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1. 发明授权

KR101539280B1 고분자 전해질 연료전지의 장기성능 향상을 위한 나노필러 및 이를 포함하는 수소이온전도성 복합막 有权
标题翻译：用于提高聚合物电解质膜燃料电池和包含所述纳米填料的质子传导膜的长期性能的纳米机
公开(公告)号：KR101539280B1
公开(公告)日：2015-07-28
申请号：KR1020140004653
申请日：2014-01-14
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박정기 , 오근환 , 추민주 , 홍순형 , 이동주
IPC分类号： H01M8/10 , H01M8/02
CPC分类号： Y02P70/56
摘要： 고분자전해질연료전지용복합막의장기성능을향상시키기위한나노필러로서, 보론-나이트라이드나노필러모재; 및상기나노필러모재에결합된하기식 (1)의화합물을포함하는것을특징으로하는, 고분자전해질연료전지용복합막의장기성능을향상시키기위한나노필러가제공된다.(1) (상기식에서 R, R, R및 R중적어도어느하나는술폰산기능기를포함하며, 이를제외한나머지는수소임) 본발명은술폰산이결합되며, 파이간비공유결합이가능한화합물로나노필러표면을개질시킨다. 이로써, 나노필러의고분자전해질내분산성이향상되며, 그결과, 고분자전해질복합막의기계적물성및 치수안정성을개선하여결과적으로고분자전해질연료전지의장기성능을향상시킬수 있다.

2. 发明公开

KR1020110105680A 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료 및 그 제조방법 有权
标题翻译：掺杂氮化硅纳米粒子的纳米复合材料及其制备工艺
公开(公告)号：KR1020110105680A
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020100024960
申请日：2010-03-19
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 박희섭 , 신유철 , 이동주 , 이경호
IPC分类号： C04B35/495 , C01G41/00 , B82B3/00
CPC分类号： B22F9/04 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , C04B35/64 , C22C1/045
摘要： 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료가 제공된다.
본 발명에 따른 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료는 텅스텐 금속 기지 내부에 질화물 세라믹 나노입자가 균일하게 분산되어 있는 것을 특징으로 하며 밀도, 압축강도 및 경도가 우수하기 때문에 국방 무기, 항공기 또는 로켓의 추진기관에 사용되는 내열부품 등 다양한 분야에 활용할 수 있다.

3. 发明公开

KR1020100072823A 질화물／텅스텐 나노복합분말의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 질화물／텅스텐 나노복합분말 有权
标题翻译：制备硝酸盐/钨酸盐纳米复合粉末及其硝酸盐/钨酸盐纳米粉体的方法
公开(公告)号：KR1020100072823A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080131345
申请日：2008-12-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 이경호 , 신유철 , 이동주
IPC分类号： B82B3/00 , C01B32/949 , B82Y40/00
CPC分类号： B22F9/04 , B22F2009/041 , C22C1/045 , C22C27/04 , B82B3/00 , B82Y40/00 , C01B32/949
摘要： PURPOSE: A producing method of nitride/tungsten nanocomposite powder, and the nitride/tungsten nanocomposite powder produced thereby are provided to improve the mechanical property of tungsten by uniformly dispersing nitride to the tungsten. CONSTITUTION: A producing method of nitride/tungsten nanocomposite powder comprises the following steps: mixing nitride and tungsten or the nitride and a tungsten alloy; and alloying the mixture using a milling machine at an inactive atmosphere. The nitride is selected from the group consisting of 'ZrN, HfN, BN, AlN, Si_3N4, TiN, TaN, Ta_2N, VN, CrN, Cr2N, Mo_2N, NbN, WN, and W_2N. The tungsten alloy is an alloy formed by alloying an element selected from the group consisting of Nb, Tc, Ru, Hf, Os, Mo, Ta, Re, and Ir with the tungsten.
摘要翻译：目的：提供氮化物/钨纳米复合粉末的制造方法以及由此制造的氮化物/钨纳米复合材料粉末，以通过均匀地将氮化物分散到钨中来改善钨的机械性能。构成：氮化物/钨纳米复合粉末的制造方法包括以下步骤：将氮化物与钨或氮化物和钨合金混合; 并使用研磨机在惰性气氛下使混合物合金化。氮化物选自由ZrN，HfN，BN，AlN，Si_3N4，TiN，TaN，Ta_2N，VN，CrN，Cr2N，Mo_2N，NbN，WN和W_2N组成的组。钨合金是通过将选自Nb，Tc，Ru，Hf，Os，Mo，Ta，Re和Ir的元素与钨合金而形成的合金。

4. 发明公开

KR1020150084536A 고분자 전해질 연료전지의 장기성능 향상을 위한 나노필러 및 이를 포함하는 수소이온전도성 복합막 有权
标题翻译：用于改善聚合物电解质膜燃料电池的长期性能的纳米磁体和包含上述纳米ZnO的导体膜
公开(公告)号：KR1020150084536A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004653
申请日：2014-01-14
申请人： 한국과학기술원
发明人： 박정기 , 오근환 , 추민주 , 홍순형 , 이동주
IPC分类号： H01M8/10 , H01M8/02
CPC分类号： Y02P70/56 , H01M8/02 , H01M8/10
摘要： 고분자전해질연료전지용복합막의장기성능을향상시키기위한나노필러로서, 보론-나이트라이드나노필러모재; 및상기나노필러모재에결합된하기식 (1)의화합물을포함하는것을특징으로하는, 고분자전해질연료전지용복합막의장기성능을향상시키기위한나노필러가제공된다.(1) (상기식에서 R, R, R및 R중적어도어느하나는술폰산기능기를포함하며, 이를제외한나머지는수소임) 본발명은술폰산이결합되며, 파이간비공유결합이가능한화합물로나노필러표면을개질시킨다. 이로써, 나노필러의고분자전해질내분산성이향상되며, 그결과, 고분자전해질복합막의기계적물성및 치수안정성을개선하여결과적으로고분자전해질연료전지의장기성능을향상시킬수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种纳米填料，用于提高聚合物电解质燃料电池和氢离子传导膜的长期性能，包括氮化硼纳米填料基材和与式（1）所示纳米填料结合的化合物。在上式中，R_1，R_2，R_3或R_4中的至少一个包括磺酸官能团，其余的是氢。本发明涉及一种组合磺酸并且支持馅饼之间的非共享组合的化合物，从而可以改善纳米填料表面。因此，纳米填料的聚合物电解质中的分散性提高，结果可以提高聚合物电解质膜的机械性能和尺寸稳定性，能够进一步提高聚合物电解质燃料电池的长期性能。

5. 发明授权

KR101436849B1 그래핀을 포함하는 다층구조체 및 이의 제조방법 有权
标题翻译：包括石墨的多层结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101436849B1
公开(公告)日：2014-09-02
申请号：KR1020130022743
申请日：2013-03-04
申请人： 한국과학기술원
发明人： 전석우 , 홍순형 , 이동주
IPC分类号： H01B5/14 , H01B1/04 , B32B9/00 , C08J5/18
摘要： The present invention relates to a multilayer structure where materials of 2D nanostructure are repeatedly stacked, and a method for manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to a multilayer structure of repeatedly stacked 2D nanostructure, and a method for manufacturing the same. The multilayer structure includes a first material layer of surface-reformed 2D nanostructure having an acid functional group or a basic functional group to include positive charges and negative charges; and a second material layer of surface-reformed 2D nanostructure which includes a basic functional group if the first material includes an acid functional group or includes an acid functional group if the first material includes a basic functional group, thereby having charges opposite to the charges of the first material.
摘要翻译：本发明涉及二维纳米结构材料重复层叠的多层结构及其制造方法。更具体地，本发明涉及重复堆叠的2D纳米结构的多层结构及其制造方法。多层结构包括具有酸官能团或碱性官能团的表面改性的二维纳米结构的第一材料层，包括正电荷和负电荷; 以及表面改性的二维纳米结构的第二材料层，如果所述第一材料包含酸官能团，则所述第二材料层包括碱性官能团，如果所述第一材料包含碱性官能团，则包含酸官能团，由此具有与第一种材料。

6. 发明授权

KR101195066B1 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료 및 그 제조방법 有权
公开(公告)号：KR101195066B1
公开(公告)日：2012-10-29
申请号：KR1020100013595
申请日：2010-02-12
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 박희섭 , 신유철 , 이동주 , 이경호
IPC分类号： B82B3/00
摘要： 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료가 제공된다.
본 발명에 따른 질화물 강화 텅스텐 나노복합재료는 텅스텐 금속 기지 내부에 질화물 세라믹 나노입자가 균일하게 분산되어 있는 것을 특징으로 하며 밀도, 압축강도 및 경도가 우수하기 때문에 국방 무기, 항공기 또는 로켓의 추진기관에 사용되는 내열부품 등 다양한 분야에 활용할 수 있다.

7. 发明公开

KR1020170089799A 방향족 헤테로 고리와 극성기를 포함하는 기능기로 표면개질된 탄소나노소, 탄소나노소재-고분자 복합소재, 및 이들의 제조방법 审中-实审
公开(公告)号：KR1020170089799A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020170092606
申请日：2017-07-21
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 차재민 , 전광훈 , 이동주
IPC分类号： C01B32/15 , C01B32/158 , C01B32/18 , C01B32/182
CPC分类号： C01B32/15 , C01B32/158 , C01B32/18 , C01B32/182 , C01P2004/51 , C01P2006/22
摘要： 본발명은, 기계적밀링을통하여, 방향족헤테로고리와극성기를동시에갖는기능기화분자가, 탄소나노소재표면상에비공유π- π결합으로부착된표면개질된탄소나노소재, 이를포함하는탄소나노소재-고분자복합소재및 이들의제조방법에관한것다. 본발명의표면개질된탄소나노소재는고분자소재내에서높은분산력과강한결합력을가지므로, 탄소나노소재-고분자복합소재의기계적물성을향상시킬수 있다.

8. 发明授权

KR101721753B1 고품질 육방정 질화붕소 나노시트 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 육방정 질화붕소 나노시트 有权
标题翻译：一种生产高质量六方氮化硼纳米片和六方氮化硼纳米片的方法
公开(公告)号：KR101721753B1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：KR1020150056506
申请日：2015-04-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 이동주 , 이빈
IPC分类号： C01B21/064
摘要： 본발명은, 육방정질화붕소를염기조건하에서기계적박리하는단계를포함하는육방정질화붕소나노시트제조방법, 육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재제조방법, 이를이용하여제조된육방정질화붕소나노시트및 육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재에관한것이다. 본발명을이용하여고품질의육방정질화붕소나노시트를안전한공정으로대량제조할수 있으며, 또한육방정질화붕소나노시트가균일하게분산된육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재를제조할수 있다.
摘要翻译：本发明中，六方氮化硼纳米片制造方法中，六方氮化硼纳米片包括下在碱性条件 - 聚合物复合材料的制造方法机械地分离所述的六方氮化硼的工序中，六方氮化硼是通过使用此制造纳米片和六方氮化硼纳米片 - 聚合物复合材料。它可以使用本发明大量生产中的安全进程高质量六方氮化硼纳米片，并且还六方晶氮化硼纳米片是六方氮化硼均匀分散的纳米片 - 可以制造高分子复合材料。

9. 发明公开

KR1020160125711A 고품질 육방정 질화붕소 나노시트 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 육방정 질화붕소 나노시트 有权
标题翻译：使用其制备方法制造高品质六方氮化硼纳米粒子和六方氮化硼纳米粒子
公开(公告)号：KR1020160125711A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020150056506
申请日：2015-04-22
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 이동주 , 이빈
IPC分类号： C01B21/064
摘要： 본발명은, 육방정질화붕소를염기조건하에서기계적박리하는단계를포함하는육방정질화붕소나노시트제조방법, 육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재제조방법, 이를이용하여제조된육방정질화붕소나노시트및 육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재에관한것이다. 본발명을이용하여고품질의육방정질화붕소나노시트를안전한공정으로대량제조할수 있으며, 또한육방정질화붕소나노시트가균일하게분산된육방정질화붕소나노시트-고분자복합소재를제조할수 있다.

10. 发明授权

KR101397153B1 탄화규소계 복합재료 및 그 제조방법 有权
标题翻译：基于碳化硅的复合材料及其制备方法
公开(公告)号：KR101397153B1
公开(公告)日：2014-05-20
申请号：KR1020120148373
申请日：2012-12-18
申请人： 한국과학기술원
发明人： 홍순형 , 김연철 , 이동주 , 박희섭 , 장종준
IPC分类号： C04B35/565 , C01B31/36 , C04B41/45
CPC分类号： C04B35/565 , C04B35/6267 , C04B35/628 , C04B2235/422 , C04B2235/428 , C04B2235/77 , C04B2235/96
摘要： The present application relates to a silicon carbide based composite material and a manufacturing method thereof. The manufacturing method of the silicon carbide based composite material comprises of the following steps: preparing a carbon preform by carbonizing wood; producing the high-density carbon preform by impregnating the carbon preform to a carbon-based resin; and impregnating the high-density carbon preforms to a silicon.
摘要翻译：本申请涉及一种碳化硅基复合材料及其制造方法。碳化硅基复合材料的制造方法包括以下步骤：通过将木材碳化制备碳预制件; 通过将碳预型体浸渍到碳基树脂上来生产高密度碳预制件; 并将高密度碳预制件浸渍到硅中。

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