서 등과 같은 수동소자를 집적화함으로써 전파의 송수신, 원하는 신호를 필터링, 높은 Q값의 인덕터 제공하는 등의 기능을 수행한다. 집적회로층은 신호의 증폭, 변조 등의 신호 처리를 하는 기능을 제공한다. 본 발명은 수동소자층과 능동소자층을 같이 집적하여 초소형의 구조가 가능하게 하고, 정렬하여 쌓은 후에 절단함으로써 개개 블록마다 별도의 RF 패키지 처리 또는 신호의 연결선 개수를 줄일 수 있어 블록 단가를 크게 낮출 수 있음을 특징으로 한다.
집적회로층, 수동소자층, 패키지, 정렬, 적층, 절단, 집적 모듈.

10. 发明授权

KR100433622B1 원자층 에피택시법을 이용한 실리콘 박막, 저매니움 박막 및 실리콘-저매니움 박막 형성 방법 失效
标题翻译： 원자층에피시법을이용실리콘박막，저매니움박막및실리콘 - 저매니움박막형형성방
公开(公告)号：KR100433622B1
公开(公告)日：2004-05-31
申请号：KR1020010054453
申请日：2001-09-05
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 임정욱 , 송영주 , 심규환 , 강진영
IPC分类号： H01L21/20
摘要： PURPOSE: A method for forming a silicon film, a germanium film, and a silicon-germanium film using an atomic layer epitaxy method are provided to form a thin film under a low temperature by using an organic gas as a source gas. CONSTITUTION: SiR4 is injected into a process chamber during a predetermined time(30). The first purge process is performed by injecting a purging gas into the process chamber(31). GeH4 is injected into the process chamber during the predetermined time(32). The second purge process is performed by injecting the purging gas into the process chamber(33). The injection of hydrogen radicals or hydrogen ions is determined according to a composition ratio of silicon-germanium(34). The hydrogen radicals or hydrogen ions are injected into the process chamber(35). The third purge process is performed(36). The thickness of the silicon-germanium is checked(37).
摘要翻译：目的：提供使用原子层外延方法形成硅膜，锗膜和硅锗膜的方法，以通过使用有机气体作为源气体在低温下形成薄膜。构成：SiR4在预定时间（30）内被注入处理室。第一吹扫过程通过将吹扫气体注入处理室（31）中来执行。 GeH4在预定时间（32）期间被注入到处理室中。通过将吹扫气体注入处理室（33）来执行第二吹扫处理。氢自由基或氢离子的注入根据硅锗的组成比（34）确定。氢自由基或氢离子被注入到处理室（35）中。执行第三清除过程（36）。检查硅锗的厚度（37）。

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