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1. 发明公开

KR1020060103191A 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 失效
标题翻译：多层陶瓷电子器件的制造方法
公开(公告)号：KR1020060103191A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：KR1020060026561
申请日：2006-03-23
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 후쿠이다카시 , 우에다가나메 , 곤신타로 , 사토아라타 , 사토아키라
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/258
CPC分类号： H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/79 , H01G4/30 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126
摘要： 층간 두께가 5㎛ 이하인 유전체층과 비금속(卑金屬)을 포함하는 내부 전극층을 갖는 적층 세라믹 전자 부품을 제조하는 방법이다. 유전체층용 페이스트와, 비금속을 포함하는 내부 전극층용 페이스트를, 교대로 100층 이상 배치한 적층체를, 환원성 분위기 하에서 소성하여, 그 후 어닐링(annealing) 처리한다. 이 어닐링 처리후의 적층체를, 산소 분압 P3이 2.9×10
-39 ㎩ 초과 6.7×10
-24 ㎩ 미만인 강환원성 분위기 하에서, 300℃ 초과 600℃ 미만의 유지 온도 T3으로 제1 열 처리를 한다. 이 제1 열 처리후의 적층체를, 산소 분압 P4가 1.9×10
-7 ㎩ 초과 4.1×10
-3 ㎩ 미만인 분위기 하에서, 500℃ 초과 1000℃ 미만의 유지 온도 T4로 제2 열 처리를 한다.

2. 发明公开

KR1020080073259A 전자 부품 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：电子设备及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080073259A
公开(公告)日：2008-08-08
申请号：KR1020080011884
申请日：2008-02-05
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 후쿠이다카시 , 스즈키가즈타카 , 나카노유키에
IPC分类号： H01G4/30 , H01G4/12
摘要： An electronic component and a manufacturing method thereof are provided to suppress reduction of capacitance of a condenser by suppressing grain growth and spherical formation of conductive material. An electronic component includes an element body(4) having an internal electrode layer(12) and a ceramic layer(10). The internal electrode layer contains at least one element among Re, Ru, Os, and Ir and Ni. The ceramic layer does not substantially contain Re, Ru, Os, and IR. An Ni content of the internal electrode layer is less than 80 to 100 mol% with respect to a total metal component of the internal electrode layer. A total content of Re, Ru, Os, and Ir of the internal electrode layer is between 0 and 20mol% with respect to the total metal component of the internal electrode layer.
摘要翻译：提供电子元件及其制造方法，通过抑制晶粒生长和导电材料的球形形成来抑制冷凝器的电容的降低。电子部件包括具有内部电极层（12）和陶瓷层（10）的元件体（4）。内部电极层包含Re，Ru，Os，Ir和Ni中的至少一种元素。陶瓷层基本不包含Re，Ru，Os和IR。相对于内部电极层的总金属成分，内部电极层的Ni含量小于80〜100摩尔％。内部电极层的Re，Ru，Os和Ir的总含量相对于内部电极层的总金属成分为0〜20mol％。

3. 发明授权

KR100782238B1 적층 세라믹 전자 부품의 제조 방법 失效
标题翻译：多层陶瓷电子器件的制造方法
公开(公告)号：KR100782238B1
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：KR1020060026561
申请日：2006-03-23
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 후쿠이다카시 , 우에다가나메 , 곤신타로 , 사토아라타 , 사토아키라
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/258
CPC分类号： H01G4/1227 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/664 , C04B2235/79 , H01G4/30 , Y10T29/43 , Y10T29/435 , Y10T29/49126
摘要： 층간 두께가 5㎛ 이하인 유전체층과 비금속(卑金屬)을 포함하는 내부 전극층을 갖는 적층 세라믹 전자 부품을 제조하는 방법이다. 유전체층용 페이스트와, 비금속을 포함하는 내부 전극층용 페이스트를, 교대로 100층 이상 배치한 적층체를, 환원성 분위기 하에서 소성하여, 그 후 어닐링(annealing) 처리한다. 이 어닐링 처리후의 적층체를, 산소 분압 P3이 2.9×10
-39 ㎩ 초과 6.7×10
-24 ㎩ 미만인 강환원성 분위기 하에서, 300℃ 초과 600℃ 미만의 유지 온도 T3으로 제1 열 처리를 한다. 이 제1 열 처리후의 적층체를, 산소 분압 P4가 1.9×10
-7 ㎩ 초과 4.1×10
-3 ㎩ 미만인 분위기 하에서, 500℃ 초과 1000℃ 미만의 유지 온도 T4로 제2 열 처리를 한다.

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