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1. 发明授权

KR100806999B1 탄화규소（ＳｉＣ） 단결정의 제조 방법 및 이에 의해얻어진 탄화규소（ＳｉＣ）단결정 失效
标题翻译：生产碳化硅单晶和硅碳化硅单晶的方法
公开(公告)号：KR100806999B1
公开(公告)日：2008-02-25
申请号：KR1020067017373
申请日：2005-12-26
申请人： 파나소닉 주식회사 , 오사카 유니버시티
发明人： 기타오카야스오 , 모리유스케 , 사사키다카토모 , 가와무라후미오 , 가와하라미노루
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： 낮은 비용으로 대형 탄화규소(SiC) 단결정을 제조 가능한 제조 방법을 제공한다. 알칼리 금속 플럭스 내에서, 실리콘(Si)과 탄소(C)를 용해하고, 이들을 반응시킴으로써, 탄화규소 단결정을 생성 또는 성장시킨다. 상기 알칼리 금속으로는 리튬(Li)이 바람직하다. 이 방법에 의하면, 예를 들면 1500℃ 이하의 저온 조건이라도, 탄화규소 단결정이 제조 가능하다. 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 탄화규소 단결정의 일예를 도3(B)의 사진으로 도시한다.

2. 发明公开

KR1020070069089A 탄화규소（ＳｉＣ） 단결정의 제조 방법 및 이에 의해얻어진 탄화규소（ＳｉＣ）단결정 失效
标题翻译：通过这种方法生产碳化硅（SIC）单晶和碳化硅（SIC）单晶的方法
公开(公告)号：KR1020070069089A
公开(公告)日：2007-07-02
申请号：KR1020067017373
申请日：2005-12-26
申请人： 파나소닉 주식회사 , 오사카 유니버시티
发明人： 기타오카야스오 , 모리유스케 , 사사키다카토모 , 가와무라후미오 , 가와하라미노루
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/00 , C30B9/10 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： Disclosed is a method for producing a large-sized silicon carbide (SiC) single crystal at low cost. Specifically, a silicon carbide single crystal is produced or grown by melting and reacting silicon (Si) and carbon (C) in an alkali metal flux. Lithium (Li) is preferable as the alkali metal. By this method, a silicon carbide single crystal can be produced under low temperature conditions, for example, at 15000C or less. One example of the silicon carbide single crystal obtained by this method is shown in the photograph of Fig. 3(B).
摘要翻译：公开了一种以低成本制造大尺寸碳化硅（SiC）单晶的方法。具体地，通过在碱金属助熔剂中使硅（Si）和碳（C）熔融和反应来生产或生长碳化硅单晶。优选锂（Li）作为碱金属。通过该方法，可以在低温条件下例如在1500℃以下的条件下制造碳化硅单晶。通过该方法获得的碳化硅单晶的一个实例在图1的照片中示出。图3（B）。

3. 发明公开

KR1020070053157A 전계 효과 트랜지스터, 그 제조방법 및 그것을 이용한전자기기 无效
标题翻译：场效应晶体管，使用场效应晶体管制造其的方法和电子器件
公开(公告)号：KR1020070053157A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020067020125
申请日：2005-08-30
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 다케우치다카유키 , 가와시마다카히로 , 사이토도루 , 오쿠자와도모히로 , 기타오카야스오
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/66742 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要： 반도체층(14)과, 반도체층(14)에 전기적으로 접속된 소스 전극(15) 및 드레인 전극(16)과, 소스 전극(15)과 드레인 전극(16) 사이의 반도체층(14)에 전계를 인가하기 위한 게이트 전극(12)을 구비하고, 반도체층(14)이 무기 반도체로 이루어진 복수의 세선과 유기 반도체 재료를 포함한다.

4. 发明公开

KR1020090074234A Ⅲ족 원소 질화물 결정의 제조 방법 및 Ⅲ족 원소 질화물 결정 有权
标题翻译：生产第三类元素氮化物晶体和第三类元素氮化物晶体的方法
公开(公告)号：KR1020090074234A
公开(公告)日：2009-07-06
申请号：KR1020097009874
申请日：2008-03-05
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마다오사무 , 미네모토히사시 , 히라나카고우이치 , 하타케야마다케시 , 사사키다카토모 , 모리유스케 , 가와무라후미오 , 기타오카야스오
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
摘要： This invention provides a process for producing a group III element nitride crystal, which can realize a high crystal growth rate and can produce a high-quality crystal, and a group III element nitride crystal. In the production process, a group III element, an alkali metal, and a seed crystal of a group III element nitride are placed in a crystal growth vessel. The crystal growth vessel is pressurized and heated under a nitrogen-containing gas atmosphere to allow the group III element and nitrogen to react in a melt containing the group III element, the alkali metal, and nitrogen and thus to grow a group III element nitride crystal using the seed crystal as a nucleus. Before the crystal growth vessel is pressurized and heated, a hydrocarbon having a higher boiling point than the alkali metal is added.
摘要翻译：本发明提供一种可以实现高晶体生长速度并能够生产高质量晶体的III族元素氮化物晶体和III族元素氮化物晶体的制造方法。在制造方法中，将III族元素，碱金属和III族元素氮化物的晶种置于晶体生长容器中。将晶体生长容器在含氮气体气氛下加压和加热，使III族元素和氮在含有III族元素，碱金属和氮的熔体中反应，从而生长III族元素氮化物晶体使用晶种作为核。在晶体生长容器被加压和加热之前，加入沸点高于碱金属的烃。

5. 发明授权

KR100254640B1 광학장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：光学装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100254640B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019960055512
申请日：1996-11-16
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 기타오카야스오 , 야마모토가즈히사 , 가토마고토 , 우노도모아키 , 미즈우치기미노리 , 니시우치겐이치
IPC分类号： H01S3/00
CPC分类号： H01S5/0687 , G02B6/42 , G02B6/4201 , G02B6/4213 , G02B6/4215 , G02B6/4224 , G02B6/4257 , G02B6/4271 , G02B6/4272 , G02F1/37 , H01S5/0092 , H01S5/02252 , H01S5/02476 , H01S5/0612 , H01S5/06256 , H01S5/06837
摘要： 광발생 장치는, 제 1 면 및 제 2 면을 포함하는 서브마운트와, 상기 서브마운트의 상기 제 1 면의 위에 고정된 반도체 레이저칩과, 상기 서브마운트의 상기 제 2 면의 위에 고정된, 광도파로가 형성되어 있는 기판을 구비하고, 상기 제 1 면과 상기 제 2 면이 수직관계에 있다. 이득을 주기 위한 활성영역과 발진파장을 제어하기 위한 분포브라그반사(DBR)영역을 구비하는 반도체 레이저를 위한 발진파장 안정화장치는, 상기 반도체 레이저의 출력광의 발진파장을 검출하면서, 상기 DBR 영역으로 주입하는 DBR 전류를 제 1 방향으로 단조롭게 변화시키면서 소정의 발진 파장값에 상당하는 DBR 전류치를(I
0 )를 검출하고, 그 후에 상기 DBR 전류를 상기 검출치(I
0 )를 넘어 상기 제 1 방향과는 반대의 제 2 방향으로 단조롭게 변화시키고, 그 후에 상기 DBR 전류를 다시 상기 제 1 방향으로 단조롭게 변화시키고 상기 검출치(I
0 )로 설정하고, 그것에 의하여, 상기 반도체 레이저의 상기 발진파장을 상기 소정의 발진파장값에 고정하는 제어부를 구비한다. 또한, 반도체 레이저와 파장변환소자로 이루어지는 단파장광원을 위한 고조파출력 안정화장치는, 상기 단파장광원의 고조파광출력을 검출하면서 DBR 전류를 조정하고, 상기 반도체 레이저의 상기 발진 파장을 상기 파장변환소자의 위상정합파장으로 고정하는 제어부를 구비한다. 또한, 반도체 레이저와 파장변환소자로 이루어지는 단파장광원을 포함하는 광디스크 시스템에서는, 시스템의 동작에 있어서의 소정의 기간에, 상기 반도체 레이저의 발진파장을 상기 파장변환소자의 위상정합파장으로 재차 제어하는 제어부를 구비한다.

6. 发明公开

KR1019970031113A 광학장치 및 그 제조방법 失效
标题翻译：光学装置及其制造方法
公开(公告)号：KR1019970031113A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019960055512
申请日：1996-11-16
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 기타오카야스오 , 야마모토가즈히사 , 가토마고토 , 우노도모아키 , 미즈우치기미노리 , 니시우치겐이치
IPC分类号： H01S3/00

7. 发明公开

KR1020080086905A 반도체 발광 소자, Ⅲ족 질화물 반도체 기판, 및 그 제조방법 无效
标题翻译：半导体发光元件，III族氮化物半导体基板及其制造这种III族氮化物半导体基板的方法
公开(公告)号：KR1020080086905A
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020087017892
申请日：2007-01-19
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 미네모토히사시 , 기타오카야스오 , 가와구치야스토시 , 다카하시야스히토 , 하세가와요시아키
IPC分类号： H01L33/30
CPC分类号： H01S5/32341 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/0206 , H01S5/22 , H01S5/305
摘要： In a semiconductor light emitting element using a group III nitride semiconductor substrate, a dopant species of the substrate and the concentration of the dopant species are controlled, and the semiconductor light emitting element having excellent light extracting characteristics is obtained. The semiconductor light emitting element is provided with the substrate composed of a group III nitride semiconductor including germanium (Ge) as dopant; an n-type semiconductor layer which is arranged on the substrate and is composed of a group III nitride semiconductor; and a p-type semiconductor layer which is arranged on an active layer and is composed of the group III nitride semiconductor. The concentration of the germanium (Ge) in the substrate is 2x1017-2x1019cm-3. The substrate is manufactured by using a melt including at least a group III element, an alkaline metal or an alkaline earth metal, germanium (Ge) and nitrogen, under an atmosphere including nitrogen.
摘要翻译：在使用III族氮化物半导体衬底的半导体发光元件中，控制衬底的掺杂剂种类和掺杂剂种类的浓度，并且获得具有优异的光提取特性的半导体发光元件。半导体发光元件设置有由包含锗（Ge）作为掺杂剂的III族氮化物半导体构成的衬底; n型半导体层，其配置在基板上，由III族氮化物半导体构成; 以及配置在有源层上并由III族氮化物半导体构成的p型半导体层。基底中锗（Ge）的浓度为2×10 17 -2×10 19 cm -3。通过使用包含至少III族元素，碱金属或碱土金属，锗（Ge）和氮的熔体在包括氮的气氛下制造基板。

8. 发明授权

KR100278889B1 광 픽업 및 그것을 사용한 광 디스크 장치 失效
标题翻译：光学拾取器及使用其的光盘装置
公开(公告)号：KR100278889B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980001289
申请日：1998-01-17
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마모토가즈히사 , 기타오카야스오 , 즈지무라아유무 , 구메마사히로
IPC分类号： G11B20/24
摘要： 본 발명은 광 피드백에 의해 파장 로크된 GaN 반도체 레이저에 의해, 저 노이즈 광 픽업 및 광 디스크 장치를 실현하는 것으로, 파장 로크된 GaN 반도체 레이저(50)로부터 출사된 레이저 광은 콜리메이터 렌즈(51)로 평행화된 후, 편광 빔 분할기(58) 및 4분의1 파장 판(59)을 통과하고, 포커스 렌즈(52)로 집광되어, 광 디스크 매체(55)에 형성된 피트(56)에 조사된다. 광 디스크 매체(55)로부터의 신호 광은 포커스 렌즈(52)로 평행화되어, 4분의1 파장 판(59)에서 왕복로에 대하여 90도 편광 방향이 변화된다. 이것에 의해, 신호 광은 편광 빔 분할기(58)로 반사되어, 포커스 렌즈(53)에 의해 광 검출기(57)에 집광된다.

9. 发明公开

KR1019990022449A 광소자, 레이저 광원 및 레이저 장치와 광소자의 제조방법 失效
标题翻译：光学装置，激光光源及制造激光装置及光学装置的方法
公开(公告)号：KR1019990022449A
公开(公告)日：1999-03-25
申请号：KR1019970708930
申请日：1996-05-30
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마모토가즈히사 , 미즈우치기미노리 , 기타오카야스오 , 가토마코토
IPC分类号： G02F1/37
摘要： LiTaO
3 기판(1)에 분극 반전층(3)을 형성한 후, 광 도파로를 형성한다. 이와 같이 형성된 광 파장 변환소자를 저온 어닐링함으로써 고온 열처리시에 발생한 굴절률 상승을 저하시킨 안정 프로톤 교환층(8a)을 형성하고, 이것이 안정된 광 파장 변환소자가 된다. 이것으로 위상 정합 파장이 일정하여 고조파 출력의 변동이 없어진다. 이것에 의해, 비선형 광학효과를 이용한 광 파장 변환소자에 관하여, 신뢰성이 높은 소자를 제공한다.

10. 发明授权

KR101103107B1 Ⅲ족 원소 질화물 결정의 제조 방법 및 Ⅲ족 원소 질화물 결정 有权
标题翻译：生产第三类元素氮化物晶体和第三类元素氮化物晶体的方法
公开(公告)号：KR101103107B1
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：KR1020097009874
申请日：2008-03-05
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마다오사무 , 미네모토히사시 , 히라나카고우이치 , 하타케야마다케시 , 사사키다카토모 , 모리유스케 , 가와무라후미오 , 기타오카야스오
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L33/00 , H01S5/323
CPC分类号： H01L31/03044 , C30B9/10 , C30B11/12 , C30B19/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , G02B1/02
摘要： A method for producing a high-quality group-III element nitride crystal at a high crystal growth rate, and a group-III element nitride crystal are provided. The method includes the steps of placing a group-III element, an alkali metal, and a seed crystal of group-III element nitride in a crystal growth vessel, pressurizing and heating the crystal growth vessel in an atmosphere of nitrogen-containing gas, and causing the group-III element and nitrogen to react with each other in a melt of the group-III element, the alkali metal and the nitrogen so that a group-III element nitride crystal is grown using the seed crystal as a nucleus. A hydrocarbon having a boiling point higher than the melting point of the alkali metal is added before the pressurization and heating of the crystal growth vessel.

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