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1. 发明公开

KR1020140011902A 고전압 반대 주입을 갖춘 전력 트랜지스터 有权
标题翻译：具有高电压计数器的功率晶体管
公开(公告)号：KR1020140011902A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：KR1020120111095
申请日：2012-10-08
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시아오시쿠앙 , 추첸리앙 , 첸이셍 , 첸페이윤 , 테이콩벵
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66492 , H01L21/761 , H01L29/1083 , H01L29/66575 , H01L29/7833
摘要： The present invention provides a field-effect transistor device, and alternatively, a lateral power transistor, and a forming method thereof. The forming method comprises; a step of providing a substrate; a step of producing a doped buried layer; and a step for producing a first well on the buried layer at the substrate. A drift drain is can be produced on the first well. A counter injection area is injected from the first well and is can be placed between drift drain and the buried layer. The first well can includes first and second injection areas. The second injection area is placed on the depth lower than the first injection area. The counter injection area is can exist in the depth between the first and second injection area. The first well and the counter injection area can include dopants of identical conductive type, or p+type and p-type dopants. A gate can be formed on a part of the drift drain.
摘要翻译：本发明提供一种场效应晶体管器件，或者备选地，一种横向功率晶体管及其形成方法。成型方法包括：提供基板的步骤; 制造掺杂掩埋层的步骤; 以及在衬底的掩埋层上制造第一阱的步骤。在第一口井可以产生漂流排水。反注入区域从第一井注入，并且可以放置在漂流漏和埋层之间。第一井可以包括第一和第二喷射区域。第二注入区域位于比第一注入区域低的深度上。反注射区域可以存在于第一和第二注射区域之间的深度。第一阱和反向注入区域可以包括相同导电类型的掺杂剂，或p +型和p型掺杂剂。一个栅极可以形成在漂流漏极的一部分上。

2. 发明授权

KR101393962B1 고전압 반대 주입을 갖춘 전력 트랜지스터 有权
标题翻译：具有高电压计数器的功率晶体管
公开(公告)号：KR101393962B1
公开(公告)日：2014-05-12
申请号：KR1020120111095
申请日：2012-10-08
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 시아오시쿠앙 , 추첸리앙 , 첸이셍 , 첸페이윤 , 테이콩벵
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66492 , H01L21/761 , H01L29/1083 , H01L29/66575 , H01L29/7833
摘要： 여기서는 전계 효과 트랜지스터 디바이스와, 택일적으로는 횡측 전력 트랜지스터와, 그 형성 방법이 제공되며, 상기 형성 방법은 기판을 제공하는 단계, 도핑된 매립층을 생성하는 단계, 및 기판에서 매립층 상에 1차 웰을 생성하는 단계를 포함한다. 드리프트 드레인은 1차 웰에서 생성될 수 있고, 반대 주입 영역은 1차 웰에서 주입되어 드리프트 드레인과 매립층 사이에 있을 수 있다. 1차 웰은 제1 및 제2 주입 영역을 포함할 수 있고 제2 주입 영역은 제1 주입 영역보다 낮은 깊이에 있다. 반대 주입은 제1 및 제2 주입 영역들 사이의 깊이에서 존재할 수 있다. 1차 웰과 반대 주입 영역은 동일한 도전성 유형의 도펀트들, 또는 p+형 및 p-형 도펀트들 모두를 포함할 수 있다. 게이트는 드리프트 드레인의 일부분 위에서 형성될 수 있다.

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