专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR102031953B1 광 입출력 장치 및 그를 구비한 광 전자 시스템 有权
公开(公告)号：KR102031953B1
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：KR1020130099082
申请日：2013-08-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김경옥 , 박현대 , 김인규 , 김상훈 , 장기석 , 김상기 , 주지호 , 최용석 , 권혁제 , 박재규 , 김선애 , 오진혁 , 곽명준
IPC分类号： G02B6/43 , G02B6/12 , H01L33/00 , G02B6/30

2. 发明公开

KR1020150012525A 광학 장치 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译：光学器件及其制造方法相同
公开(公告)号：KR1020150012525A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020130088124
申请日：2013-07-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 박재규 , 주지호 , 김경옥
IPC分类号： H01S5/12
CPC分类号： G02B6/12004 , G02B6/12 , G02B6/1228 , G02B2006/12078 , G02B2006/12121 , G02B2006/12161 , G02B2006/12176 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/125 , H01S5/141
摘要： 본 발명은 광학 장치 및 그의 제조방법을 개시한다. 그의 장치는 기판의 일측 상의 제 1 광 도파로와, 상기 제 1 광 도파로에서 분리되어 상기 기판의 타측 상에 배치된 레이저와, 상기 레이저 및 상기 제 1 광 도파로 사이의 제 1 접합 도파로를 포함한다. 상기 레이저는 배 모양을 갖고, 상기 기판 상에 단일 집적(monolithic integrated)될 수 있다.
摘要翻译：公开了一种光学器件及其制造方法。该装置包括在基板的一侧上的第一光波导，与第一光波导分离并且布置在基板的另一侧的激光，以及激光与第一光之间的第一结合波导波导。激光器具有船形，并且整体集成在基板上。

3. 发明授权

KR102034740B1 수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법 有权
公开(公告)号：KR102034740B1
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：KR1020130112714
申请日：2013-09-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 김경옥
IPC分类号： H01S5/183

4. 发明公开

KR1020130062969A 웨이퍼 본딩을 사용한 수직 공진형 표면 방출 레이저 구조 및 제작 방법 无效
标题翻译：使用波形粘结工艺的垂直孔表面发射激光及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130062969A
公开(公告)日：2013-06-13
申请号：KR1020130059190
申请日：2013-05-24
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 김경옥
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0218 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0422 , H01S5/18308
摘要： PURPOSE: A vertical cavity surface emitting laser and a manufacturing method of the same are provided to facilitate integration with an electronic element, thereby increasing efficiency by reducing thermal and electric resistances of the electronic element. CONSTITUTION: A vertical cavity surface emitting laser is formed on a silicon substrate. A laser structure forms an optical resonant structure and a light generating layer from a thin film transferred from a different substrate using wafer bonding. An upper electrode layer is formed in an upper end of a laser thin film, and a lower electrode layer is formed on the silicone substrate. [Reference numerals] (AA) Laser light signal; (BB) Top mirror (top reflector); (CC) Current flow; (DD) Active region (optical generating layer); (EE) Oxide or air for current aperture (current aperture); (FF) Bottom mirror (bottom reflector); (GG) III-V layers
摘要翻译：目的：提供垂直腔表面发射激光器及其制造方法以便于与电子元件集成，从而通过降低电子元件的热电阻和电阻来提高效率。构成：在硅衬底上形成垂直腔表面发射激光器。激光结构从使用晶片接合的不同基板转移的薄膜形成光学谐振结构和发光层。在激光薄膜的上端形成上电极层，在硅基板上形成下电极层。（附图标记）（AA）激光信号; （BB）上镜（顶部反光镜）; （CC）电流; （DD）有源区（光产生层）; （EE）氧化物或空气用于电流孔径（电流孔径）; （FF）底镜（底部反射镜）; （GG）III-V层

5. 发明授权

KR102037759B1 광 결합기 및 그를 구비한 광학 장치 有权
公开(公告)号：KR102037759B1
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：KR1020130031517
申请日：2013-03-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 김태용 , 주지호 , 박재규 , 김경옥
IPC分类号： G02B6/26 , G02B6/24 , G02B6/10

6. 发明公开

KR1020150032145A 자발 초점 영역을 갖는 광 커플러 및 그를 구비한 배열 도파로 격자 审中-实审
标题翻译：具有自聚焦区域的光耦合器和包括该自聚焦区域的阵列波导光栅结构
公开(公告)号：KR1020150032145A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020140002919
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박재규 , 박현대 , 주지호 , 곽명준 , 김경옥
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/28
CPC分类号： G02B6/2804 , G02B6/12011 , G02B6/12014 , G02B6/12016
摘要： 본 발명은 광 커플러 및 그를 구비한 배열 도파로 격자를 개시한다. 그의 커플러는, 하부 클래드 층과, 상기 하부 클래드의 일측 상에 배치된 슬랩 도파로 영역과, 상기 하부 클래드의 타측 상에 배치된 리지 도파로 영역을 포함하는 코어와, 상기 코어 상에 배치된 상부 클래드를 포함한다. 상기 리지 도파로 영역은, 상기 슬랩 도파로 영역으로부터 제공되는 광 신호를 집중하여 상기 광 신호의 산란을 방지하는 자발 초점 영역을 포함할 수 있다.
摘要翻译：公开了一种光耦合器和具有该光耦合器的阵列波导光栅。耦合器包括：下包层; 芯包括布置在下包层的一侧上的拍波导区域和布置在下包层的另一侧的脊波导区域; 以及布置在所述芯上的上包层，其中所述脊波导区域包括自发聚焦区域，以通过聚焦从所述拍打波导区域提供的光信号来防止光信号的分散，从而最小化光耦合损耗。

7. 发明公开

KR1020140117001A 광 결합기 및 그를 구비한 광학 장치 审中-实审
标题翻译：光耦合器和光器件模块使用相同
公开(公告)号：KR1020140117001A
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020130031517
申请日：2013-03-25
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 김태용 , 주지호 , 박재규 , 김경옥
IPC分类号： G02B6/26 , G02B6/24 , G02B6/10
CPC分类号： G02B6/305 , G02B6/12002 , G02B6/1228 , G02B6/14 , G02B2006/12092
摘要： The present invention discloses an optical coupler and an optical device comprising the same. The optical coupler includes: a substrate; a buffer layer on the substrate; and an optical coupling layer having a horizontal mode extension layer which is extended in one direction on the buffer layer, and a vertical mode extension layer which is disposed on one side of the horizontal mode extension layer in order to adjust a level difference between a plurality of optical transmission devices having different diameters or cross-sections to be connected to both sides of the horizontal mode extension layer and to minimize an optical loss of the optical transmission devices.
摘要翻译：本发明公开了一种光耦合器和包括该耦合器的光学装置。光耦合器包括：基板; 衬底上的缓冲层; 以及具有在缓冲层上在一个方向上延伸的水平模式延伸层的光耦合层，以及设置在水平模式延伸层的一侧上的垂直模式延伸层，以便调整多个的具有不同直径或横截面的光传输装置连接到水平模式延伸层的两侧并且最小化光传输装置的光损耗。

8. 发明公开

KR1020130112841A 수직공진 표면방출 레이저 및 그의 제조방법 审中-实审
标题翻译： VCSEL及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130112841A
公开(公告)日：2013-10-14
申请号：KR1020130112714
申请日：2013-09-23
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박현대 , 김경옥
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0218 , H01S5/021 , H01S5/0215 , H01S5/0422 , H01S5/18308
摘要： PURPOSE: A vertical resonance surface emitting laser and a manufacturing method thereof are provided to stably and effectively providing thermal or electric resistance between a silicon circuit board and a semiconductor light source active layer. CONSTITUTION: A vertical resonance surface emitting laser comprises a silicon circuit board (10), a lower reflective layer (22), a light generating layer (24), and an upper reflective layer (26). The silicon circuit board comprises a bulk silicon layer (12) and a first foreign substance layer (14). The first foreign substance is formed on the bulk silicon layer. The lower reflective layer is formed on the silicon circuit board. A photoproduction layer is formed on the lower reflective layer. The reflective layer is arranged on the photoproduction layer. The lower reflective layer, the photoproduction layer, or an upper reflective layer constructs a light source active layer (20). The semiconductor light source active layer is integrated by bonding a wafer to the first foreign substance layer.
摘要翻译：目的：提供一种垂直共振表面发射激光器及其制造方法，以稳定且有效地在硅电路板和半导体光源有源层之间提供热或电阻。构成：垂直共振面发射激光器包括硅电路板（10），下反射层（22），发光层（24）和上反射层（26）。硅电路板包括体硅层（12）和第一杂质层（14）。第一异物形成在体硅层上。下反射层形成在硅电路板上。在下反射层上形成光生产层。反射层设置在光生产层上。下反射层，光生产层或上反射层构成光源有源层（20）。半导体光源有源层通过将晶片接合到第一异物层而被集成。

9. 发明公开

KR1020140138523A 광 입출력 장치 및 그를 구비한 광 전자 시스템 审中-实审
标题翻译：光输入/输出装置和具有该光电输入装置的光电子系统
公开(公告)号：KR1020140138523A
公开(公告)日：2014-12-04
申请号：KR1020130099082
申请日：2013-08-21
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김경옥 , 박현대 , 김인규 , 김상훈 , 장기석 , 김상기 , 주지호 , 최용석 , 권혁제 , 박재규 , 김선애 , 오진혁 , 곽명준
IPC分类号： G02B6/12 , G02B6/42
CPC分类号： G02B6/43 , G02B6/12007 , G02B6/30 , H01L33/0075
摘要： 본 발명은 광 입출력 장치, 및 그를 구비한 광 전자 시스템을 개시한다. 상기 장치는, 벌크 실리콘 기판, 벌크 실리콘 기판의 일측 상에 단일 집적된 수직 입사형 광검출 소자, 상기 수직 입사형 광검출 소자에 인접되는 상기 벌크 실리콘 기판 상의 타측 상에 단일 집적된 수직 출력형 광원 소자를 포함한다. 수직 출력형 광원 소자는 웨이퍼 본딩에 의해 실리콘 기판 상에 결합되어 형성되는 III-V족 화합물 반도체 광원 활성층을 포함할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种光学I / O设备和包括该光学I / O设备的光学电子系统。该器件包括：体硅衬底; 一个垂直入射型光电检测元件，集成在一块硅衬底上; 以及集成在与所述垂直入射型光检测元件相邻的所述体硅基板的另一侧上的垂直输出光源元件。垂直输出光源元件可以包括通过晶片接合耦合到硅衬底的III-V族化学半导体光源激活层。

10. 发明授权

KR102037870B1 자발 초점 영역을 갖는 광 커플러 및 그를 구비한 배열 도파로 격자 有权
公开(公告)号：KR102037870B1
公开(公告)日：2019-10-30
申请号：KR1020140002919
申请日：2014-01-09
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 박재규 , 박현대 , 주지호 , 곽명준 , 김경옥
IPC分类号： G02B6/28 , G02B6/12

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式