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1. 发明授权

KR100274433B1 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법 失效
标题翻译：溅射装置及其相同方法
公开(公告)号：KR100274433B1
公开(公告)日：2000-12-15
申请号：KR1019970050935
申请日：1997-10-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아오쿠라이사무 , 야마니시히토시
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 직사각형 타겟을 이용하여 스퍼터링을 실행하는 스퍼터 장치는 타겟(6)의 한쌍의 연부를 따라 설치되는 막대형 제1자석, 및 타겟의 배면측에 이동가능하게 설치되는 막대형 제2자석을 포함한다.

2. 发明授权

KR100127114B1 적층형자기헤드코어 失效
标题翻译：层压磁头
公开(公告)号：KR100127114B1
公开(公告)日：1998-04-02
申请号：KR1019940000462
申请日：1994-01-13
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아오쿠라이사무 , 나고쿠미오 , 야마니시히토시 , 사카키마히로시 , 오오니시요이치
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： G11B5/147 , G11B5/3116 , Y10S428/90 , Y10T428/1129 , Y10T428/24975 , Y10T428/265
摘要： 본 발명은 고주파대역에서 구동하는 VTR 등의 시스템에 사용되는 적층형자기헤드코어를 제공하는것을 목적으로 한 것으로서, 그 구성에 있어서 비자성기판(11)위에 0.2∼10um의 두께의 높은 포화자속밀도를 가진 Fe-(Ta,Nb,Zr,Hf)-N계 연자성박막(12)과 수십∼수백 nm의 비자성절연막(13)이 교호로 적층된 구조를 가지고, 또한 비자성절연막을 개재해서 인접하는 Fe-Ta-N계연자성박막의 막면내에서의 고투자율특성을 나타내는 방향이 다른 층을 가지고, 적층형헤드코어전체로서 높은 포화자속밀도와 고주파대역에 있어서의 막면내에서 동방적인 고투자율특성을 얻을 수 있는 것을 특징으로 한 것이다.

3. 发明公开

KR1019940018804A 적층형자기헤드코어 失效
标题翻译：分层磁头磁芯
公开(公告)号：KR1019940018804A
公开(公告)日：1994-08-18
申请号：KR1019940000462
申请日：1994-01-13
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아오쿠라이사무 , 나고쿠미오 , 야마니시히토시 , 사카키마히로시 , 오오니시요이치
IPC分类号： G11B5/127

4. 发明授权

KR100244385B1 스퍼터링장치 및 방법 失效
标题翻译：溅射系统和方法
公开(公告)号：KR100244385B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960025705
申请日：1996-06-29
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 니시하라무네카즈 , 키무라테이이치 , 아오쿠라이사무
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： C23C14/352 , H01J37/3408
摘要： 본 발명은, 대면적의 각형 기판에의 안정된 막형성을 실현할 수 있다. 정지대향방식의 스퍼터링장치의 제공을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 타겟(1a), (1b), (1c)를 평면내에서 서로 전기적으로 절연된 3개이상의 각형 전극판위에 분할해서 배치하는 동시에, 각 타겟(1a), (1b), (1c)에 대응시켜서 각 타겟(1a), (1b), (1c)의 표면에 소정의 자력선(5)을 발생시키는 마그넷(2a), (2b), (2c)을 배치한 것을 특징으로 한 것이다.

5. 发明授权

KR100237667B1 연자성박막의 제조방법 失效
标题翻译：制造软磁膜的方法
公开(公告)号：KR100237667B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019960001492
申请日：1996-01-24
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아오쿠라이사무 , 야마니시히토시
IPC分类号： G11B5/127
CPC分类号： H01F41/183
摘要： 본 발명은, 높은 포화자속밀도를 표시한 연자성박막을, 각종의 자기헤드에 적합한 투자율로, 넓은 면적에서 이방성을 제어하면서 양산성좋게 제조할 수 있도록 하는, 연자성박막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한 것이며, 그 구성에 있어서, 질소가스를 혼입해서 이루어진 불활성가스분위기속에 Fe 또는 Co를 주성분으로 하는 타겟을 배설하는 동시에, 타겟의 표면쪽에서 누설자속을 크게하여 넓은 면적에 걸쳐 형성된 기판상에 투자율이 높은 연자성박막을 형성하기 위해, 상기 타겟의 표면쪽의 양사이드에 각각 N극끼리 인접하는 제1영역에 계속해서, S극끼리 인접하는 제2영역을 형성하여 복수의 자석으로 구성된 인라인형상의 한쪽의 자석열과, 이 한쪽의 자석열에 반대극성으로 마주보는 복수의 자석으로 구성된 인라인 형상의 다른쪽의 자석 열과를 배설한다. 타겟(10)을 증발원으로 하는 반응성스퍼터링에 의해서 연자성박막을 상기 기판위에 형성하는 것을 특징으로 한 것이다.

6. 发明授权

KR100212087B1 스퍼터링 장치 失效
公开(公告)号：KR100212087B1
公开(公告)日：1999-08-02
申请号：KR1019950020867
申请日：1995-07-15
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마니시히토시 , 아오쿠라이사무 , 요코야마마사히데 , 타키사와타카히로
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/347 , H01J37/3405
摘要： 본 발명은, 소형스퍼터링전극에 의해, 대형기판에 박막을 형성하는 마그네트론스퍼터링방식의 스퍼터링장치에 관한 것으로서, 복수의 직사각형타겟을 가진 스퍼터링전극에 의해, 대형기판에 형성되는 박막의 막두께 및 막질의 균일성을 향상시키고, 또 타겟의 높은 이용율을 가진 스퍼터링장치를 제공하는 것을 목적으로 하며, 그 구성에 있어서는, 직사각형타겟을 사용해서 스퍼터링을 행하고, 기판에 박막을 형성하는 스퍼터링장치에 있어서, 타겟(1)의 양옆가장자리에 따르도록, 각 옆가장자리에 복수개의 자석(24)을 배치하고, 또한 이들 자석의 극성을 서로 인접하는 것끼리가 반대의 관계가 되도록 정하는 동시에, 타겟(1)을 사이에 두고 대향하는 자석(24)사이의 극성을 반대의 관계가 되도록 정하고, 적어도 2개이상의 타겟(1)을, 그 타겟면과 상기 � ��판면이 30 이상 60

7. 发明公开

KR1019980032508A 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법 失效
标题翻译：溅射设备和溅射方法
公开(公告)号：KR1019980032508A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019970050935
申请日：1997-10-02
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 아오쿠라이사무 , 야마니시히토시
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 직사각형 타겟으로 스퍼트링을 하기 위한 스퍼트링장치는 타겟(6)의 한쌍의 변부를 따라 설치되는 봉형의 제1자석, 및 타겟의 후면측에 이동가능하게 설치되는 봉형의 제2자석을 포함한다.

8. 发明授权

KR100109371B1 스패터링 전극 失效
公开(公告)号：KR100109371B1
公开(公告)日：1996-12-17
申请号：KR1019940014442
申请日：1994-06-23
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마니시히토시 , 아오쿠라이사무 , 스에미쯔토시유키 , 타키사와타카히로
IPC分类号： C23C14/00

9. 发明公开

KR1019950000919A 스패터링 전극 失效
公开(公告)号：KR1019950000919A
公开(公告)日：1995-01-03
申请号：KR1019940014442
申请日：1994-06-23
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마니시히토시 , 아오쿠라이사무 , 스에미쯔토시유키 , 타키사와타카히로
IPC分类号： C23C14/00
摘要： 본 발명은 스패터링방법에 의해 형성되는 박막의 기판면내, 배치사이에 있어서의 막두께 및 막질의 균일성의 향상, 타게의 이용효율 향상을 도모하는 동시에, 강자성체타겟의 고속 또한 효율적인 스패터링을 행할 수 있는 스패터링 전극의 제공을 목적으로 한다.
그 구성은 직사각형 평판타겟(1)을 가지고, 이 타겟(1)의 표면에 대해서 평행으로 자력선(16)이 통과하도록 자석(16)을 배치한 스패터링 전극으로서, 자력선(16)의 방향으로 180°변경가능하게 하는 수단(17)을 구비한 스패터링중, 자기회로(15)의 극성의 반전을 반복하므로써, 자장과 전장에 의한 전자의 나선운동(19)이 한방향으로 한정되어 버리는 일이 없기 때문에, 플라즈마의 불균일성이 상쇄되고, 그 결과, 형성되는 박막의 기판면내, 배치사이에 있어서의 막두께 및 막질의 균일성이 향상되는 것을 특징으로 한 것이다.

10. 发明公开

KR1019970007820A 자기 헤드 및 그 제조 방법 无效
公开(公告)号：KR1019970007820A
公开(公告)日：1997-02-21
申请号：KR1019960028980
申请日：1996-07-18
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 야마니시히토시 , 아오쿠라이사무 , 오사노고이치 , 이노우에야스시 , 사카이후미오
IPC分类号： G11B5/127

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