专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020170140050A 열선 및 이를 포함하는 면상 발열 시트 有权
公开(公告)号：KR1020170140050A
公开(公告)日：2017-12-20
申请号：KR1020160106729
申请日：2016-08-23
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임동찬 , 홍기현 , 김민경 , 이주열 , 정재훈 , 임재홍 , 최승목
IPC分类号： H05B3/34 , H05B3/12
CPC分类号： H05B3/12 , H05B3/03 , H05B3/342 , H05B2203/014 , H05B2214/04 , H05B2203/017
摘要： 본발명은단일섬유체및 상기단일섬유체를감싸는복수개의열선을포함하는선상발열재를포함하고, 상기열선은금속나노와이어; 상기금속나노와이어상에코팅되는유기화합물층; 및상기유기화합물층상에코팅되는금속산화물층을포함하는면상발열시트에관한것으로, 금속나노와이어; 상기금속나노와이어상에코팅되는유기화합물층; 및상기유기화합물층상에코팅되는금속산화물층을포함하는열선을단일섬유체상에코팅하여선상발열재를형성하고, 이러한복수개의선상발열재를통해면상발열시트를구현하기때문에, 일반적인직물처럼자연스럽게접히거나구부려사용할수 있다.

2. 发明授权

KR101695260B1 금속 나노클러스터를 포함하는 유기태양전지 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：有机光伏电池包括金属纳米簇及其制备方法
公开(公告)号：KR101695260B1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：KR1020140148061
申请日：2014-10-29
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임동찬 , 이주열 , 서보열 , 조신욱 , 김영독
IPC分类号： H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 본발명은기판; 음극; 전자수송층; 광활성층; 정공수송층; 및양극;을포함하되, 금속나노입자및 상기금속나노입자를둘러싸는티올레이트(thiolate) 리간드(ligand)를포함하는금속나노클러스터(nanocluster)를상기광활성층및 전자수송층사이로포함하는것을특징으로하는태양전지를제공한다. 또한본 발명은수 nm 크기의금속나노클러스터(nanocluster)를적용한벌크이종접합태양전지를제공함으로써, 종래의수십 nm 크기의금속나노입자를적용한태양전지보다우수한광기전성능및 광발광수명을나타내었다.
摘要翻译：本发明提供了一种包括基板，阴极，电子传输层，光敏层，空穴传输层和阳极的光伏电池。具有金属纳米颗粒的金属纳米团簇和包围金属纳米颗粒的硫醇盐配体包括在光敏层和电子传输层之间。本发明提供了一种本体异质结光伏电池，其中应用尺寸为几纳米的金属纳米团簇，因此光伏性能和发光使用寿命比传统的几十纳米的金属纳米颗粒的光伏电池更加改进尺寸应用。

3. 发明公开

KR1020160110863A 3차원 나노 리플 구조의 금속산화물 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 유기태양전지 有权
标题翻译：具有三维纳米结构的金属氧化物薄膜，其制备方法和含有该纳米结构的有机太阳能电池
公开(公告)号：KR1020160110863A
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：KR1020150035267
申请日：2015-03-13
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임동찬 , 이주열 , 임재홍 , 홍기현 , 정재훈 , 박선영
IPC分类号： H01L21/02 , H01L29/51 , H01L51/42 , H01L31/0256
CPC分类号： H01L21/02 , H01L29/51 , H01L31/0256 , H01L51/42 , Y02E10/549
摘要： 본발명은졸-겔(sol-gel)법을통해금속산화물용액을제조하는단계(단계 1); 상기단계 1에서제조된금속산화물용액을제 1전극상부에코팅하는단계(단계 2); 및상기코팅된박막을 180 내지 200 ℃에서열처리하는단계(단계 3);를포함하는 3차원나노리플(ripple) 구조의금속산화물박막의제조방법을제공한다. 또한, 본발명에서는저온공정을통해전기적특성이향상된 3차원나노리플형상의금속산화물박막을형성할수 있으며, 박막내 질소성분에의한산화아연박막의전기적특성의변화가태양전지의효율을크게향상시키는효과를나타내었으며, 상기산화아연박막은 PET, PEN과같은플라스틱유연기판에적용이가능한장점이있다.
摘要翻译：本发明涉及一种具有三维（3D）纳米波纹结构的金属氧化物薄膜及其制造方法，以及包括该金属氧化物薄膜的有机太阳能电池，其包括：步骤1）制造金属氧化物溶液通过溶胶 - 凝胶技术; 步骤2）将在步骤1中制造的金属氧化物溶液涂覆在第一电极的上部; 以及在180〜200℃下对涂布的薄膜进行热处理的工序3）。此外，可以通过低温工艺形成具有改善电性能的3D纳米波纹结构金属氧化物薄膜，并且由于氮气导致的氧化锡薄膜的电特性的变化，太阳能电池的效率大大提高包括在薄膜中的组分。氧化锡薄膜可用于塑料柔性基材如聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET），聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等。

4. 发明公开

KR1020160079186A 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：一种热电半导体模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020160079186A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020140190133
申请日：2014-12-26
申请人： 한국기계연구원
发明人： 송영섭 , 임재홍 , 이주열 , 김만 , 이규환 , 정용수 , 장도연
IPC分类号： H01L35/08 , H01L35/34
CPC分类号： H01L35/08 , H01L35/34
摘要： 본발명은열전반도체소자를포함하는열전반도체모듈에있어서, 상기열전반도체소자는복수개의열전반도체박막을포함하며, 상기복수개의열전반도체박막의상호간의계면이상기열전반도체소자의길이방향으로위치하는열전반도체모듈및 이의제조방법에관한것으로, 포토레지스트막패턴을통해, 각각의열전반도체박막의일정높이를제어할수 있으므로, 간단한제조방법에의하여, 높이가균일한복수개의열전반도체박막을제조할수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种热电半导体模块及其制造方法。热电半导体模块包括热电半导体元件。热电半导体元件包括多个热电半导体薄膜。热电半导体薄膜之间的界面位于热电半导体元件的纵向方向。由于可以通过光致抗蚀剂层图案来控制每个热电半导体薄膜的恒定高度，所以可以制造具有均匀高度的热电半导体薄膜。

5. 发明授权

KR101633383B1 광전기화학전지용 광전극 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：用于光电化学电池的光电极制造方法
公开(公告)号：KR101633383B1
公开(公告)日：2016-06-27
申请号：KR1020140157110
申请日：2014-11-12
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임동찬 , 이주열 , 박선영 , 홍은미
IPC分类号： C25B11/04 , C25B11/12
CPC分类号： Y02P20/135
摘要： 본발명은, 기판; 상기기판상부에구비되는투명전극;상기투명전극상부에구비되며, 복수개의플러렌(fullerene)으로연결된흑연성탄소(graphitic)를포함하는버퍼층(buffer layer); 및상기버퍼층상부에구비된반도체층;을포함하는광전기화학전지용광전극을제공한다. 본발명에따른버퍼층을구비시킨광전기화학전지용광전극을제공함으로써, 광전극에서생성된전하를빠르게선택적으로분리및 이동시킬수 있어향상된태양광-수소전환효율을얻을수 있다.

6. 发明公开

KR1020160072938A 금속 초박층을 포함하는 탠덤 구조의 광전기화학전지용 광전극 및 이를 포함하는 광전기화학전지 有权
标题翻译：用于包含金属超薄层和包含其的光电化学电池的TANDEM结构光电化学电池的光电转换器
公开(公告)号：KR1020160072938A
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020140180712
申请日：2014-12-15
申请人： 한국기계연구원
发明人： 임동찬 , 박선영 , 허진희 , 홍은미 , 이주열
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0224 , H01L31/022408 , H01L31/18
摘要： 본발명은실리콘을포함하는제1 반도체층; 금속산화물인제2 반도체층; 및상기제1 반도체층및 제2 반도체층사이에위치하는금속초박층(metal ultra-thin layer);을포함하는탠덤구조의광전기화학전지용광전극을제공한다. 본발명에따른탠덤구조의광전기화학전지용광전극은두 개의반도체층 사이에금속초박층을포함함으로써, 금속산화물인반도체층 및실리콘을포함하는반도체층 사이에저항접촉(ohmic contact)을형성할수 있다. 이에따라, 광을통해생성된전자와정공의재결합효율을향상시킬수 있다. 특히, 적절한사이간격을가지도록정렬된나노입자를형성하는금(Au) 초박층은여기자(exciton) 생성의증가및 금나노입자사이에서발생하는표면플라즈몬공진과근접장플라즈몬결합(near field plasmon coupling)으로인한광활성반도체층 및계면에서저항감소로인해광전류밀도가현저히향상되는효과가있다.
摘要翻译：本发明提供一种用于具有串联结构的光电化学电池的光电极，包括：含有硅酮的第一半导体层; 作为金属氧化物的第二半导体层; 以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的金属超薄层。根据本发明的具有串联结构的光电化学电池的光电极在两个半导体层之间包含金属超薄层，从而在作为金属氧化物的半导体层和含硅的半导体层之间形成欧姆接触。因此，可以提高从灯产生的电子和空穴的复合效率。特别地，由于激光生成增加和光活性半导体层的电阻降低以及由表面等离子体共振引起的界面，布置成彼此具有恒定距离的金（Au）超薄层形成纳米颗粒显着地改善了光电流密度和近场等离子体激元耦合。

7. 发明授权

KR101579053B1 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자 有权
标题翻译：金属网状电极的制造方法和包含金属网状电极的有机电致发光显示装置
公开(公告)号：KR101579053B1
公开(公告)日：2015-12-21
申请号：KR1020140024015
申请日：2014-02-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이주열 , 정용수 , 정성희 , 김만 , 이상열
IPC分类号： H01L51/52
摘要： 본발명은베이스부재를제공하는단계; 상기베이스부재의상부에제1금속전극패턴을형성하는단계; 상기제1금속전극패턴의상부에크로메이트층을형성하는단계; 상기크로메이트층의상부에제2금속전극패턴을형성하는단계; 상기제2금속전극패턴을포함하는기판의전면(全面)에경화성고분자층을형성하는단계; 및상기경화성고분자층과상기베이스부재를분리하는단계를포함하는금속전극패턴의제조방법및 금속전극패턴을포함하는유기전계발광소자에관한것으로, 서로대향배치되는제1전극및 제2전극중 적어도어느하나의전극을금속전극패턴으로형성함으로써, 고가의주석도핑산화인듐을금속메쉬패턴으로대체할수 있다.

8. 发明授权

KR101577656B1 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자 有权
公开(公告)号：KR101577656B1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140031143
申请日：2014-03-17
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이주열 , 정용수 , 임동찬 , 임재홍 , 송영섭 , 황양진 , 차수섭
IPC分类号： H01L51/56 , H01L21/027
摘要： 본발명은베이스부재를제공하는단계; 상기베이스부재의상부에크로메이트층을형성하는단계; 상기크로메이트층의상부에포토레지스트막패턴을형성하는단계; 상기포토레지스트막패턴을포함하는상기크로메이트층의상에금속전극패턴을형성하는단계; 상기포토레지스트막패턴을제거하는단계; 상기포토레지스트막패턴이제거되고, 상기크로메이트층의상부에금속전극패턴을포함하는상기베이스부재의전면(全面)에경화성고분자층을형성하는단계; 및상기경화성고분자층과상기베이스부재를분리하는단계를포함하는금속전극패턴의제조방법및 금속전극패턴을포함하는유기전계발광소자에관한것으로, 서로대향배치되는제1전극및 제2전극중 적어도어느하나의전극을금속전극패턴으로형성함으로써, 고가의주석도핑산화인듐을금속메쉬패턴으로대체할수 있다.

9. 发明公开

KR1020150102294A 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자 有权
标题翻译：金属网电极的制造方法和包含金属网电极的有机电致发光显示装置
公开(公告)号：KR1020150102294A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024015
申请日：2014-02-28
申请人： 한국기계연구원
发明人： 이주열 , 정용수 , 정성희 , 김만 , 이상열
IPC分类号： H01L51/52
摘要： 본 발명은 베이스 부재를 제공하는 단계; 상기 베이스 부재의 상부에 제1금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1금속 전극 패턴의 상부에 크로메이트층을 형성하는 단계; 상기 크로메이트층의 상부에 제2금속 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2금속 전극 패턴을 포함하는 기판의 전면(全面)에 경화성 고분자층을 형성하는 단계; 및 상기 경화성 고분자층과 상기 베이스 부재를 분리하는 단계를 포함하는 금속 전극 패턴의 제조방법 및 금속 전극 패턴을 포함하는 유기전계발광소자에 관한 것으로, 서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극을 금속 전극 패턴으로 형성함으로써, 고가의 주석도핑 산화인듐을 금속 메쉬 패턴으로 대체할 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种金属电极图案的制造方法和包括该金属电极图案的有机电致发光元件。该方法包括以下步骤：提供基座部件; 在所述基底构件的上部形成第一金属电极图案; 在所述第一金属电极图案的上部形成铬酸盐层; 在铬酸盐层的上部形成第二金属电极图案; 在包括第二金属电极图案的基板的正面上形成硬化的聚合物层; 并将所述硬化的聚合物层与所述基底部件分离。因此，通过与配置成彼此相对的第一电极或第二电极形成金属电极图案，可以用金属网格图案来代替高价的Sn掺杂的氧化铟。

10. 发明公开

KR1020150101550A 회로기판 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：电路板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150101550A
公开(公告)日：2015-09-04
申请号：KR1020140022980
申请日：2014-02-27
申请人： 한국기계연구원
发明人： 김만 , 정용수 , 이주열 , 이상열 , 장도연
IPC分类号： H05K3/46
摘要： 본 발명은 요(凹)부와 철(凸)부를 포함하는 제1베이스 기판을 제공하는 단계; 상기 제1베이스 기판의 상기 요(凹)부에 제1절연층 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1베이스 기판의 상기 철(凸)부에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층의 상부에 제2베이스 기판을 부착하는 단계; 상기 제1베이스 기판으로부터 상기 제2베이스 기판 및 상기 금속층을 동시에 분리하여, 상기 금속층을 포함하는 회로기판을 제조하는 단계; 및 상기 금속층을 포함하는 회로기판을 복수개 적층하여, 제1회로기판 및 상기 제2회로기판의 상부에 위치하는 제2회로기판을 제조하는 단계를 포함하는 회로기판의 제조방법에 관한 것으로, 회로기판의 회로 배선을 구성하는 금속배선을 식각공정을 배제함으로써, 금속배선을 식각하는 공정의 기술적 한계를 해결하여, 회로의 미세화 내지는 고집적화가 가능하다.
摘要翻译：电路基板的制造方法技术领域本发明涉及电路基板的制造方法，其特征在于，包括：设置包括凹部和凸部的第一基板的工序; 在第一基板的凹部中形成第一绝缘图案的工序; 在所述第一基板的凸部上形成金属层的工序; 将第二基底基板附着到金属层的上部的步骤; 同时将第二基底基板和金属层与第一基底基板分离的工序，制造包括金属层的电路基板; 以及堆叠包括金属层的电路板并制造位于第一电路板和第二电路板的上部的第二电路板的步骤。通过排除形成电路板的电路线的金属线的蚀刻工艺来解决蚀刻金属线的工艺的技术限制。可以实现线路的高集成度和小型化。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式