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1. 发明授权

KR100709913B1 적층형 칩 배리스터, 이의 제조방법 및 적층형 소자 有权
标题翻译：多层芯片压敏电阻，制造方法及多层器件
公开(公告)号：KR100709913B1
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020040084360
申请日：2004-10-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 마사키모토키 , 아베다케히코 , 마쓰오카다이 , 기타무라히데타카 , 소네히데아키
IPC分类号： H01C7/10 , H01C17/00
摘要： 본 발명의 적합한 실시형태의 적층형 칩 배리스터(Multilayer chip varistor)(1)는 다수의 배리스터층(2)과 각각의 배리스터층을 끼우도록 배치된 제1 및 제2 내부 전극(4a, 4b)을 갖는 배리스터 소자(5)와 당해 배리스터 소자(5)의 말단부에 설치되고 제1 및 제2 내부 전극(4a, 4b)에 각각 접속된 외부 전극(6)으로 구성된다. 또한, 외부 전극(6) 표면에는 Ni 도금층(8) 및 Sn 도금층(10)이 차례로 형성되어 있다. 그리고, 이러한 적층형 칩 배리스터(1)에 있어서 내부 전극(4a, 4b) 중의 수소 함유량은 1.1 ×10
-2 g 미만이다.
적층형 칩 배리스터, 내부 전극, 배리스터 소자, 외부 전극, 도금층, 수소 함유량.

2. 发明公开

KR1020110106804A 압전 자기 조성물, 압전 소자, 및 발진자 失效
标题翻译：压电陶瓷组合物，压电器件和谐振器
公开(公告)号：KR1020110106804A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020110024798
申请日：2011-03-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 타우치고우시 , 아즈마토모히사 , 소네히데아키
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/491 , C04B35/472 , H01L41/187
CPC分类号： C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3205 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , H01L41/1876 , H03H9/1035
摘要： 발진자의 Q
max 를 크게 하고, 또한 저온 환경하에서 발진자의 발진 주파수(F
O )의 변화를 억제할 수 있는 압전 자기 조성물을 제공하는 것. 본 발명의 압전 자기 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 조성을 갖는다.
[화학식 1]
(Pb
α Ln
β Me
γ )(Ti
1
-(x+y+z) Zr
x Mn
y Nb
Z )O
3
[상기 화학식 1 중에서, Ln은 란타노이드 원소이고, Me는 알칼리 토류 금속 원소이고, α>0, β>0,γ≥0, 0.965≤α+β+γ≤1.000, 0.158≤x≤0.210, y≥0, z≥0, 1-(x+y+z)>0이다]

3. 发明公开

KR1020050039609A 적층형 칩 배리스터, 이의 제조방법 및 적층형 소자 有权
标题翻译：多层芯片变压器，其制造方法和多层器件
公开(公告)号：KR1020050039609A
公开(公告)日：2005-04-29
申请号：KR1020040084360
申请日：2004-10-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 마사키모토키 , 아베다케히코 , 마쓰오카다이 , 기타무라히데타카 , 소네히데아키
IPC分类号： H01C7/10 , H01C17/00
摘要： 본 발명의 적합한 실시형태의 적층형 칩 배리스터(1)는 다수의 배리스터층(2)과 각각의 배리스터층을 끼우도록 배치된 제1 및 제2 내부 전극(4a, 4b)을 갖는 배리스터 소자(5)와 당해 배리스터 소자(5)의 말단부에 설치되고 제1 및 제2 내부 전극(4a, 4b)에 각각 접속된 외부 전극(6)으로 구성된다. 또한, 외부 전극(6) 표면에는 Ni 도금층(8) 및 Sn 도금층(10)이 차례로 형성되어 있다. 그리고, 이러한 적층형 칩 배리스터(1)에 있어서 내부 전극(4a, 4b) 중의 수소 함유량은 1.1 ×10
-2 g 미만이다.

4. 发明授权

KR101060970B1 적층형 칩 배리스터 有权
公开(公告)号：KR101060970B1
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020040110926
申请日：2004-12-23
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 다케하나마키카즈 , 오가사와라다다시 , 소네히데아키 , 아베다케히코 , 기타무라히데타카
IPC分类号： H01C7/10
摘要： 본 발명의 적층형 칩 배리스터(1)는 복수의 배리스터층(2)과, 이 각 배리스터층(2)을 끼우도록 배치된 내부전극(4a, 4b)을 갖는 배리스터 소체(5)와, 배리스터 소체(5)의 말단부에 설치되고, 내부전극(4a, 4b)에 각각 접속된 외부전극을 구비하는 것이다. 이 적층형 배리스터(1)에 있어서는 배리스터층(2)이, ZnO를 주성분으로 하고 부성분으로서 Pr을 함유하고 있고, 또한, 내부전극(4a, 4b)이 Pd, Ag, 및 상기 Pd 및 상기 Ag의 합계 100 질량부에 대하여 0.005 내지 1.0 질량부의 Al 산화물을 함유하고 있다.
적층형 칩 배리스터, 내부전극, 배리스터 소자, Al 산화물, 배리스터층

5. 发明授权

KR100843507B1 배리스터 소자 失效
标题翻译：压敏电阻元件
公开(公告)号：KR100843507B1
公开(公告)日：2008-07-04
申请号：KR1020060127747
申请日：2006-12-14
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 사이토요 , 마츠오카다이 , 소마이즈루 , 소네히데아키
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： H01C1/148 , H01C7/18
摘要： 배리스터 소자는, 배리스터 소체와, 복수의 내부전극쌍과, 접속도체와, 복수의 단자전극을 구비하고 있다. 배리스터 소체는, 서로 대향하는 제 1 주면 및 제 2 주면을 갖고 있다. 각 내부전극쌍은, 제 1 내부전극 및 제 2 내부전극을 갖고 있다. 제 1 내부전극과 제 2 내부전극은, 적어도 그 일부끼리가 서로 대향하도록 배리스터 소체내에 배치되어 있다. 접속도체는, 복수의 내부전극쌍 중의 소정의 내부전극쌍의 제 1 내부전극끼리를 전기적으로 접속하도록, 제 1 주면에 배치되어 있다. 단자전극은, 복수의 내부전극쌍의 각 제 2 내부전극에 대응하여 설치되어 있고, 상기 제 2 내부전극에 전기적으로 접속되도록 제 2 주면에 배치되어 있다.
배리스터 소자, 단자전극, 내부전극쌍, 접속도체, BGA 패키지

6. 发明公开

KR1020050067026A 적층형 칩 배리스터 有权
标题翻译：堆叠型切片机
公开(公告)号：KR1020050067026A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020040110926
申请日：2004-12-23
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 다케하나마키카즈 , 오가사와라다다시 , 소네히데아키 , 아베다케히코 , 기타무라히데타카
IPC分类号： H01C7/10
摘要： 본 발명의 적층형 칩 배리스터(1)는 복수의 배리스터층(2)과, 이 각 배리스터층(2)을 끼우도록 배치된 내부전극(4a, 4b)을 갖는 배리스터 소체(5)와, 배리스터 소체(5)의 말단부에 설치되고, 내부전극(4a, 4b)에 각각 접속된 외부전극을 구비하는 것이다. 이 적층형 배리스터(1)에 있어서는 배리스터층(2)이, ZnO를 주성분으로 하고 부성분으로서 Pr을 함유하고 있고, 또한, 내부전극(4a, 4b)이 Pd, Ag, 및 상기 Pd 및 상기 Ag의 합계 100 질량부에 대하여 0.005 내지 1.0 질량부의 Al 산화물을 함유하고 있다.

7. 发明授权

KR101178147B1 압전 자기 조성물, 압전 소자, 및 발진자 失效
标题翻译：压电陶瓷组合物，压电器件和谐振器
公开(公告)号：KR101178147B1
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：KR1020110024798
申请日：2011-03-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 타우치고우시 , 아즈마토모히사 , 소네히데아키
IPC分类号： C04B35/46 , C04B35/491 , C04B35/472 , H01L41/187
CPC分类号： C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3205 , C04B2235/3213 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3251 , C04B2235/3262 , H01L41/1876 , H03H9/1035
摘要： 발진자의 Q
max 를 크게 하고, 또한 저온 환경하에서 발진자의 발진 주파수(F
O )의 변화를 억제할 수 있는 압전 자기 조성물을 제공하는 것. 본 발명의 압전 자기 조성물은 하기 화학식 1로 표시되는 조성을 갖는다.
[화학식 1]
(Pb
α Ln
β Me
γ )(Ti
1
-(x+y+z) Zr
x Mn
y Nb
Z )O
3
[상기 화학식 1 중에서, Ln은 란타노이드 원소이고, Me는 알칼리 토류 금속 원소이고, α>0, β>0,γ≥0, 0.965≤α+β+γ≤1.000, 0.158≤x≤0.210, y≥0, z≥0, 1-(x+y+z)>0이다]

8. 发明公开

KR1020070063454A 배리스터 소자 失效
标题翻译： VARISTOR元素
公开(公告)号：KR1020070063454A
公开(公告)日：2007-06-19
申请号：KR1020060127747
申请日：2006-12-14
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 사이토요 , 마츠오카다이 , 소마이즈루 , 소네히데아키
IPC分类号： H01C7/10
CPC分类号： H01C1/148 , H01C7/18
摘要： A varistor element is provided to reduce a manufacturing cost by not installing a mark for identifying a mounting direction of the varistor element. A varistor element includes a varistor body(11), a couple of internal electrodes(21,31), a connection conductor(41), and a plurality of terminal electrodes. The varistor body(11) has a first main plane and a second main plane which are opposite to each other. The plurality of internal electrodes(21,31) has first and second internal electrodes which are arranged in the varistor body(11) so that at least parts are opposite to each other. The connection conductor(41) is arranged on the first main plane to connect the first internal electrodes of the plurality of internal electrodes(21,31). The plurality of terminal electrodes are installed to correspond to the second internal electrode of the plurality of internal electrodes, and are installed on the second main plane to be electrically connected to the second internal electrode.
摘要翻译：提供变阻器元件以通过不安装用于识别可变电阻元件的安装方向的标记来降低制造成本。变阻器元件包括变阻器主体（11），一对内部电极（21,31），连接导体（41）和多个端子电极。变阻器主体（11）具有彼此相对的第一主平面和第二主平面。多个内部电极（21,31）具有布置在可变电阻体（11）中的第一和第二内部电极，使得至少部分彼此相反。连接导体（41）布置在第一主平面上以连接多个内部电极（21,31）的第一内部电极。安装多个端子电极以对应于多个内部电极的第二内部电极，并且安装在第二主平面上以与第二内部电极电连接。

9. 发明授权

KR100187347B1 압연코어 失效
标题翻译：电磁芯
公开(公告)号：KR100187347B1
公开(公告)日：1999-05-15
申请号：KR1019950021507
申请日：1995-07-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 모로히데하루 , 카와쿠보나오키 , 소네히데아키 , 스즈키히데토시
IPC分类号： H01F3/00
CPC分类号： H01F1/24 , H01F1/26
摘要： 본 발명은, 각종전기·전자기기에 사용되는 압분코어에 관한 것으로서, 코어손실이 작은 압분코어를 염가로 제공하고, 또 코어손실이 작고 또한 기계적강도가 높은 압분코어를 제공하는 것을 목적으로한것이며, 그 구성에 있어서, 강자성금속분말과 절연제를 압분한 후, 어니일링한 코어이며, 상기 강자성금속분말이, Fe, Al 및 Si를 함유한 거의 구상의 강자성금속입자로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이로서, 100KHz에 있어서의 투자율을 50이상으로 할 수 있고, 100KHz에서 100mT의 자계를 인가한때의 코어손실을 450KW/㎥이하로 할 수 있고, 25KHz에서 200mT의 자계를 인가했을때의 코어손실을 300KW/㎥이하로 할 수 있는 압분코어를 실현할 수 있다.

10. 发明公开

KR1019960005636A 압연코어 失效
标题翻译：卷芯
公开(公告)号：KR1019960005636A
公开(公告)日：1996-02-23
申请号：KR1019950021507
申请日：1995-07-21
申请人： 티디케이가부시기가이샤
发明人： 모로히데하루 , 카와쿠보나오키 , 소네히데아키 , 스즈키히데토시
IPC分类号： H01F3/00
摘要： 본 발명은, 각종전기·전자기기에 사용되는 압분코어에 관한 것으로서, 코어손실이 작은 압분코어를 염가로 제공하고, 또 코어손실이 작고 또한 기계적강도가 높은 압분코어를 제공하는 것을 목적으로한것이며, 그 구성에 있어서, 강자성금속분말과 절연제를 압분한 후, 어니일링한 코어이며, 상기 강자성금속분말이, Fe, Al 및 Si를 함유한 거의 구상의 강자성금속입자로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다. 이로서, 100KHz에 있어서의 투자율을 50이상으로 할 수 있고, 100KHz에서 100mT의 자계를 인가한때의 코어손실을 450KW/㎥이하로 할 수 있고, 25KHz에서 200mT의 자계를 인가했을때의 코어손실을 300KW/㎥이하로 할 수 있는 압분코어를 실현할 수 있다.

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